公开(公告)号：CN102214556A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110041351.3

申请日：2011-02-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑胤谟 ,  朴炳建 ,  朴钟力 ,  李卓泳 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明公开了一种使非晶硅层结晶的方法、利用该方法来制造薄膜晶体管的方法以及利用该制造方法制造的薄膜晶体管，所述结晶方法包括以下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上彼此分开地设置结晶催化剂颗粒；从非晶硅层的一部分选择性地去除结晶催化剂颗粒；通过热处理使非晶硅层结晶。

公开(公告)号：CN102194890A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110064215.6

申请日：2011-03-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李卓泳 ,  朴炳建 ,  郑胤谟 ,  朴种力 ,  李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78645

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)，所述TFT包括基底和在基底上的有源区域，该有源区域包括在有源区域的相对端处的源极区域和漏极区域、至少一个与源极区域或漏极区域相邻的轻掺杂区域、多个沟道区域和在所述多个沟道区域中的两个沟道区域之间的高掺杂区域。所述TFT包括在有源区域上的栅绝缘层和多栅电极，所述多栅电极包括在栅绝缘层上的多个栅电极，所述多个沟道区域设置在对应的栅电极下方，所述源极区域和漏极区域被设置为与所述多栅电极的最外部相邻。所述TFT包括在所述多栅电极上的第一层间绝缘层和源电极与漏电极，所述源电极与漏电极延伸通过第一层间绝缘层并与各自的源极区域和漏极区域接触。

公开(公告)号：CN102064089A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010506428.5

申请日：2010-10-12

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管(TFT)、显示装置及制造方法。形成多晶硅层的方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；在非晶硅层中形成凹槽；在非晶硅层上形成覆盖层；在覆盖层上形成金属催化剂层；对基底进行退火并使非晶硅层晶化成具有与形成的凹槽的相邻的晶种区域的多晶硅层。

公开(公告)号：CN101211963B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200710300854.1

申请日：2007-12-29

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  朴炳建 ,  李基龙 ,  丁世桓

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/544 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1285 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0861 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1296 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器及其制造方法，在该有机发光显示器中，在非显示区中形成对准标记。该有机发光显示器包括：基底，具有显示区和非显示区；缓冲层，形成在整个基底上；有源层；栅极绝缘层；栅电极，对应于有源层形成在栅极绝缘层上；层间介电层，形成在栅极绝缘层上；源/漏电极，形成在层间介电层上，并电结合到有源层；绝缘层，形成在源/漏电极上；有机发光二极管，形成在绝缘层上，并电结合到源/漏电极。此外，该有机发光显示器包括形成在基底和缓冲层中的一个上的对准标记。

公开(公告)号：CN101373793B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810214019.0

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法以及具有该TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置。TFT包括：基板；设置在该基板上并且利用金属催化剂结晶的半导体层；设置在该半导体层上的栅绝缘层；设置在该栅绝缘层上的栅电极；设置在该栅电极上的层间绝缘层；以及设置在该层间绝缘层上并通过接触孔电连接至该半导体层的源区和漏区的源电极和漏电极，所述接触孔露出所述半导体层的源区和漏区的预定区域并在所述栅绝缘层和所述层间绝缘层内形成。位于每个接触孔下方的所述半导体层的从所述半导体层的表面到预定深度的区域内存在金属硅化物，所述金属硅化物包括与所述金属催化剂不同的金属。

公开(公告)号：CN101388402B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810146281.6

申请日：2008-08-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 姜哲圭 ,  朴炳建

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L27/3269 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种有机发光显示器及其制造方法。一种有机发光显示器包括：形成在基板上且连接到晶体管的有机发光二极管；形成在所述基板上并包括半导体层的光电二极管，所述半导体层包括高浓度P掺杂区、高浓度N掺杂区和具有缺陷的本征区；和控制器，该控制器通过根据从所述光电二极管输出的电压控制施加到第一电极和第二电极的电压，来均匀地控制所述有机发光二极管发出的光的亮度。

公开(公告)号：CN101211979B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200710301181.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  丁世桓 ,  李基龙 ,  马克西姆·莉萨契克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器。所述晶体管包括：基底；有源区，包括源区、沟道区和漏区，所述源区、沟道区和漏区利用SGS结晶方法结晶，并且形成在基底上，使得第一退火部分和第二退火部分的晶粒尺寸彼此不同；栅极绝缘层，形成在有源区上；栅电极，形成在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：CN100517616C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200410075870.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法，包括在衬底上形成非晶硅层的步骤，在非晶硅层上形成帽盖层的步骤，在帽盖层上形成金属催化剂层的步骤，在金属催化剂层上经选择性辐照激光束扩散金属催化剂的步骤，晶化非晶硅层的步骤。本发明具有如下优点：提供了一种制造薄膜晶体管的方法，其中该薄膜晶体管的制造方法通过利用选择性辐照激光束均匀控制低浓度催化剂的扩散以及利用超晶粒硅(super grain silicon)方法在非晶硅层晶化过程中控制晶粒尺寸和晶体生长位置和方向，从而改进了器件的性能并获得了器件的均匀性。

公开(公告)号：CN100481513C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510081329.6

申请日：2005-06-24

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括具有第一区域和第二区域的衬底、形成于第一区域和第二区域中的半导体层图案、形成于第一区域的半导体层图案的沟道区域上的第一栅极绝缘层图案。第二栅极绝缘层图案形成于衬底上，第一导电层图案形成于第一区域的沟道区域和第二区域的半导体层图案之上，层间绝缘层形成于衬底上。第二导电层图案形成于第一区域中和第二区域的第一导电层图案上。第一区域的第二导电层图案通过第二栅极绝缘层和层间绝缘层耦合至第一区域的半导体层图案。

公开(公告)号：CN100481508C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410075888.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/923

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管特征在于，在半导体层图案中的沟道中形成的低角度晶界相对于电流流动方向倾斜-15到15°。该方法包括：在衬底上形成非晶硅层；在非晶硅层上形成第一盖层；在第一盖层上形成第二盖层，且构图第二盖层使得籽晶形成为线形；在构图的第二盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及晶化并构图非晶硅层来形成半导体层图案。因而，具有与电流流动方向近似平行的角度的沟道层可以通过形成和晶化线形籽晶而在低角度晶界形成。换句话说，器件特性可以通过调整晶体生长的位置和方向来改善并均匀化。