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公开(公告)号：CN103681306B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310744256.9
申请日：2013-12-30
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明涉及氮氧硅器件的制作工艺，具体涉及一种平缓光滑侧壁形貌的氮氧硅刻蚀方法。该方法包括氮氧硅材料清洗、光刻、湿法腐蚀氮氧硅、干法刻蚀氮氧硅、去胶，关键的工艺改进是干法刻蚀与湿法腐蚀相结合。本发明改变了以往单独采用湿法腐蚀或干法刻蚀的工艺，从而解决了湿法腐蚀产生的侧蚀导致掩膜条宽变窄的问题和干法刻蚀工艺窗口较窄的问题，该方法可以有效便捷的获得平缓光滑侧壁的氮氧硅刻蚀形貌。
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公开(公告)号：CN105185833A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510624450.2
申请日：2015-09-25
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法，该器件包括：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p+型碳化硅区，所述p+型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；位于所述p+型碳化硅区之间且在所述n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内的n型隐埋沟道；位于所述n+碳化硅源区下且在所述n型隐埋沟道内与所述p+型碳化硅区相对的p型碳化硅区；沟槽栅介质；栅接触；基区接触；源接触；漏接触。本发明在沟槽栅MOSFET结构的基础上，通过反掺杂部分p阱区，以实现用于提供源和漏导电通道的隐埋沟道，避免表面电子有效迁移率低和阈值电压偏高的问题，实现常关型器件。
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公开(公告)号：CN105140283A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510449403.9
申请日：2015-07-28
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L21/0465 , H01L29/0684 , H01L29/66068
摘要： 本发明提供一种碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)功率器件及其制作方法，该器件包括：n型的碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层包含具有一定间隔的含有n型碳化硅源区的p型碳化硅区，所述漂移层上的n型碳化硅外延层，所述外延层被所述n型碳化硅区间隔，所述外延层上的氧化层，所述氧化层上的n型多晶层；自p型碳化硅区上的n型碳化硅外延区延伸至n型漂移层上的n型碳化硅外延区的n型沟道。本发明可减少经过离子注入和高温退火处理后的SiC和栅介质之间的界面态密度，减少器件的性能退化，提高沟道载流子的有效迁移率。本发明方法利用栅接触多晶层作为源离子注入掩膜，简化了碳化硅MOSFET器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN104810273A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410037621.7
申请日：2014-01-26
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31105
摘要： 本发明涉及半导体功率器件制备工艺技术领域，具体涉及一种使碳化硅材料形成不同侧壁形貌的刻蚀方法。该方法包括下述步骤：步骤一：在碳化硅样品上采用气相化学沉积设备沉积刻蚀掩膜层；步骤二：在掩膜层上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；步骤三：使用光刻胶作为腐蚀阻挡层，采用氢氟酸缓冲液对二氧化硅进行湿法腐蚀，湿法腐蚀完成后去除光刻胶；步骤四：使用介质膜作为干法刻蚀阻挡层，采用干法刻蚀机对碳化硅样品进行干法刻蚀；步骤五：干法刻蚀完毕之后去除刻蚀掩膜层。本发明解决现有技术中对SiC材料进行ICP刻蚀所存在的缺点，使碳化硅材料形成不同侧壁形貌。
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公开(公告)号：CN104637793A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410857086.X
申请日：2014-12-31
IPC分类号： H01L21/04
CPC分类号： H01L29/66053 , H01L29/0615 , H01L29/0661 , H01L29/402
摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构的制作方法，其步骤包括：清洗碳化硅衬底；沉积第一掩膜材料；第一掩膜材料图形化；沉积第二掩膜材料；第二掩膜材料图形化；刻蚀碳化硅衬底形成第一凹槽，所述第一凹槽底部和侧壁的转角处形成圆弧形过渡结构；去除第二掩膜材料；刻蚀碳化硅衬底形成第二凹槽，所述第二凹槽底部和侧壁的转角处以及第二凹槽底部与第一凹槽侧壁的转角处形成圆弧形过渡结构，第二凹槽侧壁近似垂直，与碳化硅衬底表面近似成直角；去除第一掩膜材料。通过本发明可有效地降低制作过程中光刻工艺的台阶高度，提高图形线条精度，有利于减小终端结构占用的芯片面积。
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公开(公告)号：CN104616978A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410857018.3
申请日：2014-12-31
IPC分类号： H01L21/04
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L29/66053
摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构的制作方法，所述方法包括步骤：清洗碳化硅衬底；沉积掩膜材料；掩膜材料第一次图形化；刻蚀碳化硅衬底形成第一凹槽，所述第一凹槽底部和侧壁的转角处形成圆弧形过渡结构；掩膜材料第二次图形化；刻蚀碳化硅衬底形成第二凹槽，所述第二凹槽底部和侧壁的转角处以及第二凹槽底部与第一凹槽侧壁的转角处形成圆弧形过渡结构，第二凹槽侧壁近似垂直，与碳化硅衬底表面近似成直角；去除掩膜材料。通过本发明可有效地降低制作过程中光刻工艺的台阶高度，提高图形线条精度，有利于减小终端结构占用的芯片面积。
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公开(公告)号：CN104505338A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410814598.8
申请日：2014-12-24
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02096
摘要： 本发明涉及碳化硅晶片清洗技术领域，特别是一种碳化硅晶片外延前预清洗方法。本发明提供的碳化硅外延预清洗包括：将选择的碳化硅衬底浸入到的H2SO4和H2O2配成的溶液中煮沸后用去离子水冲洗；再次将衬底浸入到的NaOH和Na2O2熔融混合溶液中煮沸，去离子水冲洗后烘干，备用。基于本发明提供的碳化硅衬底经过外延后基面位错密度降低到100/cm2以下，并且方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN103681306A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310744256.9
申请日：2013-12-30
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/30604
摘要： 本发明涉及氮氧硅器件的制作工艺，具体涉及一种平缓光滑侧壁形貌的氮氧硅刻蚀方法。该方法包括氮氧硅材料清洗、光刻、湿法腐蚀氮氧硅、干法刻蚀氮氧硅、去胶，关键的工艺改进是干法刻蚀与湿法腐蚀相结合。本发明改变了以往单独采用湿法腐蚀或干法刻蚀的工艺，从而解决了湿法腐蚀产生的侧蚀导致掩膜条宽变窄的问题和干法刻蚀工艺窗口较窄的问题，该方法可以有效便捷的获得平缓光滑侧壁的氮氧硅刻蚀形貌。
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公开(公告)号：CN103603048A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310279780.3
申请日：2013-07-04
摘要： 本发明提供一种改进碳化硅外延片均匀性的方法，可用来生长厚度均匀的碳化硅外延片。通过在反应腔体的气流下方安装气流阻挡环，然后将碳化硅衬底置于支撑台上，再将反应腔体内加热到外延所需温度，通入反应气体和载气，最终在碳化硅衬底上形成碳化硅外延层。本发明获得的碳化硅外延片厚度更均匀，且装置简单，为改善传统设备最可行和最为廉价的方法，不需要过多的成本投入，利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103715065B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310744241.2
申请日：2013-12-30
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括SiC材料清洗、沉积疏松掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、湿法腐蚀光滑掩膜层、去胶、干法刻蚀SiC材料，关键的工艺改进是干法刻蚀疏松掩膜层与湿法腐蚀光滑掩膜层相结合。本发明改变了以往只采用湿法腐蚀掩膜层工艺，从而解决了湿法腐蚀产生的侧蚀导致掩膜条宽变窄的问题，该方法可以有效便捷的获得平缓光滑侧壁的SiC刻蚀形貌。
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