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公开(公告)号：CN106873266B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710261452.9
申请日：2017-04-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1345
摘要： 本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，通过利用桥接结构通过半过孔使相邻两个公共电极实现电性连接，针对沿第一方向排列的每一排桥接结构，其中一部分桥接结构对应的半过孔为第一半过孔，另一部分桥接结构对应的半过孔为第二半过孔。这样设置即使在制程中在第一方向存在工艺偏差时，每一行中还有一部分的公共电极通过桥接结构能够实现电性连接，从而使任意相邻两行公共电极对应的等效电阻一致，从而可以降低画面显示不良的问题。
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公开(公告)号：CN109801848A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910049723.3
申请日：2019-01-18
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498
摘要： 本公开提供一种显示面板、阵列基板、过孔结构及其制备方法。该过孔结构的制备方法包括：提供一设有第一导电层的衬底以及覆盖所述第一导电层和所述衬底的绝缘层；在所述绝缘层对应于所述第一导电层的区域形成凹陷部，所述凹陷部的底部覆盖所述第一导电层；使形成有所述凹陷部的所述绝缘层在预设温度下加热预设时长；去除经过加热的所述绝缘层的所述凹陷部的底部，以得到暴露所述第一导电层的过孔。本公开能够避免过孔的侧壁的坡度变大，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN106206623B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201610851918.6
申请日：2016-09-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
摘要： 本发明实施例公开了一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置。该方案中，由于制作显示基板的过程中，光刻胶薄膜中的完全去除区域距离像素电极的图形与漏极的图形的交叠区域有一定距离，这样，可以限制刻蚀范围无法到达像素电极的图形与漏极的图形的交叠区域对应的绝缘层薄膜，起到了阻挡作用，保护了该区域的绝缘层薄膜不被刻蚀，避免了像素电极的图形与漏极的图形的交叠区域对应的绝缘层薄膜出现孔洞，降低了底切不良的风险，提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN104795400B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510076792.5
申请日：2015-02-12
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 本发明是关于一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示设备领域。所述方法包括：在基板上形成厚度为d的金属图案；在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，绝缘膜层与金属图案存在交叠区域，绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d；在形成绝缘膜层的基板上形成半导体层以及源漏金属层图案。本发明通过使绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d，继而在形成绝缘膜层的基板上形成的其他图案的起伏相应减小，达到了能够减小绝缘膜层上形成的走线的断线率，提高产品良率的效果。
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公开(公告)号：CN107221503A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710409082.9
申请日：2017-06-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示基板。制作方法包括：在衬底基板上依次形成多晶硅图层和保护图层；使用第一刻蚀气体，对保护图层进行刻蚀，得到保护图形；以保护图形为掩膜板，使用第二刻蚀气体，同时对保护图形以及多晶硅图层进行刻蚀，得到多晶硅图形以及保护残留图形，保护图形被第二刻蚀气体刻蚀的速率不小于多晶硅图层被第二刻蚀气体刻蚀的速率；形成非晶硅图形，非晶硅图形与多晶硅图形的刻蚀侧面相接触，露出一部分保护残留图形，多晶硅图形和非晶硅图形共同组成有源层。本发明的方案可以形成刻蚀侧面具有坡度的多晶硅图形，从而获得与非晶硅图形更多的接触面积，可提高薄膜晶体管的电子迁移率。
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公开(公告)号：CN106873266A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710261452.9
申请日：2017-04-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1345
CPC分类号： G02F1/13452
摘要： 本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，通过利用桥接结构通过半过孔使相邻两个公共电极实现电性连接，针对沿第一方向排列的每一排桥接结构，其中一部分桥接结构对应的半过孔为第一半过孔，另一部分桥接结构对应的半过孔为第二半过孔。这样设置即使在制程中在第一方向存在工艺偏差时，每一行中还有一部分的公共电极通过桥接结构能够实现电性连接，从而使任意相邻两行公共电极对应的等效电阻一致，从而可以降低画面显示不良的问题。
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公开(公告)号：CN106784016A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710056294.3
申请日：2017-01-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/32
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置。其中，薄膜晶体管包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；所述有源层包括层叠设置的第一图形和第二图形，所述源极和漏极搭接在所述第二图形上，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成。本发明的薄膜晶体管的前沟道的开态电流Ion较大，后沟道的关态电流Ioff较小，从而能够实现较好的开关比特性。
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公开(公告)号：CN106711154A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710011079.1
申请日：2017-01-06
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1222 , H01L27/1288
摘要： 本发明公开了一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。显示基板包括栅极、位于栅极之上的有源层，以及位于有源层之上的源极、漏极和数据线，其中，源极具有凹形口，漏极与源极相对设置且具有伸入凹形口的条状部，凹形口与条状部的间隙形成U形沟道，数据线搭接于源极远离凹形口的一端。相比现有技术，该方案将数据线搭接于源极远离凹形口的一端，可以使U形沟道底部的透光强度因金属线密度的影响而减弱，达到中和的效果，从而得到较为均一的膜层厚度，进而可以避免沟道短路的现象发生，提高了显示装置的产品品质。
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公开(公告)号：CN106711153A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710011047.1
申请日：2017-01-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/1214 , G02F1/1362 , H01L21/77 , H01L27/1259 , H01L27/127
摘要： 本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板，以降低阵列基板的薄膜晶体管的漏电流，避免包括阵列基板的显示面板出现充电不足，画面保持率低的问题。本申请提供的阵列基板的制备方法，在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层以及有源层的图案之后，还包括：形成至少在第一区域的厚度大于其它区域的光刻胶层的图案，所述第一区域在所述衬底基板上的正投影至少覆盖有源层的沟道区在所述衬底基板上的正投影；去除所述第一区域以外其它区域的光刻胶层；碳化所述第一区域的光刻胶层，形成遮光层的图案。
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公开(公告)号：CN106653776A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710042098.0
申请日：2017-01-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板包括衬底和设置在衬底上的晶体管，晶体管包括栅极和有源层；栅极的面对有源层的一侧面上形成有光线吸收层，光线吸收层能对照射到其上的光线进行吸收。该阵列基板通过在栅极的面对有源层的一侧面上形成光线吸收层，能够将照射到其上的背光光线进行吸收，从而避免照射到有源层上的背光光线反射到栅极上之后，栅极将该部分光线再次反射到有源层，进而减少照射到有源层上的背光光线，以减少背光光线对晶体管的开关特性造成影响，最终确保晶体管的开关稳定性和采用该阵列基板的显示装置的显示效果和可信赖性。
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