公开(公告)号：CN107768364B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201710790797.3

申请日：2017-09-05

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张朋 ,  韩荣刚 ,  张喆 ,  武伟 ,  林仲康 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  王亮 ,  唐新灵 ,  李现兵

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/538

摘要： 本发明公开了一种IGBT集成器件，包括：PCB电路板、开关速度调节电路、多个IGBT芯片，其中，多个IGBT芯片并联组成多个子单元，各子单元中包含至少两个IGBT芯片；多个子单元分别与PCB电路板并联连接；开关速度调节电路设置于PCB电路板上，连接于子单元的栅极驱动电路输入口或输出口，通过开关速度调节电路调节各子单元的IGBT开关速度。每个子单元对应一个开关速度调节电路，确保所有子单元的开关过程一致性，实现芯片的并联均流，避免部分芯片因承受过大电流烧毁，从而使器件电流提升并提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN110379777A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910519900.X

申请日：2019-06-17

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 吴军民 ,  林仲康 ,  张朋 ,  陈中圆 ,  王耀华 ,  武伟 ,  唐新灵 ,  孙帅 ,  张西子 ,  张雷 ,  李现兵 ,  王亮 ,  张喆 ,  韩荣刚 ,  石浩

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L25/065

摘要： 本发明提供一种用于半导体芯片的弹性封装结构，包括上电极、下电极、环形封装结构和多个芯片子单元；多个芯片子单元设置于上电极和下电极之间；环形封装结构密封设置于上电极、下电极侧边且与上电极、下电极构成封闭的管壳结构。本发明能够有效降低封装成本，提高了半导体芯片的环境适应性，且延长了半导体芯片的使用寿命，通用性强，且可最大程度降低半导体芯片失效的封装成本，显著提高半导体芯片封装的良率。本发明中管壳结构为密封结构，可大幅提升半导体芯片对应用环境的适应性，管壳结构内部填充有硅凝胶，可大幅提高半导体芯片绝缘耐压能力，使得半导体芯片的电压等级更高，可靠性更强。

公开(公告)号：CN108231703A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711307492.9

申请日：2017-12-11

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 田丽纷 ,  王亮 ,  李现兵 ,  石浩 ,  张朋 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  张喆

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L21/50

摘要： 本发明提供一种功率器件模组及其制备方法，该功率器件模组包括：功率芯片、第一金属膜及第二金属膜，第一金属膜与第二金属膜分别设置于功率芯片的上表面和下表面，解决了现有压接型功率器件接触热阻和接触电阻较高，从而导致功率器件散热性不佳的问题，减少了功率器件模组早期失效的现象。

公开(公告)号：CN107845617A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710846539.2

申请日：2017-09-19

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 田丽纷 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  石浩 ,  张喆 ,  唐新灵 ,  王亮

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L25/16 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L25/165 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L25/162 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/83203

摘要： 本发明公开了一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法。该芯片烧结品包括第一钼片和第二钼片以及设置于两者间的芯片，第一钼片和第二钼片中至少一个为预制钼片，预制钼片为表面设置预制纳米银膜的钼片，且芯片中至少一面与预制纳米银膜相接触，通过采用预制纳米银膜能有效提高后续加压烧结过程中纳米银颗粒的分布均匀性，避免“咖啡环效应”，降低了热阻。同时保证由其烧结得到的烧结层中分布均匀的纳米级孔洞，通过这些纳米级孔洞能有效降低芯片和钼片间产生的应力，提高芯片烧结品的剪切强度。采用该芯片烧结品的单元和IGBT封装模块具有低的热阻、高的剪切强度，由预制纳米银膜烧结得到的烧结层致密性高，且分布纳米级孔洞。

公开(公告)号：CN107768364A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710790797.3

申请日：2017-09-05

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张朋 ,  韩荣刚 ,  张喆 ,  武伟 ,  林仲康 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  王亮 ,  唐新灵 ,  李现兵

