公开(公告)号：CN107342324A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710286328.8

申请日：2017-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴美善 ,  朴起宽 ,  李泰宗 ,  卓容奭 ,  朴起演

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍、在有源鳍上的栅结构、直接在栅结构的侧壁上的栅间隔物结构、以及在有源鳍的与栅间隔物结构相邻的部分上的源极/漏极层。栅间隔物结构包括顺序堆叠的硅碳氮氧化物(SiOCN)图案和二氧化硅(SiO2)图案。

公开(公告)号：CN107068680A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710063574.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  李泰宗 ,  金泫升 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  朴起宽 ,  朴美善

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。

公开(公告)号：CN107068537A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610978132.0

申请日：2016-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  金真范 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  李泰宗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/0214 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0226 ,  H01L29/42364

Abstract: 本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。