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公开(公告)号：CN102084301B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200980126339.3
申请日：2009-07-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02282 , C08G77/04 , C08G77/60 , C08L83/04 , G03F7/405 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/0337 , H01L21/3121 , H01L21/3122
Abstract: 本发明的课题在于得到适合于“反式构图”，用于形成覆盖抗蚀图案的膜的理想涂布组合物。为了解决上述课题，使用含有有机聚硅氧烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和季铵盐或季盐的光刻用涂布组合物，或者使用含有聚硅烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和选自交联剂、季铵盐、季盐和磺酸化合物中的至少1种添加剂的光刻用涂布组合物，上述聚硅烷的末端具有硅烷醇基、或该硅烷醇基和氢原子。
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公开(公告)号：CN101322074B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200680045563.6
申请日：2006-12-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02126 , G03F7/0752 , G03F7/11 , H01L21/02282 , H01L21/0273 , H01L21/312
Abstract: 本发明的课题在于提供一种下层膜和用于形成该下层膜的形成下层膜的组合物，所述下层膜在半导体器件制造的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层使用的，根据蚀刻气体的种类而具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，且能够使具有纵横比大的孔的半导体基板的表面平坦化。本发明通过提供下述形成下层膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其是用于在半导体器件制造的光刻工序中通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子。
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公开(公告)号：CN102803324A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080027274.X
申请日：2010-06-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G12/26 , C08G16/02 , C08G61/12 , C08G73/0273 , C08G73/0672 , C08G2261/344 , C08L61/26 , C08L79/02 , C08L79/04 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题在于提供用于半导体器件的制造的光刻工序的具有耐热性的抗蚀剂下层膜和电子构件中使用的具有透明性的高折射率膜。本发明提供了一种聚合物，其含有下式(1)所示的结构单元，式(1)式(1)中，R1、R2、R3和R5分别表示氢原子，R4表示苯基或萘基。还提供含有上述聚合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，以及由其形成的抗蚀剂下层膜。还提供含有上述聚合物的形成高折射率膜的组合物和由其形成的高折射率膜。
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公开(公告)号：CN101048705A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580037032.8
申请日：2005-10-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/312 , H01L21/76808 , Y10S430/111 , Y10S430/115
Abstract: 本发明的课题在于提供，在制造半导体器件的光刻工艺中使用的，具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，用于形成在半导体基板上的孔填充性优异的下层膜的形成光刻用下层膜组合物。本发明的形成光刻用下层膜的组合物，含有环糊精的羟基总数的10％～90％变为醚基或酯基的环糊精化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。
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公开(公告)号：CN108292098B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201680070329.2
申请日：2016-11-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构，(式(1)中，A表示具有至少2个氨基的2价基团，该基团是由下述化合物衍生的基团，所述化合物具有稠环结构并且具有将该稠环上的氢原子取代的芳香族基团，B1、B2各自独立地表示氢原子、烷基、苯环基、稠环基或它们的组合，或者B1与B2可以与它们所结合的碳原子一起形成环。)。
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公开(公告)号：CN106462074B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580030552.X
申请日：2015-05-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种可以形成具有耐蚀刻性、且在具有凹部和/或凸部的表面的填埋性方面优异的抗蚀剂下层膜的新型的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚合物及溶剂，所述聚合物具有下述式(1)或式(2)所表示的结构单元，(式中，X表示亚芳基，n表示1或2，R1、R2、R3及R4分别独立地表示氢原子、羟基、碳原子数1～3的烷基或苯基。)。
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公开(公告)号：CN105027005B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201480005451.2
申请日：2014-02-21
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其通过降低烧成工序中从抗蚀剂下层膜中产生的升华物量且抑制老化，从而具有高保存稳定性。用于解决本发明的课题的方法涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)所示的具有羟基的芳基磺酸盐化合物，(式中，Ar表示苯环或稠合了苯环的芳香族烃环，m1为0～(2+2n)的整数，m2和m3各自为1～(3+2n)的整数，(m1+m2+m3)表示2～(4+2n)的整数。其中，n表示苯环数或芳香族烃环中稠合了的苯环数，为1～6的整数。X+表示NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、季铵离子、锍离子或碘阳离子。)。
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公开(公告)号：CN106133607B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580016776.5
申请日：2015-03-17
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G14/02 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其对用于显现良好的涂布成膜性的光刻中所使用的溶剂具有高的溶解性，并可以减少在成膜时产生的升华物。抗蚀剂下层膜形成用组合物含有酚醛清漆树脂，所述酚醛清漆树脂具有通过含有芳香环的化合物(A)的芳香环结构与芳香族乙烯基化合物(B)的乙烯基的反应而得到的结构基团(C)。
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公开(公告)号：CN105874386B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201480070504.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G12/08 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的在于提供具有良好的硬掩模功能、并能够形成良好的图案形状的抗蚀剂下层膜。本发明提供了用于光刻工序的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过具有仲氨基的芳香族化合物与醛化合物的反应而得的酚醛清漆聚合物。酚醛清漆聚合物为含有式(1)所示的结构单元的聚合物。本发明还提供了半导体装置的制造方法，包括下述工序：利用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进而在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射和显影来形成抗蚀剂图案的工序；利用所形成的抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；利用图案化了的硬掩模对该抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；及利用图案化了的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN107077071A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055292.1
申请日：2015-10-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物具有下述特征：在高低差基板上的平坦化性能优异，向微细孔隙图案填埋的填埋性能良好，可使得成膜后的晶片表面平坦。其解决手段为包含含有下述式(1)表示的单元结构的聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。
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