公开(公告)号：CN109983579B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN201780070841.1

申请日：2017-11-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 古川明 ,  安藤良洋 ,  富樫秀晃 ,  古闲史彦

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L51/44 ,  H01L51/42

Abstract: 提供了一种包括通过层叠第一电极、光电转换层和第二电极而形成的光电转换单元的摄像元件。所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被设置成与所述第一电极间隔开并且被设置成经由绝缘层面对所述光电转换层。所述光电转换单元由N个光电转换单元段形成，并且这同样适用于所述光电转换层、所述绝缘层和所述电荷存储电极。第n个光电转换单元段由第n个电荷存储电极段、第n个绝缘层段和第n个光电转换层段形成。随着n增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远。所述绝缘层段的厚度从第一个光电转换单元段到第N个光电转换单元段逐渐变化。

公开(公告)号：CN112385042A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980045788.9

申请日：2019-07-01

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  竹尾萌枝 ,  西田翔 ,  山元纯平 ,  福冈慎平 ,  重歳卓志

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/30 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H01L21/3205

Abstract: 本公开的实施例的摄像元件包括：半导体基板，其具有彼此相对的一个表面和另一个表面，并具有在一个表面和另一个表面之间贯通的通孔；第一光电转换单元，其设置在半导体基板的一个表面上方；贯通电极，其与第一光电转换单元电连接，并在通孔内贯通半导体基板；第一电介质膜，其设置在半导体基板的一个表面上并具有第一膜厚；以及第二电介质膜，其设置在通孔的侧面上，并具有小于第一膜厚的第二膜厚。

公开(公告)号：CN112119500A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201980031496.X

申请日：2019-04-19

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 定荣正大 ,  村田贤一 ,  古闲史彦 ,  八木岩 ,  平田晋太郎 ,  富樫秀晃 ,  齐藤阳介

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H01L27/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H04N5/374

Abstract: 提供了一种具有像素晶体管和配线的固态摄像元件及其制造方法，固态摄像元件在抑制制造成本增加的同时，能够从层叠的光电转换膜有效地输出并传输像素信号。提供了这样的固态摄像元件，其包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上；及控制单元，被设置成与第一光电转换单元层叠，且包括用于控制第一光电转换单元的多个像素晶体管，其中，第一光电转换单元包括：第二电极；第一光电转换膜，设置在第二电极的上方，并且将光转换为电荷；以及第一电极，设置在第一光电转换膜上，多个像素晶体管包括放大晶体管，放大晶体管对电荷进行放大并将电荷作为像素信号输出，并且放大晶体管的沟道形成区由氧化物半导体层形成。

公开(公告)号：CN105409002B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201480042659.1

申请日：2014-08-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/00 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供了一种固态成像元件，所述固态成像元件包括：设置在半导体基板的第一面侧的至少一个光电转换元件；在所述半导体基板的第一面和第二面之间形成并且与所述至少一个光电转换元件连接的贯通电极；和设置在所述半导体基板的第二面上的放大晶体管和浮动扩散部。所述至少一个光电转换元件经由所述贯通电极与所述放大晶体管的栅极和所述浮动扩散部连接。

公开(公告)号：CN108604592A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680080729.1

申请日：2016-11-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  中西康辅

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在半导体基板的第一表面侧；贯通电极，其通过在半导体基板的厚度方向上贯通半导体基板而设置，并将在半导体元件中获得的电荷引入半导体基板的第二表面侧；以及放大晶体管，其基于由贯通电极如此引入的电荷而输出电信号，放大晶体管将贯通电极用作栅电极并包括贯通电极周围的源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：CN102881698B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210232192.X

申请日：2012-07-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 城户英男 ,  榎本贵幸 ,  富樫秀晃

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供能增加饱和电荷量的固体摄像器件及其制造方法以及电子设备，该固体摄像器件包括：第一光电二极管，其包括形成于半导体基板的第一主面侧的第一个第一导电型半导体区和与第一个第一导电型半导体区相邻形成于半导体基板内的第一个第二导电型半导体区；第二光电二极管，其包括形成于半导体基板的第二主面侧的第二个第一导电型半导体区和与第二个第一导电型半导体区相邻形成于半导体基板内的第二个第二导电型半导体区；和栅极，其形成于半导体基板的第一主面侧，第二个第一导电型半导体区和第二个第二导电型半导体区之间的连接面的杂质浓度等于或大于第二个第二导电型半导体区的与第二个第一导电型半导体区相反侧的层的连接面的杂质浓度。

公开(公告)号：CN206992154U

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201720194725.8

申请日：2017-03-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  古闲史彦 ,  山口哲司 ,  平田晋太郎 ,  渡部泰一郎 ,  安藤良洋

IPC: H01L51/44 ,  H01L27/30

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本实用新型提供了一种成像元件和电子设备。所述成像元件可包括：基板，所述基板具有第一光电转换单元；以及第二光电转换单元，所述第二光电转换单元位于所述基板的光入射侧。所述第二光电转换单元可以包括：光电转换层；第一电极；位于所述光电转换层上方的第二电极；第三电极；以及位于所述第三电极与所述光电转换层之间的绝缘材料，其中，所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利