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公开(公告)号：CN118545675A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410212227.6
申请日：2024-02-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 一种用于制造微电子机械结构元件(33)的方法，其包括以下方法步骤。在第一衬底(1)的上侧(2)上构造晶格结构(4)。在第一衬底(1)中以及晶格结构(4)下方的区域中产生空腔(8)，晶格结构(4)保留在所述上侧(2)上并且跨越空腔(8)。将封闭层(11)布置在所述晶格结构(4)的区域中，封闭所述空腔(8)。将层序列(19)布置在封闭层(11)上以及空腔(8)上方。通过使层序列(19)结构化来构造功能结构。设立穿过层序列(19)延伸至空腔(8)的进入通道(26)。将第二衬底(28)与第一衬底(1)连接，使得将功能结构包封在空穴(29)中，所述空穴经由进入通道(26)与空腔(8)连接。
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公开(公告)号：CN118139810A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280070850.1
申请日：2022-10-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： H·韦伯 , S·马赫 , P·施莫尔林格鲁贝尔
Abstract: 本发明涉及一种用于传感器装置或者麦克风装置的微机械构件，该微机械构件具有能调整地布置在凹腔(98)上和/或其中的、由硅制成的致动器电极(46)和布置在所述凹腔(98)中的、由硅制成的定子电极(52)，所述定子电极紧固在绝缘层(70)上，在凹腔(98)中存在真空或者至少一种气体，绝缘层(70)至少在定子电极(52)的远离致动器电极(46)定向的侧上限界凹腔(98)，定子电极(52)通过至少一个穿过绝缘层(70)伸出的、由硅制成的支撑结构(72)紧固在绝缘层(70)上，使得在定子电极(52)和绝缘层(70)之间存在至少一个中间间隙(100)，所述中间间隙具有真空或者凹腔(98)的至少一种气体。
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公开(公告)号：CN116349005A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180072460.3
申请日：2021-10-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L21/763
Abstract: 本发明提出一种用于制造埋层层结构的方法和一种相应的埋层层结构。所述方法具有步骤：提供由衬底材料构成的、第一导电类型(n)的单晶衬底(S)，所述单晶衬底具有上侧(O)和下侧(S)；在所述上侧(O)中或者在所述单晶衬底(S)的上侧(O)上的框架结构(MS)中形成至少一个凹陷部(V)，所述凹陷部具有至少一个壁区域(W)和底部(B)，其中，所述单晶衬底(S)至少在所述至少一个凹陷部(V)的底部(B)处裸露；在所述至少一个凹陷部(V)和所述至少一个凹陷部(V)的外围区域中形成由所述衬底材料构成的、第二导电类型(p)的第一层(P1)，所述第二导电类型的第一层至少在所述单晶衬底(S)的裸露的上侧(O)上在所述凹陷部(V)的底部(B)处单晶地形成；在所述第二导电类型(p)的第一层(P1)上外延生长由所述衬底材料构成的、所述第一导电类型(n)的至少一个第一层(N1)，所述第一导电类型的至少一个第一层在所述第一层(P1)的单晶区域上单晶地生长，以至少区域式地填充所述凹陷部(V)；将得到的结构背面减薄，从而所述第二导电类型(p)的第一层(P1)形成第一埋层并且所述第一导电类型(n)的第一层(N1)形成集成式电路元件(SE1)的第一形成区域，所述第一形成区域至少区域式地盆形地被所述第一埋层层结构包围。
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公开(公告)号：CN113120852A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110046944.2
申请日：2021-01-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于传感器或麦克风设备的微机械组件，其具有膜片载体结构、构造在膜片载体结构中并与膜片内侧邻接的空腔和分离沟道，膜片载体结构具有构造在膜片载体结构的表面上的膜片，分离沟道穿过膜片载体结构的表面地结构化并且延伸至空腔并完全包围膜片，分离沟道通过至少一种分离沟道封闭材料以介质密封的方式和/或以空气密封的方式被密封，至少一个蚀刻通道在所述膜片载体结构中与分离沟道分开地构造，其分别从其第一蚀刻通道区段延伸至其第二蚀刻通道区段，第一蚀刻通道区段通到所述空腔中，第二蚀刻通道区段分别通过至少构造在膜片载体结构的表面的外部部分面上的至少一个蚀刻通道封闭结构以介质密封和/或空气密封的方式密封。
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公开(公告)号：CN103771333B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201310507867.1
申请日：2013-10-24
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00015 , B81B3/0018 , B81B7/0058
Abstract: 本发明提出一种用于罩的制造方法，通过所述方法在具有MEMS构件的垂直混合集成部件的框架中不仅可以实现具有低空穴内压的相对较大的空穴容积而且可以实现MEMS构件的微机械结构的可靠过载保护。按照本发明，在多级的各向异性的刻蚀工艺中在面状的罩衬底中产生罩结构，所述罩结构包括至少一个装配框和罩内侧上的至少一个止挡结构，所述至少一个装配框具有至少一个装配面，所述至少一个止挡结构具有至少一个止挡面，其中，对于多级的各向异性的刻蚀工艺以至少两个由不同材料构成的掩蔽层掩蔽罩衬底的表面；其中，如此选择至少两个掩蔽层的布局和刻蚀步骤的数量和持续时间，使得装配面、止挡面和罩内侧位于罩结构的不同的面水平上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241228B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410275934.6
