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公开(公告)号：CN110335924A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910546752.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性、半极性面的可见光通信光源及相应的图形蓝宝石衬底，选取一蓝宝石衬底加工出光栅状条形图案；在刻蚀工艺中讲台阶侧壁的角度进行优化，优化下一步的生长面角度；在此图形化蓝宝石衬底设计阻挡层，采用氧化硅薄膜作为外延阻挡层；利用化学气相外延法依次生长GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层，并公开了其生长方法。本发明利用非/半极性面在Ⅲ族氮化物极化调控上的优势减弱量子限制斯托克效应的影响，增加电子-空穴波函数在实空间上的交叠，提高载流子的辐射复合占比和速率，该方法适用于利用非极性、半极性面技术有效提高可见光通信性能。
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公开(公告)号：CN110311023A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910546744.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用表面等离激元增强LED光通信器件，在InGaN外延片上形成贯穿介质层、p型GaN层，深至电子阻挡层的阵列式纳米柱结构，所述纳米柱之间填充有金属纳米颗粒或纳米柱侧壁上镀有金属膜。并公开了其制备方法。本发明利用金属表面等离激元效应提高LED光源效率、增强光通信的调制宽带，经由PVD蒸镀、高温热处理、RIE、ICP技术制备纳米结构，使得二次蒸镀金属共振波长与多量子阱的发光波长相匹配，配合寿命谱测试结果修正金属周期、种类、尺寸、浓度等，最终将等离激元耦合状态下的载流子降低至皮秒量级。本方法可有效提高LED光源效率、增强光通信的调制宽带，是一种工艺相对简单、成本低且可靠性高的方法。
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公开(公告)号：CN110284198A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910658713.X
申请日：2019-07-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法。本发明公开了一种采用PA-MBE(分子束外延技术)制备高质量单晶GaN纳米线的方法，在Si衬底上先生长岛状AlN成核点，再在岛状AlN成核点上生长GaN纳米线。其特征在于：首先对Si衬底进行退火处理以获得洁净的重构Si表面，然后通过开发和优化AlN的成核层的生长方法和技术来制备岛状AlN成核点，并通优化退火温度和氮化时间来调控其分布及形貌，最后在优化的岛状AlN成核点上制备GaN纳米线。生长过程中，通过固定金属源束流和较高的N2plasma流量来设定Ⅴ/Ⅲ；采用反射高能电子衍射花样对成核过程进行实时原位监测。再通过优化衬底温度来制备质量较高，具有六方形貌的GaN纳米线。
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公开(公告)号：CN110047956A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910336655.9
申请日：2019-04-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器，包括依次设置的蓝宝石衬底、缓冲层、阻挡层、掺杂层、过渡层，过渡层上设有吸收层，在吸收层上刻蚀出双台面结构，在吸收层及双台面结构上沉积钝化层，在钝化层上开窗口，窗口处设置欧姆接触层、肖特基接触层，在器件表面依次设置绝缘层a、挡光层和绝缘层b，并且开孔使欧姆接触层和肖特基接触层露出。并公开了其制备方法。本发明在缓冲层上沉积AlGaN层作为阻挡层，实现器件对具体波长范围为250-280nm的光信号的响应；在阻挡层上沉积一层过渡层，降低了器件体内的晶格失配，可以减小器件暗电流；在器件最上层设计绝缘层a/挡光层/绝缘层b的结构，可提高器件的响应度。
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公开(公告)号：CN109841710A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910293737.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，将硅基GaN Micro-LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro-LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro-LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro-LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108872891A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810430275.7
申请日：2018-05-08
Applicant: 南京大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种测量比例电磁铁动作响应时间和速度的装置，所述继电器用于控制接通/关闭电磁铁电源；所述参考信号采样电路用于记录电磁铁激发信号；所述振动信号采样电路用于采集振动传感器的振动信号；所述记录仪有两个通道，参考信号采样电路接入第一通道，振动信号采样电路接入第二通道，记录仪将采集的两路信号传递给中央处理器，通过上位机显示并分析信号曲线；所述单片机发出阶跃脉冲信号，控制继电器以及记录仪的动作。并公开了测量比例电磁铁动作响应时间和速度的方法。本发明可用于对电磁铁动作响应性能进行有效检测，为不同种类、不同批次、不同个体的电磁铁进行定量分析提供了依据。
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公开(公告)号：CN108520912A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810365349.3
申请日：2018-04-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/22 , H01L33/00 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L33/22 , B82Y40/00 , H01L31/02366 , H01L31/1856 , H01L33/0075
Abstract: 本发明公开了一种基于Ni金属自组装制备AlN纳米图形模板的方法，其步骤包括：(1)清洁AlN衬底模板的表面；(2)蒸镀一层Ni金属薄膜层；(3)步骤(2)样品置于750-900℃的氮气氛围中，快速热退火处理，利用自组装效应使Ni金属薄膜层形成Ni纳米颗粒；(4)利用感应耦合等离子刻蚀步骤(3)中退火后的样品，形成AlN纳米图形模板；(5)清除残留在AlN纳米图形模板上的Ni金属。本发明的制备AlN纳米图形模板的方法可以起到过滤AlN表面位错、释放AlN衬底与后续外延AlGaN之间应力的作用，制得的AlN纳米图形模板能够促进器件薄膜材料的横向外延生长，有利于后续生长高质量低缺陷的高Al组分AlGaN薄膜，有望极大地提高AlGaN光电探测器的光电响应和增益。
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公开(公告)号：CN108330536A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810228701.9
申请日：2018-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法，在C面GaN衬底上生长GaN薄膜，通过控制金属Ga源束流,衬底温度，氮气等离子体(N2plasma)流量和射频功率，生长出高晶体质量，高电子迁移率的单晶GaN薄膜。生长过程中，通过固定金属源束流，设定较低的生长速率；通过调节反射高能电子衍射(RHEED)的恢复时间，判定生长过程中的富Ga状态；通过调节衬底温度使得材料的生长模式从二维台阶生长模式+三维岛状生长模式转变为二维台阶生长模式。
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公开(公告)号：CN104394340B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201410676469.7
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H04N5/378 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种智能APD阵列读出系统装置，包括输入模块A、功率变换模块B、直流变换模块C、APD阵列及智能控制模块D和读出系统E；输入模块A用于对市电输入进行整流滤波；功率变换模块B用于将市电整流滤波后的电压转化为稳定的多路直流电压(正负电压)；直流变换模块C用于将功率变换模块B输出的直流电压进一步转换为读出系统所需的更精确的直流电压；直流变换模块C为智能控制模块D和读出系统E供电。本发明还公开了一种APD阵列成像智能校正方法，包括标准图像采集、图像比对与自动校正三个步骤。本发明精度高、尺寸小，而且智能化。
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公开(公告)号：CN105261668A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510816440.9
申请日：2015-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/03048 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为：AlN模板层、AlxGa1-xN缓冲层、n型AlxGa1-xN层、i型AlyGa1-yN吸收层、n型AlyGa1-yN分离层、i型AlyGa1-yN倍增层、i型AlzGa1-zN倍增层、p型AlzGa1-zN层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x、y、z满足0.2≤z＜y＜x，且y≥z+0.2。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，可明显提高空穴的离化率、降低电子的碰撞离化、降低APD雪崩击穿时的器件噪声，有助于提高APD器件的整体性能。
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