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公开(公告)号：CN103038385A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180029637.8
申请日：2011-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3435
Abstract: 本发明提供一种在成膜处理中附着物的薄膜不剥离的防附着部件和具有该防附着部件的溅射成膜装置。防附着部件(251～254、35)的材质为Al2O3，成膜粒子附着的附着面的算术平均粗糙度为4μm以上10μm以下，附着膜不易剥离。在溅射成膜装置中，将防附着部件(251～254、35)配置在包围靶(211～214)的溅射面(231～234)的外周的位置、包围基板(31)的成膜面的外周的位置。
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公开(公告)号：CN115398029B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202180024562.8
申请日：2021-09-13
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的溅射装置具备：真空腔室、阴极、靶、基板保持部和摆动部。摆动部具有：沿摆动方向延伸的摆动轴；摆动驱动部，用于使所述基板保持部在所述摆动轴的轴线方向上摆动；以及旋转驱动部，设置于所述摆动轴且用于使所述摆动轴转动。旋转驱动部能够使所述基板保持部在水平载置位置和铅直处理位置之间进行旋转动作，所述水平载置位置是载置及取出位于大致水平方向位置的所述被处理基板的位置，所述铅直处理位置是以沿大致铅直方向的方式立起所述被处理基板的被处理面后的位置。所述摆动部具备配置在所述被处理基板的周围且与所述基板保持部同步摆动的防沉积板。
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公开(公告)号：CN109496350B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201880002934.5
申请日：2018-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/673 , B65G49/06 , C23C14/50 , C23C16/458 , H01L21/683
Abstract: 本发明的基板导向件以基板的面沿大致铅直方向的方式设置于大致垂直保持所述基板的载体的载体框架上，并且与所述基板的至少周边端面部相接而支撑所述基板。基板导向件包括：安装在所述载体上的基座；基板支撑部，与保持在所述载体上的所述基板的所述周边端面部接触，并且以能够在沿所述基板的所述面的方向上沿所述周边端面部的法线方向移动的方式安装在所述基座上；和相对于所述基座朝向所述基板对所述基板支撑部施力的施力部件。
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公开(公告)号：CN111417741B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201980006240.3
申请日：2019-06-28
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供了能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非腐蚀区域的发生的技术。本发明是在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜的溅射成膜装置。在本发明中，具有：磁控管发生用的磁石装置10，相对于一个溅射靶材7配置在与溅射面7a相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材7的溅射面7a的方向上移动；内侧屏蔽部21，接近配置在溅射靶材7的外周部的周围，被设为浮动电位；以及外侧屏蔽部22，设置在该内侧屏蔽部21的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。
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公开(公告)号：CN109563615B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201880002937.9
申请日：2018-06-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明的溅射装置为通过溅射法在被处理基板上进行成膜的装置，包括：真空腔室；靶，设置在位于所述真空腔室内的阴极的表面上；基板保持部，以与所述靶相对的方式设置于所述真空腔室内，在所述基板保持部上设置被处理基板；和摇动部，用于使所述基板保持部相对于所述靶能够摇动。所述基板保持部中的所述被处理基板的摇动区域被设定为小于所述靶的溅蚀区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111492088A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201980007096.5
申请日：2019-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/00 , C23C14/34 , H01L21/677
Abstract: 除去真空处理装置中的真空氛围中的灰尘。在真空处理装置（2）的搬运室（10）设置储藏室（12），在储藏室（12）内配置伪基板装置（20），借助带电装置（18）使伪基板装置（20）的捕集体（28）带电，向真空处理室（13a~13d）的内部搬入。各真空处理室（13a~13d）的内部的灰尘由于静电力而被吸附于被搬入的伪基板装置（20）的捕集体（2）。灰尘被捕集的伪基板装置（20）向大气氛围中取出，拆下捕集体（28）来洗涤，使伪基板装置（20）再生。
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公开(公告)号：CN105671500B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610219410.4
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明公开了一种阴极单元，该阴极单元(220)用于成膜装置(200)，包括：多个靶(C1、C2、C3)，设置在成膜空间(50)内，并具有背板(204)、第一母材(205)、第二母材(206)和旋转轴(207)，所述背板具有第一主面(204a)、第二主面(204b)、第一侧面(211)及第二侧面(212)，多个旋转轴(207)以相互平行地排列的方式配置在同一平面内；多个控制部(E1、E2、E3)，使所述旋转轴(207)旋转，并对所述靶(C1、C2、C3)施加用于溅射的电压；多个磁场生成部(H1、H2、H3)，设置在靠近所述背板(204)的远离所述成膜空间(50)的表面的位置，使得在所述背板(204)的靠近所述成膜空间(50)的表面生成特定的分布磁场。
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公开(公告)号：CN105518179B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201380079134.0
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/3455 , H01J37/347
Abstract: 反应性溅射装置具备阴极装置(18)，阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备：扫描部(27)，其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域；以及靶(23)，其形成有烧蚀区域，扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域，在开始位置(St)上，扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上，靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。
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公开(公告)号：CN105555996B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480047603.5
申请日：2014-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/568 , H01J37/32908 , H01J37/342 , H01J37/3435 , H01J37/3444
Abstract: 基板处理装置具备框体(21)以及位于框体内部的中空的摆动臂(23)。摆动臂包括与框体连接的中空的摆动中心轴部(23a)以及作为摆动端的中空的连结轴部(23b)。进一步，基板处理装置具备处理部(22)，该处理部(22)位于框体内部，并且在与基板面对的处理空间，沿与摆动中心轴部的轴向(P)正交的方向移动而对基板实施处理。处理部以追随处理部的移动而使连结轴部(23b)能够与处理部平移的方式与连结轴部连结。因此，通过处理部(22)的移动而使摆动臂线路，该连接线路位于摆动臂(23)内部，通过摆动中心轴部(23a)内部而与位于框体外部的共用设备连接、且通过连结轴部(23b)内部而与处理部连接。(23)进行摆动。进一步，基板处理装置具备连接
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