公开(公告)号：CN103374713B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310138572.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菱谷克幸

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：真空容器；旋转台，其设于上述真空容器内，在载置圆形的基板的同时进行旋转，其中，在该旋转台的表面设有直径大于上述基板的直径的圆形的凹部，在该凹部内设有圆形的基板载置部，该基板载置部的直径小于该凹部的直径和上述基板的直径且设于比上述凹部的底部高的位置，该基板载置部的中心比上述凹部的中心向上述旋转台的外周部侧偏心；处理气体供给部，其用于对上述基板供给处理气体；以及真空排气机构，其用于对上述真空容器内进行真空排气。

公开(公告)号：CN103215567B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310019951.9

申请日：2013-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  中坪敏行 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/458 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/45591

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给互相反应的多种处理气体的循环而形成薄膜，包括旋转台、多个处理气体供给部、分离气体供给部以及排气口。处理气体供给部中的至少一个处理气体供给部构成为从旋转台的中央部朝向周缘部延伸的气体喷嘴，在气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向的上游侧和靠下游侧，沿着该气体喷嘴的长度方向设有整流板，该整流板为了抑制自该气体喷嘴喷射的处理气体的稀薄化而使分离气体在该整流板的上表面侧流动，为了抑制位于整流板的下方侧的处理气体被排出到旋转台的外侧，整流板的靠旋转台的外周侧的缘部以与该旋转台的外周端面隔有间隙地与该旋转台的外周端面相对的方式朝向下方侧弯曲而构成弯曲部。

公开(公告)号：CN103031537B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210365923.8

申请日：2012-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  小林健 ,  菊地宏之 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明提供成膜装置和基板处理装置。以包括气体供给部和天线的方式构成装置，该气体供给部用于向旋转台的基板载置区域侧的表面供给等离子体生成用的气体；该天线以从上述旋转台的中央部延伸到外周部的方式与该旋转台的基板载置区域侧的表面相对地设置，用于通过电感耦合使等离子体生成用的气体等离子体化。并且，上述天线以其与上述基板载置区域的靠旋转台的中央部侧的部分之间的分开距离比其与上述基板载置区域的靠旋转台的外周部侧的部分之间的分开距离大3mm以上的方式配置。

公开(公告)号：CN102953052B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210307203.6

申请日：2012-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  小林健 ,  牛窪繁博 ,  相川胜芳

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234

Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。基板处理装置包括：真空容器，其用于容纳基板；载置台；等离子体产生气体供给部；天线，其用于利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，绕纵向的轴线卷绕而成；法拉第屏蔽件，其用于阻止在天线的周围产生的电磁场中的电场成分通过，由接地的导电性的板状体构成，法拉第屏蔽件包括：狭缝组，其用于使电磁场中的磁场成分通过而到达基板侧；窗部，其在板状体的被狭缝组包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，在窗部与狭缝组之间，以该窗部与狭缝不连通的方式设有包围窗部的、接地的导电通路，在狭缝组的与窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝组的方式设有接地的导电通路。

公开(公告)号：CN104831255A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510071141.7

申请日：2015-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  佐藤润 ,  村田昌弘 ,  大下健太郎 ,  菅野智子 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：向基板供给处理气体的工序；向所述基板供给分离气体的工序；在第1等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第1距离的状态下向所述基板供给第1等离子体处理用气体的工序；在第2等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为比所述第1距离小的第2距离的状态下向所述基板供给第2等离子体处理用气体的工序；以及向所述基板供给所述分离气体的工序。

公开(公告)号：CN103088319B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201310016980.X

申请日：2009-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  竹内靖 ,  牛窪繁博 ,  菊地宏之

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/452

CPC classification number: H01J37/32559 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J1/00 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气体活化的电力的一对电极，为了将被活化的气体喷出到气体活化室内而沿着电极的长度方向设置的气体喷出口。

公开(公告)号：CN102134710B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201010621824.2

申请日：2010-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  竹内靖

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：旋转台，其其一个面具有基板载置区域；第1、第2反应气体供给部，它们分别配置在容器内的第1、第2供给区域中，用于向一个面供给第1、第2反应气体；分离区域，其配置在第1和第2供给区域之间，包括用于喷出将第1和第2反应气体分离的分离气体的分离气体供给部及形成用于朝向第1和第2供给区域供给上述分离气体的分离空间的顶面；第1和第2排气口，它们与第1和第2供给区域相对应地设置；第1和第2排气口中的至少一个配置为，将朝向所对应的供给区域供给的分离气体向沿着所对应的反应气体供给部延伸的方向引导。

公开(公告)号：CN102134709B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201010621810.0

申请日：2010-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学 ,  竹内靖

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置在真空容器内使载置有多个晶圆的旋转台旋转，晶圆依次与供给到第1和第2处理区域中的第1和第2反应气体接触，在晶圆的表面形成薄膜，设有进行使第1反应气体吸附于晶圆表面的处理的第1处理区域、及面积大于该第1处理区域的面积的、进行使第2反应气体与吸附在晶圆表面的第1反应气体发生化学反应的处理的第2处理区域，与吸附相比，能够将化学反应的处理时间确保得较长，即使提高旋转台的转速，也能够充分地进行与金属吸附相比需要更长时间的化学反应而进行良好的成膜处理。

公开(公告)号：CN103966575A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043876.4

申请日：2014-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/45519 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及成膜方法。在旋转台（2）下方侧的与改性区域（S1）相对的位置配置偏压电极（120），并在改性区域（S1）的上方侧配置法拉第屏蔽件（95），使上述偏压电极（120）与法拉第屏蔽件（95）电容耦合而在上述改性区域（S1）内形成偏移电场。并且，偏压电极（120），在旋转台（2）的旋转方向上的宽度尺寸（t）形成得比相邻的晶圆（W）之间的分开尺寸（d）小，从而能够防止对相邻的晶圆（W）同时施加偏移电场，并能够针对各晶圆（W）单独地形成偏移电场。

公开(公告)号：CN102978586A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210326691.5

申请日：2012-09-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菱谷克幸 ,  牛窪繁博

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32733

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜装置在旋转台的旋转方向上将两个等离子体产生部互相分开设置，并且在该等离子体产生部与晶圆之间分别配置法拉第屏蔽。而且，在各个法拉第屏蔽上设有沿与各个等离子体产生部中的天线正交方向上延伸的狭缝，对于在各个天线中产生的电场磁场中的电界进行屏蔽，另一方面使磁场向晶圆侧通过。