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公开(公告)号：CN112687359A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011566248.6
申请日：2020-12-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G16C60/00 , G16C10/00 , G06F30/20 , G06F111/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种纳米电流通道层中绝缘绝热材料与纳米晶粒金属材料的筛选与匹配方法，包括：根据选材原则确定绝缘绝热材料；根据绝缘绝热材料建立晶体模型，对晶体模型进行升温使其融化后再降温至预设的第一温度运行预设的第一时间后获得非晶模型；根据非晶模型计算选定的纳米电流通道材料原子在模型里的形成能、均方位移和径向分布函数；根据形成能、均方位移和径向分布函数筛选适合在绝缘绝热材料中生长聚集的材料。采用本方法筛选的材料制备的纳米电流通道层是含有贯穿该层膜厚的金属纳米晶粒的绝缘绝热层，电流仅通过金属纳米晶粒形成的纳米电流通道在电极层和相变层之间流通；能显著降低相变存储器功耗。
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公开(公告)号：CN110534644B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910816518.5
申请日：2019-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器，超晶格相变存储材料由第一、第二相变层交替堆叠而成；该制备方法包括：提供第一衬底层，在第一衬底层上沉积第一相变层；提供第二衬底层，在第二衬底层及已沉积第一相变层的第一衬底层上同步交替沉积第二相变层、第一相变层，直至第一衬底层和第二衬底层上的相变材料层的总量达到所需层数；在第一衬底层或第二衬底层的最外层沉积第二相变层；采用加压和退火组装的方法将第一衬底层、第二衬底层上的相变层对接在一起；本发明同时在两个衬底上交替沉积超晶格材料，然后将两个衬底上的相变层组装在一起，大大提高超晶格薄膜的生长速率及所用原材料的利用率。
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公开(公告)号：CN110707208A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910902728.6
申请日：2019-09-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于自旋电子学应用领域，公开了一种调整磁隧道结磁各向异性的方法及相应磁隧道结，该调整方法具体是通过在磁隧道结的膜层结构中插入金属夹层来控制电子轨道耦合作用的贡献，从而实现对磁隧道结磁各向异性的调整；初始的所述磁隧道结的膜层结构依次包括势垒层、铁磁层以及非磁性金属覆盖层。本发明基于界面效应，通过加入金属夹层改变Bloch电子态在费米能级附近的分布，进而控制电子轨道间耦合作用项的贡献，实现对磁隧道结磁各向异性的精确调整(如原子磁矩以及磁隧道结的磁各向异性能、磁电系数等)，以满足实际应用中的多种需求。特别的，可以获得足够高的垂直磁各向异性解决自旋转移力矩磁存储器写入功耗过高的问题。
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公开(公告)号：CN106158045B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201610470708.2
申请日：2016-06-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种相变存储裸阵列的选址系统，用于在对相变存储阵列进行性能测试时提供选址控制；包括行选择电路、行控制电路、列选择电路和列控制电路；行控制电路的一端与所述行选择电路连接，行控制电路的另一端用于与相变存储阵列连接；列控制电路的一端与列选择电路连接，列控制电路的另一端用于与相变存储阵列连接；工作时，行选择电路和列选择电路均与半导体特性分析仪连接，半导体特性分析仪用于提供相变存储阵列测试所需的测试信号和激励信号；通过行选择电路和列选择电路实现多路复用高速模拟通道的选通，通过二进制地址码选择所述相变存储阵列的行地址和列地址。
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公开(公告)号：CN106158045A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610470708.2
申请日：2016-06-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种相变存储裸阵列的选址系统，用于在对相变存储阵列进行性能测试时提供选址控制；包括行选择电路、行控制电路、列选择电路和列控制电路；行控制电路的一端与所述行选择电路连接，行控制电路的另一端用于与相变存储阵列连接；列控制电路的一端与列选择电路连接，列控制电路的另一端用于与相变存储阵列连接；工作时，行选择电路和列选择电路均与半导体特性分析仪连接，半导体特性分析仪用于提供相变存储阵列测试所需的测试信号和激励信号；通过行选择电路和列选择电路实现多路复用高速模拟通道的选通，通过二进制地址码选择所述相变存储阵列的行地址和列地址。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633111A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610128791.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/222 , G11C11/15 , G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法；电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构，包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层RL，第一绝缘层为隧穿层I，第二磁性层为自由层FL，第一金属层为非磁金属层NM，第二绝缘层为介电层I*；当在磁隧道结单元的两端施加电压时，电场通过两个绝缘层引入到I/FL和FL/NM界面，从而调控I/FL的界面磁各向异性，并控制FL/NM的界面磁各向异性。写入方法应用了连续施加的双脉冲，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁各向异性的大小，从而减小写入难度，极大降低器件功耗。
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公开(公告)号：CN104218035A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201310214094.8
申请日：2013-05-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的交换耦合作用使得第二自由层磁矩的翻转带动了第一自由层磁矩的翻转；提高了磁隧道结单元中复合自由层的磁化翻转程度，降低了复合自由层的翻转电流密度，并在相同电流密度激励条件下提高了磁隧道结单元的TMR值。
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公开(公告)号：CN103359683A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310288623.9
申请日：2013-07-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MTJ纳米柱阵列的制备方法，包括S1在基底上表面制备电子束光刻对准所需要的定标符；S2根据定标符在基底上表面制备底电极层，底电极层包括多条平行的底电极线；S3在附着有底电极层的基底上表面涂覆一层HSQ，通过电子束曝光对HSQ层进行图形化，在每一条底电极线上形成多个绝缘单元；每一个绝缘单元的中间具有一个孔；S4依次通过光刻、溅射和剥离工艺在绝缘单元的孔内形成磁性多层膜层；磁性多层膜层从下往上依次为自由层、隧穿势垒层、被钉扎层、钉扎层；S5在磁性多层膜层上制备顶电极层并形成MTJ纳米柱阵列。本发明采用HSQ经过电子束曝光形成绝缘层，减少了工艺步骤，大大降低成本，减小工艺误差。
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公开(公告)号：CN102175711A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110004414.8
申请日：2011-01-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明公开了一种热膨胀系数的测量方法及装置，将待测透光材料的上、下表面分别镀一层部分透光部分反光的薄膜，对透光材料加热，加热过程中采用一束单色光入射待测透光材料，单色光在透光材料的上、下表面分别反射，两束反射光产生发生干涉，检测干涉后的反射光功率，找出其反射光功率最大值对应的温度值，确定反射光功率在透光材料预定温度区间的变化周期，最后依据该周期计算得到待测透明材料在该温度区间的热膨胀系数。本发明能准确测量透光材料的热膨胀系数，其测试精确度较高，可有效消除样品架等热膨胀带来的系统误差，使用单一激光源，光路简单，成本低廉，能直观反应各温度区间的热膨胀情况。
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公开(公告)号：CN102142517A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010595047.9
申请日：2010-12-17
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/128 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种低热导率的多层相变材料，两种单层薄膜相变材料交替堆叠形成周期性的多层膜结构，两种薄膜材料至少有一种组成元素不同或由相同的元素组成但原子百分比不同。其作为相变存储器的记录材料能有效降低对某一储存单元进行读写操作时引起的邻近储存单元温升，减小邻近单元之间的热串扰，提高存储器的稳定性并降低器件功耗，且该材料不需引入其他非相变材料，与现有制备技术完全兼容。
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