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公开(公告)号：CN102280139A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110096051.5
申请日：2006-05-09
申请人： 南泰若股份有限公司
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C2213/16 , G11C2213/19 , G11C2213/35 , G11C2213/79
摘要： 一种存储器阵列包括多个存储器单元，每个单元接收位线、第一字线和第二字线。每个存储器单元包括单元选择电路，该电路允许存储器单元被选择。每个存储器单元还包括双端开关器件，该器件包括与纳米管制品电连通的第一和第二导电端子。存储器阵列还包括存储器操作电路，该电路可操作地耦合于每个单元的位线、第一字线和第二字线。该电路可通过激活适当的线来选择单元，并且可向适当的线施加电刺激来可重新编程地改变第一和第二端子之间纳米管制品的相对电阻。相对电阻对应于存储器单元的信息状态。
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公开(公告)号：CN102176456A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110051659.6
申请日：2006-05-09
申请人： 南泰若股份有限公司
IPC分类号： H01L27/112 , H01L21/8239 , G11C13/00 , G11C17/16
CPC分类号： H01L27/112 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/19 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/1052 , Y10S977/943
摘要： 双端开关器件包括第一和第二导电端子以及纳米管制品。所述制品具有至少一个纳米管，并且与第一和第二端子的每个的至少一部分重叠。该器件还包括与第一和第二端子中至少一个电连通的刺激电路。该电流能够向第一和第二端子中至少一个施加第一和第二电刺激以将第一和第二端子之间的器件相对电阻在相对较高电阻与相对较低电阻之间变化。第一和第二端子之间的相对较高电阻对应于该器件的第一状态，第一和第二端子之间的相对较低电阻对应于该器件的第二状态。
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公开(公告)号：CN1868002A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480029801.5
申请日：2004-08-12
申请人： 南泰若股份有限公司
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01H1/0094 , H01H1/027 , H01H2001/0005 , H01L27/28 , H01L29/0673 , H01L29/73 , H01L29/78 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , Y10S977/762 , Y10S977/932 , Y10S977/94 , Y10T29/49002
摘要： 本发明是关于具有多个控件的基于纳米管的开关元件以及由其制成的电路。开关元件包括一输入节点、一输出节点、以及具有至少一个导电纳米管的纳米管通道元件。一控制结构相对于该纳米管通道放置，以可控地在输入节点及输出节点之间形成与解除一导电通道。该输出节点被构建与安排为使该通道的形成实质上不受输出节点的电气状态的影响。该控制结构包括置于该纳米管通道元件的相对两侧的一个控制电极和一个释放电极。该控制与释放可用来形成一差动输入，或者如果该装置被适当构建，则以非易失性方式操作该电路。该开关元件可被安排在具有差动输入和/或取决于该构建的非易失性行为的逻辑电路和闩锁中。
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公开(公告)号：CN115803666A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180033999.8
申请日：2021-03-06
申请人： 南泰若股份有限公司
发明人： 理查德·达雷尔·瑞吉利
IPC分类号： G02B6/43
摘要： 实施例旨在设计基于使用基于碳纳米管的非易失性存储器并消除硬盘驱动器和/或固态驱动器的支持光学服务器。所公开的支持光学的服务器包含多个刀片服务器，这些刀片服务器通过高速光学互连而不是基于铜的互连彼此连接。在一些实施例中，高速光学互连包括通过将包括在输入/输出互连模块内的电气夹层连接器与位于刀片服务器主板上的相应夹层插槽相匹配而生成的光学接口，以便光学接口提供光学路径，该光学路径用于转发使用多个波长的光(在多个刀片服务器和一个或多个外部设备之间)生成的光学信号。在一些实施例中，所公开的设计有利地提供了相比于一个常规光学刀锋服务器的100倍的速度优势，并相比于相同大小的标准DDR4同步动态随机存取存储器(SDRAM)存储器节省了3倍的能量。
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公开(公告)号：CN101558449B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200780037370.0
申请日：2007-08-08
申请人： 南泰若股份有限公司
IPC分类号： G11C11/34
摘要： 在本发明的一方面，非易失性纳米管二极管器件包括：第一端子及第二端子；半导体元件，包括阴极及阳极，且能响应于施加至该第一导电端子的电刺激，在该阴极与阳极之间形成导电路径；以及纳米管开关元件，包括与该半导体元件电连通的纳米管结构制品，该纳米管结构制品设在该半导体元件与该第二端子之间，且能在该半导体元件与该第二端子之间形成导电路径，其中施加在该第一及第二端子上的电刺激造成多个逻辑状态。
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公开(公告)号：CN101558449A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780037370.0
申请日：2007-08-08
申请人： 南泰若股份有限公司
IPC分类号： G11C11/34
摘要： 在本发明的一方面，非易失性纳米管二极管器件包括：第一端子及第二端子；半导体元件，包括阴极及阳极，且能响应于施加至该第一导电端子的电刺激，在该阴极与阳极之间形成导电路径；以及纳米管开关元件，包括与该半导体元件电连通的纳米管结构制品，该纳米管结构制品设在该半导体元件与该第二端子之间，且能在该半导体元件与该第二端子之间形成导电路径，其中施加在该第一及第二端子上的电刺激造成多个逻辑状态。
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公开(公告)号：CN101484997A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200680025020.8
申请日：2006-05-09
申请人： 南泰若股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 一种存储器阵列包括多个存储器单元，每个单元接收位线、第一字线和第二字线。每个存储器单元包括单元选择电路，该电路允许存储器单元被选择。每个存储器单元还包括双端开关器件，该器件包括与纳米管制品电连通的第一和第二导电端子。存储器阵列还包括存储器操作电路，该电路可操作地耦合于每个单元的位线、第一字线和第二字线。该电路可通过激活适当的线来选择单元，并且可向适当的线施加电刺激来可重新编程地改变第一和第二端子之间纳米管制品的相对电阻。相对电阻对应于存储器单元的信息状态。
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公开(公告)号：CN1557016A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02818498.X
申请日：2002-07-25
申请人： 南泰若股份有限公司
CPC分类号： G11C23/00 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , G11C2213/81 , H01H1/0094 , H01L21/76838 , H01L27/10 , Y10S977/724 , Y10S977/742 , Y10S977/796 , Y10S977/856 , Y10S977/888 , Y10S977/943 , Y10T428/24893 , Y10T428/24917
摘要： 揭示了机电式电路，如存储单元，及其制法。所述电路包括由电导轨线和从基质表面延伸的支持构成的结构，以及由穿过电导轨线的支持悬置的纳米管带子，其中各个带子包括一个或多个纳米管。所述机电式电路元件可由具有电导轨线和支持的结构制成，其中的支持从基质表面延伸。在支持上有一层纳米管，并选择性除去纳米管层的某些部分，形成穿过电导轨线的纳米管带子。每个带子包括一个或多个纳米管。
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