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公开(公告)号：CN107069402A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710048926.1
申请日：2017-01-23
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/10061 , H01S3/10023
Abstract: 本发明公开了一种基于双折射滤波的增益平坦宽带钕玻璃放大器，它包括偏振控制器、双折射滤波光谱均衡器和钕玻璃放大器，偏振控制器由在光路中依次排列的四分之一波片和半波片组成，所述双折射滤波光谱均衡器由在光路中依次排列的起偏器、相位延迟器和检偏器组成，所述起偏器和检偏器的偏振透过方向一致，所述相位延迟器固定于旋转调整架上，所述钕玻璃放大器包括钕玻璃和泵浦光源。本发明结合双折射滤波光谱均衡器和钕玻璃放大器，构建了一种增益平坦的钕玻璃宽带激光放大器。具体而言是采用双折射光谱滤波技术调节光谱透过率，对传统钕玻璃放大器的增益光谱进行反补偿，最终实现在较宽光谱范围内的平坦的增益谱线。
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公开(公告)号：CN105652487A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610245863.4
申请日：2016-04-20
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
CPC classification number: G02F1/132 , G02F1/1326 , G02F1/3515
Abstract: 本发明提供了一种金属纳米颗粒掺杂的液晶光开关，该液晶光开关包括石英基板，两块石英基板形成一端开口的腔室，石英基板的四周用热封层完全热封封闭，所述腔室的内壁上均涂覆有ITO薄膜层，所述ITO薄膜层上均涂覆有金属纳米颗粒层，所述腔室中灌有液晶分子和经过表面活性剂修饰的金属纳米颗粒，灌入液晶分子和经过表面活性剂修饰的金属纳米颗粒后，腔室的开口端热封封闭。本发明泵浦光照射石英基板，引起金属纳米颗粒的表面等离激元共振效应，使液晶分子取向发生偏转，改变了信号光的透射光强，由此形成开关效应；金属纳米颗粒的存在明显降低液晶光开关的阈值光强，开关的响应速度也明显提高，在未来全光器件和全光通信中有可观的应用前景。
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公开(公告)号：CN118249180A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410302993.1
申请日：2024-03-18
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多程激光放大器和激光放大方法，多程激光放大器包括楔形块状的增益介质，在增益介质的前后表面分别设置前特殊镀膜和后特殊镀膜，前特殊镀膜具有前临界角，后特殊镀膜具有后临界角，通过设置前临界角、后临界角及激光Ls与增益介质的入射角θ，使激光Ls在增益介质中经历多次反射，实现激光在增益介质中的多程放大。本申请中的多程激光放大器结构紧凑、大幅度减少了激光放大器内的光学元件、降低了多程激光放大器的制作成本，有效提高了单块增益介质的增益。本发明中的激光放大方法，通过确定多程激光放大器的参数来确定增益介质的表面特殊膜层，从而使激光Ls在增益介质中经历多次反射，实现激光在增益介质中的多程放大。
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公开(公告)号：CN117583753A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311568459.7
申请日：2023-11-23
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种均匀剥离半导体材料的装置及方法，本发明通过在聚焦系统后方设置高速相机，在聚焦系统前方设置CCD相机，利用高速相机拍摄激光在第一加工路径的第一位置上诱导半导体材料改质时该位置在当前拍摄时刻的裂纹长度L1，根据裂纹长度L1调整入射激光光强使激光在后续加工位置上诱导产生的裂纹扩展长度保持均匀；同时，利用CCD相机拍摄激光沿着设定的加工路径移动到第二加工路径的第二位置上时第一位置处裂纹在当前拍摄时刻的扩展长度L2，根据裂纹扩展长度L2调整入射激光光强使激光移动到第二加工路径的第三位置上时激光在该位置诱导产生的裂纹长度L3满足关系L2+L3＝L，提高了激光改质的均匀性，提高了激光改质剥离的加工精度。
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公开(公告)号：CN117476448A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311233958.0
申请日：2023-09-23
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: H01L21/268 , B23K26/067 , B23K26/064 , B23K26/046 , B23K26/36 , B23K26/402 , B23K26/70 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种高效减薄剥离半导体材料的加工装置及方法，通过采用将一束激光分成多束激光的方法，并通过引入电阻测试系统、激光测距仪、红外热成像仪和CCD相机对半导体材料激光改质加工过程中的电阻率变化情况、材料发生的材料翘曲、材料表面出现的不同尺寸的缺陷以及聚焦系统升温带来的热透镜效应引发的误差进行实时测量，并将测量数据发送给计算机，计算机根据接收到的数据实时控制Z轴位移平台、衰减器和空间光调制器，对加工参数进行实时调整，从而实现自适应激光减薄剥离半导体材料的加工，提高了激光减薄剥离的精度，解决了接触式加工带来的损耗大、效率低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116921855A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310764884.7
