-
公开(公告)号：CN103503117A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280020062.8
申请日：2012-03-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/7869
Abstract: 在采用了氧化物半导体层的显示装置中，提供一种可有效地防止保护膜形成时的等离子处理中的Cu布线的氧化的技术。本发明的布线构造在基板之上从基板侧起依次具备薄膜晶体管的半导体层（氧化物半导体）、Cu合金膜（第一层（X）和第二层（Z）的层叠构造）和保护膜。第一层（X）由纯Cu等电阻率低的元素构成，第二层包含抗等离子氧化性提高元素。第二层（Z）的至少一部分与所述保护膜直接连接。
-
公开(公告)号：CN102792451A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180012956.8
申请日：2011-04-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供一种在薄膜晶体管的半导体层使用氧化物半导体时，薄膜晶体管的开关特性及应力耐受性良好的薄膜晶体管的半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中的至少一种元素。
-
公开(公告)号：CN100511687C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610009047.X
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种显示器，其中Al合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金属的情况下直接连接，并且部分或全部Al合金组分沉积或富集在所述Al合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面上。所述Al合金膜包括作为合金组分的0.1～6at%的选自Ni，Ag，Zn，Cu和Ge中的至少一种元素，以及还包括1)0.1～2at%的选自Mg，Cr，Mn，Ru，Rh，Pd，Ir，Pt，La，Ce，Pr，Gd，Tb，Sm，Eu，Ho，Er，Tm，Yb，Lu和Dy中的至少一种元素，或2)0.1～1at%的选自Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的至少一种元素。
-
公开(公告)号：CN100373249C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510064947.X
申请日：2005-04-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/133 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/124
Abstract: 一种显示装置，它包括绝缘基材、安置在绝缘基材上的薄膜晶体管、包含透明电极的象素电极以及作为用于电连接薄膜晶体管和象素电极之间的连接线路部分的铝合金膜。所述铝合金膜是包括不含氮铝合金层以及安置在第一层上并含有氮的另一个铝合金层的多层铝合金层膜。所述含氮层保证了对碱溶液的耐腐蚀性。所述含氮铝合金层至少在与象素电极的连接区域中被去除，以使象素电极直接连接第一铝合金层。
-
公开(公告)号：CN1315003C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200310123124.0
申请日：2003-12-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G02F1/133553 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , Y10T428/12 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件用以下部分构成：由金属氧化物构成的第一电极；与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极；这里，在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在，所述铝合金膜，含有0.1～6原子%的从由Au、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Sm、Ge、Bi构成的一组中选择的至少一种作为合金成分。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1917218A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610114890.4
申请日：2006-08-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/458 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中，所述源极/漏极电极包括铝合金薄膜，所述铝合金含0.1－6原子％的镍作为合金元素，并且直接连接到所述的薄膜晶体管半导体层上。
-
公开(公告)号：CN1916234A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610115612.0
申请日：2006-08-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/42 , C23C16/513
CPC classification number: H01L23/49586 , C23C16/401 , H01L23/3142 , H01L2924/0002 , H01L2924/1433 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 电子元件用铜基片包括含有烃基和羟基至少之一的氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜被设置在铜基片的表面上。另外，含硅反应气体通过产生等离子体而分解。使所得分解产物与所述铜基片接触以在所述铜基片表面上形成氧化硅薄膜。
-
-
公开(公告)号：CN1683980A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510064947.X
申请日：2005-04-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/133 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/124
Abstract: 一种显示装置，它包括绝缘基材、安置在绝缘基材上的薄膜晶体管、包含透明电极的象素电极以及作为用于电连接薄膜晶体管和象素电极之间的连接线路部分的铝合金膜。所述铝合金膜是包括不含氮铝合金层以及安置在第一层上并含有氮的另一个铝合金层的多层铝合金层膜。所述含氮层保证了对碱溶液的耐腐蚀性。所述含氮铝合金层至少在与象素电极的连接区域中被去除，以使象素电极直接连接第一铝合金层。
-
公开(公告)号：CN1624176A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410100020.2
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/185 , C23C14/3414 , Y10T428/12896
Abstract: 本发明提供一种兼有低电阻率、高耐热性的FPD用Ag基合金配线电极膜、以及用于形成该Ag基合金配线电极膜的FPD用Ag基合金溅射靶、以及具备该Ag基合金配线电极膜的FPD。本发明的FPD用Ag基合金配线电极膜，在有源型FPD的情况下，构成连接到用于使其驱动的TFT2上的配线电极膜(3)、(4)、(5)、(6)、(7)。所述配线电极膜，由含有0.1～4.0at％的Nd、和/或0.01～1.5at％的Bi、剩余部分实质上由Ag构成的Ag基合金形成。除了Nd之外，所述Ag基合金还可以含有合计0.01～1.5at％的选自由Cu、Au、Pd构成的物质组中的一种或者两种以上元素。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
127
records
(took 0.05 seconds)
