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公开(公告)号：CN1405864A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN01124119.5
申请日：2001-08-14
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 本发明是有关于一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其步骤如下：首先在已形成栅极及其侧壁的间隙壁的基底上进行一源/漏极离子植入，以在间隙壁侧边的基底内形成源/漏极区。接着在栅极与源/漏极区表面形成自行对准金属硅化层。随后除去部分间隙壁，以形成剖面大致呈三角形的一锐角间隙壁，再对基底进行倾斜口袋离子植入，以在栅极侧边基底内形成口袋掺杂区域，且由控制此倾斜口袋离子植入的能量与角度，以控制口袋掺杂区域的位置与掺质分布，然后再对基底进行倾斜角离子植入，以在栅极侧边与锐角间隙壁下的基底内形成源/漏极延伸区。最后利用热循环工艺调整源/漏极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。
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公开(公告)号：CN1400668A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN01125071.2
申请日：2001-08-02
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 一种金属氧化物半导体，至少包括：栅极、第一掺杂层、第二掺杂层、源极与漏极。具有第一导电性与第一掺杂浓度的第一掺杂层位于底材中并位于栅极下方。具有第一导电性与大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二掺杂层位于第一掺杂层下方。源极与漏极是位于栅极相对的二侧，并且都直接接触到第一掺杂层与第二掺杂层，而且都具有第二导电性。此金属氧化物半导体不具有轻掺杂漏极，但在栅极下方沿垂直方向存在掺杂浓度不同的第一掺杂层与第二掺杂层。
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公开(公告)号：CN1400642A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN01125078.X
申请日：2001-08-07
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：提供一至少包括一底材晶片；形成一渠沟于底材内；形成一闸极于渠沟的底部；形成一间隙壁于闸极的两侧并填满渠沟；植入离子于间隙壁两侧的底材内；进行第一快速加热制程以在底材内形成一源极/漏极区域与一源极/漏极延伸区域；形成一金属层于闸极、间隙壁与源极/漏极区域；进行第二快速加热制程以在闸极与源极/漏极区域上形成一金属硅化物层；及移除金属层。本发明将金属氧化物半导体场效应晶体管的闸极与间隙壁制作在一预先形成在底材内的渠沟内，以降低源极/漏极的接合深度，并降低漏极电压导致源极与通道间电位能下降与贯穿漏电流的效应，避免在后续制程中发生针型漏电流的缺陷。
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公开(公告)号：CN1399386A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN01123713.9
申请日：2001-07-27
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H02H9/00
摘要： 一种静电放电(Electrostatic Discharge；ESD)保护电路，本发明是有关于应用在多电源(Multi－Power)、混合式(Mixed－Voltage)电压的电路的静电放电保护电路。本发明的静电放电保护电路，利用电源选择装置(Voltage Selector)、控制电路和晶体管(Transistor)来组成静电放电保护组件连接独立电源，以及利用静电放电总线(Common ESD Bus)将各静电放电保护组件连接，以将各电源在正常操作时互相隔离，达到各电源能独立操作，而在静电放电时保护电路免受静电放电损害的目的。
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公开(公告)号：CN1393917A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01129650.X
申请日：2001-06-26
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 一种金氧半导体晶体管的制造方法，首先对已形成栅极及其侧壁的间隙壁的基底进行一源/漏极离子植入，在间隙壁侧边的基底内形成源/漏极区；接着在栅极与源/漏极区表面形成自行对准金属硅化层；随后去除部分间隙壁，以形成剖面大致呈三角形的一锐角间隙壁，再对基底进行倾斜角离子植入，在栅极侧边与锐角间隙壁下的基底内形成源/漏极延伸区，然后进行一热循环处理，以调整源/漏极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。
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公开(公告)号：CN118475125A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310138665.8
申请日：2023-02-20
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一基板、一第一电路层、一存储器阵列结构、一接合层、一第二电路层和一第二基板。第一电路层设置在第一基板上，存储器阵列结构设置在第一电路层上，接合层设置在存储器阵列结构上，第二电路层设置在接合层上，第二基板设置在第二电路层上。
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公开(公告)号：CN106158668B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201510146245.X
申请日：2015-03-31
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种制造半导体装置的方法。该方法包含：准备包含多个凸起部形成在一基板上的一晶圆；这些突起部向上突起在基板的一表面并且具有从基板的表面上测量的一高度。此方法更包含决定代表相邻的突起部之间的间隔的分布的一间隔分布，以及基于高度和间隔分布计算一注入角度。此注入角度为基板的一法线方向和一注入方向之间的一角度。此方法也包含以计算的注入角度注入离子。
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公开(公告)号：CN104103317B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201310126077.9
申请日：2013-04-12
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 本发明公开了一种多层储存单元(MLC)的非易失性存储器于编程前根据预先设定的编码表(coding table)来变换阈值电压分布的方法。所述方法包含分组多个储存单元，所述储存单元预先设定具有相同的第一位电压，因而在相同主状态下；接着，如果一预选主状态下的所述储存单元具有相同的预先设定的第二位电压时，分组所述预选主状态下的所述储存单元为相同的次状态；以及提高所述储存单元的所述第一位电压至一电压，所提高的所述储存单元具有最高预先设定的第二位电压，且所述电压高于所述预先设定最高主状态的电压。
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公开(公告)号：CN104103686B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310115335.3
申请日：2013-04-03
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L27/115 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种半导体结构、MOSFET存储单元阵列及该阵列的形成方法，该半导体结构具有：一MOSFET；及一衬底，其容置所述MOSFET。所述MOSFET在所述衬底中具有一栅极、一源极及一漏极。围绕所述MOSFET的一第一衬底区域以应力增强剂掺杂，其中所述应力增强剂经组态以在所述MOSFET的通道中产生一张应力，且所述张应力是沿着通道宽度方向。
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公开(公告)号：CN104766858A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410393833.9
申请日：2014-08-12
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： H02H9/046 , H01L27/0259
摘要： 本发明公开了一种静电放电保护装置，包括PNP晶体管、保护电路与调整电路。PNP晶体管的射极电性连接至焊垫，且PNP晶体管的集极电性连接至接地端。保护电路电性连接在PNP晶体管的基极与接地端之间，并提供一放电路径。当焊垫出现静电讯号时，静电讯号透过放电路径与PNP晶体管导通至接地端。调整电路电性连接在PNP晶体管的射极与基极之间。当电源电压被供应至焊垫时，调整电路依据电源电压提供控制电压至PNP晶体管的基极，以防止PNP晶体管的射极与基极为顺向偏压。
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