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: B23K26/06 , B23K26/067 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种激光自适应减薄剥离半导体材料的装置及方法，通过在激光加工装置中引入激光测距仪，对加工过程中材料发生的翘曲以及材料表面存在的凹凸缺陷信息进行实时测量；同时引入红外热成像仪，对加工过程中聚焦系统的温度进行实时监控，并将以上测量得到的信息传输给计算机，经过运算分析后实时反馈给衰减器、空间光调制器以及Z轴位移平台，对加工参数进行实时调整，实现激光精密减薄剥离半导体材料的加工。本发明不仅解决了接触式加工带来的损耗大、效率低的问题，同时也提高了激光改质剥离技术的加工精度，为降低第三代半导体材料的使用成本提供了可靠的帮助。
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公开(公告)号：CN116913809A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310783527.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Inventor： 单翀 , 耿靖骅 , 焦健 , 胡北辰 , 隋展 , 赵晓晖 , 崔勇 , 高妍琦 , 季来林 , 孙今人 , 饶大幸 , 夏兰 , 冯伟 , 刘栋 , 史建 , 蔡国栋 , 朱翔宇
Abstract: 本发明公开了一种多波长激光耦合剥离半导体材料的设备及方法，通过将多波长激光耦合辐照至半导体材料内，利用光子能量更高的短波长激光将价带的电子跃迁至导带形成自由电子，随后利用长波长激光对自由电子进行吸收，并产生热应力差，进而诱导半导体材料改质，最终实现剥离，有效地解决了传统机械切割碳化硅损耗大、难度高等问题，同时也解决了已有激光剥离方法采用单波长基频激光需要高功率且难以控制工艺等问题，不仅使得半导体材料剥离更加容易、损耗更低，同时也使得改质工艺更加精密可控，为碳化硅的广泛应用提供可靠的帮助。
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公开(公告)号：CN112467511B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011334304.3
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性频率转换的近场滤波和激光器横模控制系统，它包括激光器端镜、起偏器、增益介质与泵浦源、非线性倍频晶体、双色镜和精密平移台，激光器、非线性频率转换晶体和双色镜组成近场滤波和激光器横模控制系统，本发明还构建了一种基于非线性效应的近场滤波新方法，可控制激光器的横模数量。本发明的系统和方法在非线性频率转换过程中，高阶横模转换效率较低，将会从双色镜泄露出激光器腔，而低阶模在逆向传输过程中将被转换回基频，从而囚禁在激光腔中振荡，最终实现激光器横模控制。
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公开(公告)号：CN111579221B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010563416.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种光学元件非线性效应I*L值的测试方法及装置，所述方法通过利用焦距小于光学元件厚度的透镜并通过调整光学元件的位置的方法将激光束聚焦在光学元件体内，同时将激光辐照在待测光学元件入射面的激光能量密度调整至小于待测光学元件入射面的激光损伤阈值，模拟出了非聚焦条件下的扰动诱导小尺度自聚焦效应，解决了传统测试方法中由于光学元件入射面损伤先于体内自聚焦成丝损伤发生，因而由光学元件入射面损伤带来的散射、缺陷吸收等激光损耗的问题，不仅提高了测试精度，也为光学元件在高功率激光装置中的安全使用以及提高材料的抗激光损伤能力提供更多的帮助。
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公开(公告)号：CN112467511A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011334304.3
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性频率转换的近场滤波和激光器横模控制系统，它包括激光器端镜、起偏器、增益介质与泵浦源、非线性倍频晶体、双色镜和精密平移台，激光器、非线性频率转换晶体和双色镜组成近场滤波和激光器横模控制系统，本发明还构建了一种基于非线性效应的近场滤波新方法，可控制激光器的横模数量。本发明的系统和方法在非线性频率转换过程中，高阶横模转换效率较低，将会从双色镜泄露出激光器腔，而低阶模在逆向传输过程中将被转换回基频，从而囚禁在激光腔中振荡，最终实现激光器横模控制。
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