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公开(公告)号：CN101236897B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810009449.9
申请日：2008-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02565 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/283 , H01L27/3258 , H01L27/3274 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。
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公开(公告)号：CN102790075A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210298582.7
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/04 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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公开(公告)号：CN100565910C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610006916.3
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/40 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L51/0022 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。
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公开(公告)号：CN111919128B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201980021051.3
申请日：2019-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R31/367 , H01M10/48 , H02J7/00
Abstract: 本发明提供一种即使二次电池发生劣化推测精度也高的二次电池的充电状态推测方法。另外，本发明提供一种在短时间内以低成本高精度地推测出SOC的二次电池的容量测量系统。使用神经网络以便进一步提高通过使用回归模型，例如卡尔曼滤波进行计算处理而获得的SOC的推测精度。在神经网络将通过最优化算法得到的数据用作监督数据，通过使用该神经网络而得的初期参数可以高精度地推测SOC。
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公开(公告)号：CN117666709A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311403649.3
申请日：2017-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种包括大显示区域并提高可携带性的电子设备。此外，还提供提高可靠性的电子设备。本发明的一个方式是一种数据处理装置，包括第一薄膜及面板衬底，至少包括第一框体。面板衬底具有柔性并包括显示区域，第一薄膜具有柔性及可见光透过性。第一框体包括第一狭缝，面板衬底包括夹在第一薄膜和第二薄膜之间的区域，第一狭缝具有容纳该区域的功能，面板衬底和第一薄膜中任一个或两个能够沿着第一狭缝滑动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107851728B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201680043037.X
申请日：2016-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 伊佐敏行
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是减少显示装置的显示不良。提高显示装置的显示品质。本发明的一个方式是包括显示面板和第一导电层的显示装置。显示面板包括具有一对电极的显示元件。一对电极中的靠近于显示面板的一个表面的电极被供应恒定电位。第一导电层被供应恒定电位。当设置在显示面板的另一个表面上的第二导电层接触于第一导电层时，第二导电层也被供应恒定电位。第二导电层包括不与第一导电层固定的部分。
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公开(公告)号：CN104485362B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410649540.2
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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公开(公告)号：CN103987146B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410220695.4
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/3262
Abstract: 简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管，并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置：层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在其上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻形成薄膜叠层体；对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层；使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。
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公开(公告)号：CN102163553B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110048426.0
申请日：2011-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 伊佐敏行
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L21/77
Abstract: 公开了一种高生产率地制造具有高电特性的薄膜晶体管的方法。在用于形成双栅薄膜晶体管的沟道区的方法中，其中该双栅薄膜晶体管包括第一栅电极和面向第一栅电极的第二栅电极且沟道区设置在其间，第一微晶半导体膜在用于形成用非晶半导体填充晶粒间空隙的微晶半导体膜的第一条件下形成，而第二微晶半导体膜在用于促进晶体生长的第二条件下在第一微晶半导体膜之上形成。
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公开(公告)号：CN104485362A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410649540.2
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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