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公开(公告)号：CN104871429A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380065858.X
申请日：2013-12-17
申请人： 高通股份有限公司
发明人： H·冯 , V·V·帕尼卡什 , J·G·衫卡拉那拉亚南 , B·S·阿苏里
CPC分类号： H03G9/24 , H03F1/223 , H03F1/42 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/06 , H03F2200/111 , H03F2200/36 , H03F2200/378 , H03F2200/387 , H03F2200/39 , H03F2200/391 , H03F2200/534
摘要： 公开了一种可调谐宽带激励放大器。在一示例性实施例中，一种装置包括选择性地连接在放大器的输出端和电路接地之间的第一频带选择电路。第一频带选择电路被配置成将放大频带从第一频带调整到第二频带。该装置还包括第一谐波减少电路，第一谐波减少电路选择性地连接在第一频带选择电路和电路接地之间且被配置成在放大频带被设置成第一频带时减少与第一频带相关联的二次谐波频率。
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公开(公告)号：CN104769840A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201280076909.4
申请日：2012-11-09
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H03F1/22
CPC分类号： H03F1/223 , H01L23/4824 , H01L23/5223 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L2924/0002 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F2200/222 , H03F2200/315 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/75 , H01L2924/00
摘要： 多个源极接地晶体管(3)相互并联连接，多个栅极接地晶体管(4)相互并联连接。多个栅极接地晶体管(4)的源极(4s)分别与多个源极接地晶体管(3)的漏极(3d)连接。多个接地焊盘(5)与多个源极接地晶体管(3)的源极(3s)连接。多个接地电容(6)连接在多个栅极接地晶体管(4)的栅极(4g)和接地焊盘(5)之间。在接地焊盘(5)与多个栅极接地晶体管(4)之间交替配置有多个源极接地晶体管(3)和多个接地电容(6)。
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公开(公告)号：CN103141024B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180009992.9
申请日：2011-04-24
申请人： C·布隆贝格尔
发明人： C·布隆贝格尔
IPC分类号： H03H7/38
CPC分类号： G06F17/5077 , H03F1/0288 , H03F1/56 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03H7/38 , H03H2260/00
摘要： 本发明涉及一种电子电路和一种用于设计电子电路的方法，所述电子电路具有第一源元件(Q1)、第二源元件(Q2)、第一匹配网络(M1)和第二匹配网络(M2)，其中，所述第一匹配网络(M1)和所述第二匹配网络(M2)通过使用庞加莱距离的方法设计，其中，所述第二源元件(Q2)被构造用于输出具有中心频率(f)的信号(S)，其中，所述负载(L)具有负载阻抗(ZL)，其中，所述第二匹配网络(M2)具有传输所述信号(S)的线状串联元件(LS1...LS20)，其中，所述线状串联元件(LS1...LS20)仅仅具有小于所述负载阻抗(ZL)的线路阻抗(ZS1...ZS20)，或者，其中，分别具有大于所述负载阻抗(ZL)的线路阻抗(ZS1...ZS20)的那些线状串联元件(LS1...LS20)的电长度的和小于属于所述信号(S)的波长(λ)的四分之一。
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公开(公告)号：CN104682884A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410811076.2
申请日：2014-10-11
申请人： 天工方案公司
CPC分类号： H03F1/0211 , H03F1/0222 , H03F1/56 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/191 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/207 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/451 , H03F2200/504 , H03F2203/21193 , H03G3/3042 , H04B1/38
摘要： 这里公开了用于功率放大器中的相位补偿的装置和方法。在某些实施方式中，功率放大器包括输入级、输出级、包络跟踪器和补偿电路。所述输入和输出级被级联，并放大输入RF信号以产生放大的输出RF信号。所述包络跟踪器基于所述输入RF信号的包络产生至少用于所述输出级的功率放大器电源电压。所述补偿电路补偿所述输出级的输入阻抗的改变，所述改变与所述功率放大器电源电压的电压电平的改变相关联。通过包含所述补偿电路，与输入功率相对的所述功率放大器的相位延迟的变化可被减小，从而导致所述功率放大器的相位失真(AM/PM)的改善。
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公开(公告)号：CN104681552A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410693875.4
申请日：2014-11-26
申请人： 恩智浦有限公司
发明人： 诸毅 , 约瑟夫斯·H·B·范德赞登
CPC分类号： H05K7/14 , H01L23/66 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2924/0002 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H01L2924/00
摘要： 描述了一种封装射频功率晶体管器件，包括：(a)组件载体(254、256)；(b)管芯(110、210a)；(c)接地连接(232a)；(d)输出端引线(136、236a)，该输出端引线电连接到漏极(112d)；(e)谐振电路(122)，该谐振电路电插入到输出端引线与接地连接(232a)之间；以及(f)视频引线(134、234)，该视频引线电连接到谐振电路(122)。视频引线连接到解耦电容器(144、244)的第一接触点。接地连接到解耦电容器的第二接触点。相对于由组件载体(254、256)的底面横跨的基准平面，输出端引线和视频引线(234)被至少近似地布置在相同的高度水平。还描述了一种RF功率放大器，包括所述封装射频功率晶体管器件。
