一种锗终端金刚石核探测器的制备方法及金刚石核探测器

    公开(公告)号:CN118136722A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410124470.2

    申请日:2024-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种锗终端金刚石核探测器的制备方法及金刚石核探测器,通过在单晶金刚石衬底的第一面磁控溅射第一面二硫化锗薄膜,将单晶金刚石衬底置入MPCVD系统对表面进行氢等离子体处理,以在单晶金刚石衬底的第一面形成第一锗终端金刚石表面层。采用相同的工艺,在单晶金刚石衬底的第二面形成第二锗终端金刚石表面层。然后在第一锗终端金刚石表面层的上表面制备第一电极,在第二锗终端金刚石表面层的下表面制备第二电极,对当前器件表面进行氧等离子体处理形成第一氧终端和第二氧终端。本方案提供的锗终端金刚石具有良好的欧姆接触效果和金属粘附性,相较于现有的制备方法,有效减少了制备步骤,降低了工艺难度。

    一种空间转移掺杂p型高迁移率耗尽型氢终端金刚石场效应管及其制备方法

    公开(公告)号:CN115224126A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210821107.7

    申请日:2022-07-13

    Abstract: 本发明公开了一种空间转移掺杂p型高迁移率耗尽型氢终端金刚石场效应管及其制备方法,场效应管包括:金刚石衬底、金刚石外延层、氢终端表面、空间隔离层、类受主层、源电极、漏电极和栅电极;源电极和漏电极位于氢终端表面上;空间隔离层位于源电极和漏电极之间的氢终端表面上方,空间隔离层的材料为h‑BN材料;类受主层位于空间隔离层上且覆盖空间隔离层的表面;栅电极位于类受主层上且位于源电极和漏电极之间。本发明通过在氢终端金刚石上方制备空间隔离层和类受主层介质,实现电荷由金刚石转移到类受主层介质,在金刚石表面形成高浓度二维空穴气层,并通过空间隔离层降低二维空穴气的电离杂质散射,从而提高了耗尽型器件载流子迁移率。

    一种赝竖式氢氧终端金刚石核探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113130697B

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN201911414678.3

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明属于半导体工艺领域,具体涉及一种赝竖式氢氧终端金刚石核探测器及其制备方法,制作金刚石衬底;利用氢等离子体在所述金刚石衬底上分别形成由碳‑氢键覆盖的第一氢终端和第二氢终端;在所述第一氢终端和所述第二氢终端表面分别形成第一金属膜和第二金属膜,并对所述第一金属膜和所述第二金属膜分别进行刻蚀得到第一电极和第二电极;在未被所述第一电极和所述第二电极覆盖的金刚石衬底表面形成钝化层,得到所述金刚石核探测器。具有提高电荷收集效率、改善电场分布、减少死区、提高载流子收集和提升金刚石核探测器的性能的有益效果。

    氢钝化硅终端欧姆接触电极的金刚石核探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN117352587A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311340111.2

    申请日:2023-10-16

    Abstract: 本发明公开了一种氢钝化硅终端欧姆接触电极的金刚石核探测器及制备方法,方法包括:根据预设杂质含量要求和预设位错密度要求选取金刚石,并进行清洗,得到金刚石衬底;在金刚石衬底上表面形成第一硅膜;在MPCVD中对含硅膜金刚石进行氢等离子体高温处理,形成第一硅终端掺杂金刚石层和第一氢钝化硅终端金刚石层;在金刚石衬底下表面形成第二硅膜;下表面采用相同的工艺形成第二硅终端掺杂金刚石层和第二氢钝化硅终端金刚石层;在第一氢钝化硅终端金刚石层表面制备第一电极,在第二氢钝化硅终端金刚石层表面制备第二电极,得到金刚石核探测器。本发明的氢钝化硅终端欧姆接触电极的金刚石核探测器的制备方法,可通过改善接触特性来提高器件性能。

    一种微波等离子体化学气相沉积装置

    公开(公告)号:CN111826635B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202010773735.3

    申请日:2020-08-04

    Abstract: 本发明涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置,包括:波导装置,波导装置包括微波天线,微波天线包括进气管、水冷结构、天线下盘和分气盘,反应腔,设置在波导装置下方,与波导装置连接,天线下盘位于反应腔内部;旋转升降冷却机构,旋转升降冷却机构包括主轴、升降机构、旋转机构和冷却机构,其中,主轴顶端与反应腔内设置的生长平台连接;升降机构、旋转机构和冷却机构均与主轴连接,以驱动主轴带动生长平台在反应腔内做直线运动和旋转运动的同时进行水冷散热。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置,可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台,避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象。

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