申请日：2014-06-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/481 , B81C1/00238 , B81C3/001 , B81C2203/0109 , B81C2203/0792 , G01C19/5783 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于ASIC构件中的穿通接触部的实现方案，所述ASIC构件能够简单地集成在ASIC衬底的CMOS工艺中。所述ASIC构件(120)具有有效的前侧，在所述有效的前侧中实现电路功能(20)。所述至少一个穿通接触部(15)应建立所述有效的前侧与所述构件背侧之间的电连接。根据本发明，在前侧通过至少一个完全填充的前侧沟槽(151)限定所述穿通接触部(15)，而在背侧通过至少一个没有完全填充的背侧沟槽(154)限定所述穿通接触部。所述背侧沟槽(154)通到经填充的前侧沟槽(151)中。
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公开(公告)号：CN103515352B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201310421157.7
申请日：2013-06-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/7682 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于制造构件的方法和具有带有敷镀通孔的半导体衬底的构件，其中，敷镀通孔被空槽围绕，其中，半导体衬底在一个面上具有第一层，其中，第一层在该第一面上覆盖空槽，其中，半导体衬底在第二面上具有第二层，其中，第二层在该第二面上覆盖空槽，其特征在于，敷镀通孔被环形结构围绕，其中，环形结构由半导体衬底制成并且所述围绕该环形结构的空槽被优选在与用于敷镀通孔的空槽相同的过程步骤中或者说同步／同时地制成。
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公开(公告)号：CN103282819B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201180062985.5
申请日：2011-11-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G02B7/1821 , G02B26/085 , G02B26/101 , G02B26/105 , G02B26/12
Abstract: 本发明涉及一种可磁驱动的微镜，其具有设置在第一平面中的外框架（205）、线圈体（202）和扭转弹簧（203），其中所述扭转弹簧（203）具有旋转轴线，其中所述线圈体（202）借助所述扭转弹簧（203）可围绕所述旋转轴线旋转运动地与所述外框架（205）连接，所述可磁驱动的微镜具有镜元件（305），其设置在与第一平面平行的第二平面中，其中所述镜元件（305）借助中间层（250）与所述线圈体（202）连接。本发明还涉及一种具有第一可磁驱动的微镜和第二可驱动的镜的二维扫描仪和一种用于制造微镜的方法。
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公开(公告)号：CN120024866A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411671749.9
申请日：2024-11-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于对在单晶硅半导体基底中形成的空腔中无支撑地布置的硅结构进行应力补偿的方法，该方法包括下列步骤：在所述单晶硅半导体基底中通过所述硅半导体基底的跨越空腔的单晶硅半导体层形成空腔，如此形成多晶硅半导体层，使得其直接在所述单晶硅半导体层上至少区段地布置，通过对跨越所述空腔的单晶硅半导体层和/或对所述多晶硅半导体层进行结构化，形成至少一个无支撑的、在所述空腔的区域中布置并且经由至少一个附接结构与围绕所述空腔的硅半导体基底连接的硅结构。本发明还涉及一种半导体元件以及一种传感器。
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公开(公告)号：CN119619407A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411274870.8
申请日：2024-09-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于确定传感器设备(100、200、300、400、500、600、700)的环境中的氢气浓度的传感器设备(100、200、300、400、500、600、700)，其中，所述传感器设备(100、200、300、400、500、600、700)具有衬底(110、210、310、410、510、610、710)和至少部分含钯的测量结构(120、220、320、420、520、620、720)，所述测量结构能够通过接触导体电路(130、230、330、430、530、630、730)被电接触并且布置在所述衬底(110、210、310、410、510、610、710)上，使得所述测量结构(120、220、320、420、520、620、720)的表面的超过60％、尤其是超过80％裸露，其中，所述传感器设备(100、200、300、400、500、600、700)设立为用于，检测所述测量结构(120、220、320、420、520、620、720)的电测量参量并且根据检测到的电测量参量确定所述氢气浓度。
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