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公开(公告)号：CN104518745A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410498423.0
申请日：2014-09-25
申请人： 富士通株式会社 , 富士通半导体股份有限公司
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F1/32 , H03F1/0266 , H03F1/26 , H03F1/3205 , H03F1/3211 , H03F1/3276 , H03F1/565 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F2200/165 , H03F2200/216 , H03F2200/246 , H03F2200/387 , H03F2201/3215 , H03F2203/45541 , H03F2203/45552 , H03F2203/45554 , H03F2203/45568 , H03F2203/45576
摘要： 一种放大器包括：两个输入端子，该两个输入端子接收差分的、双音调的传输信号；两个输出端子；线圈，该线圈具有分别与输入端子连接的端子，并且该线圈具有中心抽头；第一晶体管，该第一晶体管具有与线圈的一个端子连接的栅极，并且第一晶体管的输出端子与一个输出端子连接；第二晶体管，该第二晶体管具有与线圈的另一端子连接的栅极，并且第二晶体管的输出端子与另一输出端子连接；二极管，该二极管具有与中心抽头连接的端子；以及偏压电路，该偏压电路与二极管的另一端子连接以输出栅极电压来接通第一晶体管和第二晶体管。二极管根据从中心抽头供应到二极管的端子的传输信号的二次谐波的信号电平来调整端子电压。
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公开(公告)号：CN102428648B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080021806.9
申请日：2010-05-21
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 盖伊·克莱门斯 , 内森·M·普莱彻 , 巴巴克·内贾蒂 , 诺曼·L·小弗雷德里克 , 托马斯·A·迈尔斯
CPC分类号： H03H7/38 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/604 , H03F2200/108 , H03F2200/171 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/414 , H03F2200/451 , H03H7/48 , H04B1/0483
摘要： 本发明描述一种具有集成的阻抗匹配、功率组合及滤波且适合于与功率放大器及其它电路一起使用的输出电路。在示范性设计中，一种设备可包括第一及第二电路(例如，功率放大器)以及输出电路。所述第一电路可提供第一单端信号且可具有第一输出阻抗。所述第二电路可提供第二单端信号且可具有第二输出阻抗。所述输出电路可包括：(i)第一及第二匹配电路，其执行用于所述第一及第二电路的输出阻抗匹配及滤波；(ii)组合器(例如，求和节点)，其组合所述第一与第二单端信号以获得经组合的单端信号；(iii)第三匹配电路，其执行用于所述经组合的单端信号的阻抗匹配及滤波；及(iv)开关，其用以将所述单端信号路由到不同输出。
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公开(公告)号：CN104160620A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380012786.2
申请日：2013-03-11
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC分类号： H03F3/217
CPC分类号： H03F3/2173 , H03F1/56 , H03F2200/387
摘要： 在放大器中，第一启动信号(EN[1])被断言以便启用第一驱动器(206-1)，其中第一驱动器具有第一输出端(N-1)和第一寄生电容。第二启动信号(EN[2])被断言以便启用第二驱动器(206-2)，其中第二驱动器具有第二输出端(N-2)和第二寄生电容。在第二驱动器启用时第一输出端和第二输出端通过开关网络(208)耦合在一起。来自互补第一射频(RF)和第二射频信号的脉冲被施加到第一驱动器，其中在来自第一RF信号和第二RF信号的连续脉冲之间具有第一组自由飞间隔，并且来自互补第三RF信号和第四RF信号的脉冲被施加到第二驱动器，其中在来自第三RF信号和第四RF信号的连续脉冲之间具有第二组自由飞间隔。开关网络何时启动的时序和连续脉冲之间的自由飞间隔的时序都被选择以改善放大器的功率效率。
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公开(公告)号：CN104113287A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410149400.9
申请日：2014-04-15
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H03F1/3205 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/192 , H03F2200/195 , H03F2200/204 , H03F2200/207 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/465
摘要： 本发明目的在于得到一种在不使无效电流等其他特性变化的情况下就能够调整AM-AM特性的功率放大器。分别向偏压端子(T1、T2）供给偏压。晶体管（M1）的栅极与偏压端子（T1）连接，源极接地。晶体管（M2）的栅极与偏压端子（T2）连接，源极与晶体管（M1）的漏极连接。固定电容器（C1）和可变电阻（Rv1）串联连接在晶体管（M2）的栅极和接地点之间。
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公开(公告)号：CN104067513A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006463.2
申请日：2013-01-23
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/213 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/378 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2203/21136 , H03F2203/21175 , H03F2203/7233 , H03F2203/7239
摘要： 公开了具有可调谐负载匹配的多模激励放大器。在一示例性设计中，一种装置包括多模激励放大器和可调谐阻抗匹配电路。该激励放大器放大输入射频RF信号并提供经放大的RF信号。可调谐阻抗匹配电路匹配激励放大器的输出阻抗。该装置可包括主发射路径(510)和旁路发射路径(512)。旁路发射路径(512)可包括激励放大器(542)和可调谐阻抗匹配电路(552)且没有功率放大器。主发射路径(510)可包括第二激励放大器(540)和功率放大器(560)。可选择主发射路径(510)用于高于阈值电平的发射功率电平，并且可选择旁路发射路径(512)用于低于阈值电平的发射功率电平。
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