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公开(公告)号：CN104465736B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410742995.9
申请日：2014-12-08
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/28 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，具有低寄生电容和低反向泄漏电流的优点。利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管单元及其阵列的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN104538443A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410742658.X
申请日：2014-12-08
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/0603 , H01L29/42368
摘要： 本发明涉及一种非单一衬底绝缘层厚度的高性能SOI无结晶体管，所采用的SOI晶圆绝缘层厚度在一个晶体管单位长度内不为单一值，本发明通过适当增加源区、漏区附近的SOI晶圆的绝缘层的厚度，显著降低了源区、漏区电阻，并显著提升了器件的正向导通特性。本发明通过适当减薄对应于栅电极下方的SOI晶圆的绝缘层厚度，实现了衬底电压调节作用的局部增强，降低了辅助栅极控制所需要的衬底电压偏置，实现低衬底电压控制。通过优化SOI晶圆的绝缘层较厚部分和较薄部分的相对位置及尺寸，有效减小了栅电极反偏时器件沟道与漏电极交界处附近的由于带间隧穿所导致的反向泄漏电流，因此适于推广应用。
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公开(公告)号：CN104485354A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410742784.5
申请日：2014-12-08
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/66325
摘要： 本发明涉及一种SOI衬底折叠栅绝缘隧穿增强晶体管，在基区两侧和上表面同时具有绝缘隧穿结构，在栅电极的控制作用下使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧和上表面，因此提升了隧穿电流的产生率；对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种SOI衬底折叠栅绝缘隧穿增强晶体管单元及其阵列的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN104282751A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310590300.5
申请日：2013-11-20
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/7831 , H01L29/1037 , H01L29/4236
摘要： 本发明涉及一种高集成度高迁移率源漏栅辅控型无结晶体管，采用源漏控栅电极和栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，使得器件既能够保证在低掺杂浓度的沟道内实现高迁移率，避免高掺杂浓度下随机散射效应增强所导致的器件迁移率及稳定性下降，同时又可以通过源漏控栅电极和栅电极的独立控制作用获得较低的源漏电阻，从而有效解决了普通无结晶体管沟道掺杂浓度过低会带来源漏电阻的增加，而掺杂浓度过高又会导致器件迁移率和稳定性下降这二者之间的矛盾，此外，通过采用凹槽状沟道设计，对比于普通平面结构，在不增加额外芯片面积的前提下，显著增加有效沟道长度以降低器件在深纳米尺度下的短沟道效应，因此适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN103604538A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310635292.1
申请日：2013-11-29
申请人： 沈阳工业大学
摘要： 本发明公开了一种基于SOI技术的MEMS压力传感器及其制造方法，适用于测量绝对压力，包括单晶硅衬底，在单晶硅衬底的凹槽上设置平坦型弹性膜片，弹性膜片边缘设置腐蚀孔，弹性膜片与硅衬底凹槽构成密闭空腔，在弹性膜片上面设有四个单晶硅应变电阻，各单晶硅应变电阻之间以及它们与弹性膜片之间采用绝缘介质隔离，四个应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥，将压力转换成电压输出。本发明具有体积小、重复性和迟滞性好、灵敏度高、工作温度范围宽、制造工艺与集成电路工艺兼容等特点。
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公开(公告)号：CN103500762A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310474844.5
申请日：2013-10-12
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/1037 , H01L29/66477
摘要： 本发明公开了一种具有U形管状沟道的无PN结晶体管及其制造方法，在SOI晶圆表面的晶圆氧化层上方形成具有三维几何特征的U形管状沟道的硅体、U形管状沟道的硅体的表面形成的具有三维几何特征的二氧化硅绝缘层、绝缘层表面形成的具有三维几何特征的栅电极、以及在U形管状沟道的硅体两端的垂直沟道部分的上表面形成源电极和漏电极。由于U形管状沟道的硅体的内部具有统一的掺杂类型，因而无需形成PN结。从晶圆表面俯视观看，栅电极呈汉字“日”字型。本发明具有集成度高、工艺简单等优点，适合于深纳米级集成电路的制造，适于推广应用。
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公开(公告)号：CN112461413A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011274453.5
申请日：2020-11-15
申请人： 沈阳工业大学
摘要： 本发明属于微机电系统领域，涉及一种一体化微悬臂梁检测芯片，包括有基底，基底的上端向内开有检测池底槽，基底上设有基于惠斯通电桥的检测信号提取电路，基底的上端制备有封顶，封顶将基底、基于惠斯通电桥的检测信号提取电路全覆盖，基于惠斯通电桥的检测信号提取电路的微悬臂梁参比传感器和微悬臂梁检测传感器位于封顶和基底的检测池底槽形成的检测池内，基底和封顶的两侧分别组合成为进液口和出液口。本发明解决了传统MEMS技术在整合电学、机械、生物和化学等多种类、多功能器件，低成本制备精密检测仪器时遇到的难题。
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公开(公告)号：CN110711613A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911049939.6
申请日：2019-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： B01L3/00 , G01N1/34 , G01N1/40 , G01N27/416
摘要： 本发明属于微机电系统领域，涉及一种以微悬臂梁传感器为核心的微全分析系统芯片，该芯片2个进液口通过U-型进液通道与微混合器连通，微混合器的另一端与固相萃取柱的进液端连接，固相萃取柱内填充有选择性吸附剂，固相萃取柱的出液端通过圆形沟道与梯形检测池连接，检测池的底部与放置在传感器仓中的微悬臂梁传感器接触，微悬臂梁传感器通过放置在电极引线仓中的电极引线与电化学工作站连接，检测池与废液池通过废液沟道连通，废液池设有出液口。其体积小、灵敏度高、检测重现性与稳定性好、集成化程度高、主要部件可回收。
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公开(公告)号：CN104538443B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410742658.X
申请日：2014-12-08
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种非单一衬底绝缘层厚度的高性能SOI无结晶体管，所采用的SOI晶圆绝缘层厚度在一个晶体管单位长度内不为单一值，本发明通过适当增加源区、漏区附近的SOI晶圆的绝缘层的厚度，显著降低了源区、漏区电阻，并显著提升了器件的正向导通特性。本发明通过适当减薄对应于栅电极下方的SOI晶圆的绝缘层厚度，实现了衬底电压调节作用的局部增强，降低了辅助栅极控制所需要的衬底电压偏置，实现低衬底电压控制。通过优化SOI晶圆的绝缘层较厚部分和较薄部分的相对位置及尺寸，有效减小了栅电极反偏时器件沟道与漏电极交界处附近的由于带间隧穿所导致的反向泄漏电流，因此适于推广应用。
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