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公开(公告)号：CN102517544A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110449815.4
申请日：2011-12-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为晶种层，通过超声波作用下真空蒸发物理气相沉积法在晶种层上沉积生长高质量多晶碘化汞厚膜的制备方法。生长出来的多晶碘化汞厚膜特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属于半导体厚膜制备技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。以碘化汞薄膜作为晶种层，再通过超声波作用下真空蒸发物理气象沉积法沉积生长多晶碘化汞厚膜，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的高质量多晶碘化汞厚膜。
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公开(公告)号：CN101979704A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010527964.3
申请日：2010-11-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中，ITO玻璃衬底温度控制为150℃～160℃，真空压力为2~3×10-3Pa，衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右，控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000～1200℃；蒸发过程完成后，进入真空管式退火炉进行退火，退火的温度分别选择为300℃，400℃和500℃。本发明方法工艺简单，薄膜制备的效率高，制得的薄膜具有良好的电学和光学性能，适合应用于太阳能电池。
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公开(公告)号：CN100587979C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200810033872.2
申请日：2008-02-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法，特别是一种X射线、γ射线室温核辐射探测器的制备方法，属半导体探测器制备工艺技术领域。该探测器的制备方法是：先将在衬底基片上制得的由柱状晶粒组成的多晶薄膜进行机械粗抛光、细抛光、表面化学腐蚀、清洗，晾干各工序，然后采用掩膜板蒸镀电极，最后对探测器进行封装和安装固定。本发明制得的探测器在室温下具有优秀的X射线、γ射线能量分辨率。
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公开(公告)号：CN101310812A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810033866.7
申请日：2008-02-26
Applicant: 上海大学
IPC: B01D7/00
Abstract: 本发明涉及一种真空升华提纯方法及装置，属物理气相沉积技术领域。该提纯过程采用两步真空升华工艺，第一次升华温度控制在有机材料升华点以下30～40℃，为进一步去除杂质，须采用第二次低温真空升华；第二次升华温度控制在有机材料升华点以下80～100℃。本发明的装置主要包括有具有沉积腔体的玻璃容器、加热炉、真空抽气系统、温度控制系统，其结构简单，易于操作，可重复使用；适合于有机材料的提纯。
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公开(公告)号：CN101281935A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810037725.2
申请日：2008-05-20
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种硅太阳能电池结深的测量方法，属硅太阳能电池性能参数测量方法技术领域。本发明的测量方法采用了阳极氧化法结合差重计算法对硅太阳能电池的结深进行测量和计算。本发明的测量方法是：先测量未腐蚀的磷扩散层硅基片即电池片的重量及方块电阻，然后用阳极氧化法来氧化所述硅基片表面，得到了氧化层；然后用氢氟酸腐蚀掉所产生的氧化层，随后测量其方块电阻，重复多次上次操作，直到方块电阻由大变小时，称得其重量；这个重量与一开始称得重量的差值就是扩散层的重量，将这个重量差值除以扩散层的密度和腐蚀掉的扩散层的面积，就得到扩散层的平均深度，也即就是电池片的结深。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101262026A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810033872.2
申请日：2008-02-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法，特别是一种X射线、γ射线室温核辐射探测器的制备方法，属半导体探测器制备工艺技术领域。该探测器的制备方法是：先将在衬底基片上制得的由柱状晶粒组成的多晶薄膜进行机械粗抛光、细抛光、表面化学腐蚀、清洗，晾干各工序，然后采用掩膜板蒸镀电极，最后对探测器进行封装和安装固定。本发明制得的探测器在室温下具有优秀的X射线、γ射线能量分辨率。
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公开(公告)号：CN1825540A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610023277.1
申请日：2006-01-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/203 , H01L31/18 , C23C14/24
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法，属半导体薄膜制备及改性处理技术领域。本发明方法具有以下工艺过程和步骤：(1)在高纯度的硫化锡粉末中掺加入0.2～1.2wt％的金属锑粉，并进行充分的研磨和混合；(2)然后将上述混合料放于钼舟中，在真空镀膜机内进行蒸发制膜，真空蒸发过程中的工艺参数为：真空度1.5～2.0×10－4pa、基片与蒸发源的距离10cm、蒸发源温度1100℃，最终可在基片上获得高电导率的硫化锡半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN103993355B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410193673.3
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CuInS2单晶体的制备方法，把高纯原料粉末Cu、In、S均匀混合，真空封装入反应器，并用单一温区摇摆炉混晶的方法制备了CuInS2多晶锭，作后续籽晶和单晶生长的原料，然后用布里奇曼法制备小的CuInS2单晶块作籽晶，最后用磁场和籽晶辅助的移动加热法生长大的CuInS2单晶，本发明还公开了一种CuInS2单晶体制备装置，由反应容器、垂直炉和外加磁场系统组成。本发明改善了常规移动加热法制备CuInS2晶体时，生长速度较慢的问题，同时提高了晶体的生长速度和晶体的利用率，有效解决大直径单晶CuInS2的制备工艺问题，并为制备性能优越的CuInS2薄膜太阳电池提供理论和实践的基础。
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公开(公告)号：CN102978590A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210487362.9
申请日：2012-11-27
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/56
Abstract: 本发明涉及多循环快速热退火晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在普通玻璃载片衬底上沉积非晶硅薄膜；随后进行快速热处理，升温速率在150-200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至640℃后再恒温一段时间，然后自然冷却，当薄膜温度冷却到达室温时，再进行下一次循环；经过多次快速热退火后晶化非晶硅薄膜。用该方法可制得晶化率在71.9%左右的多晶硅薄膜。和传统的固相晶化非晶硅薄膜工艺相比，该方法在降低了对衬底要求的同时，也缩短了处理时间，具有制备工艺简单、污染小和成本低等特点。因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。
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公开(公告)号：CN102351430A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110192217.3
申请日：2011-07-11
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过渡缓冲层，特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。对所制备的薄膜采用金相显微镜、XRD、紫外-可见分光光度计进行表征。结果表明化学液相垂直沉积法可制备得到沿 晶向柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且晶粒结构完整性好、均匀性佳，膜厚约为800nm，禁带宽度为2.26eV。本发明具有潜在的实际应用前景。
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