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/538

摘要： 本发明公开了一种IGBT集成器件，包括：PCB电路板、开关速度调节电路、多个IGBT芯片，其中，多个IGBT芯片并联组成多个子单元，各子单元中包含至少两个IGBT芯片；多个子单元分别与PCB电路板并联连接；开关速度调节电路设置于PCB电路板上，连接于子单元的栅极驱动电路输入口或输出口，通过开关速度调节电路调节各子单元的IGBT开关速度。每个子单元对应一个开关速度调节电路，确保所有子单元的开关过程一致性，实现芯片的并联均流，避免部分芯片因承受过大电流烧毁，从而使器件电流提升并提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN107731768A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710806890.9

申请日：2017-09-08

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 唐新灵 ,  李现兵 ,  张朋 ,  张喆 ,  吴鹏飞 ,  武伟 ,  林仲康 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  王亮

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/64 ,  H01L25/07

摘要： 本发明涉及大功率IGBT模块封装技术领域，具体涉及一种IGBT模块封装结构，包括绝缘基板；至少两个IGBT芯片并联支路组，设于所述绝缘基板上；至少两个发射极汇流结构，与所述IGBT芯片并联支路组一一对应地设置于所述绝缘基板上，且多个所述发射极汇流结构之间相互绝缘，每个所述IGBT芯片并联支路组的发射极与其对应的所述发射极汇流结构电气连接；发射极端子母线，设于所述绝缘基板上，与每个所述发射极汇流结构电气连接。本发明提供的IGBT模块封装结构，能够有效抑制关断时刻高频拖尾振荡。

公开(公告)号：CN111709162B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010349978.4

申请日：2020-04-28

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 杜玉杰 ,  韩荣刚 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张西子 ,  张朋 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  王亮 ,  周扬

IPC分类号： G06F30/23 ,  G16C60/00 ,  G06F119/08

摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块中热阻分布计算方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：建立功率半导体模块的仿真模型；获取功率半导体模块的仿真模型对应的第一总热阻仿真值；对仿真模型中的每一层材料层分别执行以下步骤：在仿真模型中对功率半导体模块的对第i层材料层引入传热系数的调整系数ki，获取对第i层材料层引入调整系数ki后功率半导体模块的第i热阻仿真值；根据公式计算得到第i层材料层在功率半导体模块的热阻占比，从而得到功率半导体模块中的热阻分布。本发明解决了现有技术中对功率半导体模块的热阻分布计算过程复杂的问题，通过建立有限元模型，利用单一变量法计算热阻分布，降低计算误差，提高了计算效率。

公开(公告)号：CN114545184A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210159329.7

申请日：2022-02-22

申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 詹雍凡 ,  傅实 ,  李学宝 ,  赵志斌 ,  崔翔 ,  唐新灵 ,  代安琪 ,  王亮 ,  韩荣刚

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法，属于压接型IGBT器件领域，罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号，模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号，通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号，模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号，从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量，减少硬件资源占用，降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性，实现了多芯片电流的跨周期分时测量，同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠，降低了系统运行成本。

公开(公告)号：CN108281406B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201711307494.8

申请日：2017-12-11

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  王亮 ,  唐新灵 ,  李现兵 ,  张朋 ,  张喆

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L25/07 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供了一种功率器件封装结构及其制造方法，该功率器件封装结构包括：第一组件、至少一个发射极上金属片及至少一个功率器件，发射极上金属片与功率器件一一对应设置；第一组件从上至下依次包括发射极顶板、第一弹簧、挡板及第二弹簧，第一弹簧和第二弹簧均为至少一个，且第一弹簧、第二弹簧与发射极上金属片一一对应设置，第一组件为一体成型结构；第一组件设置在至少一个发射极上金属片上，至少一个发射极上金属片设置在至少一个功率器件上，功率器件的发射极位于功率器件的上侧。本发明在实现了弹性电极压接方案的同时，没有增加额外面积，较传统的弹性电极压接方案显著减少了体积。

公开(公告)号：CN110277321A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910467686.8

申请日：2019-05-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 武伟 ,  王亮 ,  张喆 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  张朋 ,  李现兵

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极通过第一封装层固定在同一平面上；将晶圆设置在第一引出电极上，晶圆的第一表面面向第一引出电极的方向；将多个第二引出电极分别设置在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片的可靠性。