公开(公告)号：CN111710624A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010189477.4

申请日：2020-03-18

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 松下淳 ,  长岛裕次 ,  土持鹰彬 ,  秋本纱希 ,  林航之介

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供能够抑制基板尺寸的缩小的基板处理装置以及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(10)具备：支承作为蚀刻对象的基板(W)的工作台(30)、使热塑性树脂软化的加热器(51a1)或加热器(52a)、以及供给喷嘴(52)，相对于由工作台(30)支承的基板(W)相对移动，将由加热器(51a1)或加热器(52a)软化后的热塑性树脂供给至由工作台(30)支承的基板(W)的外周端部(A1)。

公开(公告)号：CN110114857A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201780081004.9

申请日：2017-12-27

申请人： 芝浦机械电子株式会社 ,  中兴化成工业株式会社

发明人： 滨田崇广 ,  林航之介 ,  长岛裕次 ,  神山洋辉

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 本发明提供一种基板处理装置(10)，其是对半导体晶圆(W)的被洗涤面(Wa)进行洗涤的基板处理装置(10)，其具备：能够保持半导体晶圆(W)的旋转夹头(21)、与保持于旋转夹头(21)上的半导体晶圆(W)的被洗涤面(Wa)相对配置且使多孔质的氟树脂的纤维相对于半导体晶圆(W)的表面朝向垂直方向形成的洗涤刷(41a)、使旋转夹头(21)以上述基板的被洗涤面(Wa)的法线方向作为基板旋转轴进行旋转驱动的旋转发动机(44)、和对保持于旋转夹头(21)上的半导体晶圆(W)的被洗涤面(Wa)供给洗涤液(L)的喷嘴管(45)，为了使颗粒除去力增加，可以使用试剂作为洗涤液、或者将洗涤液加热，同时进行广范围的颗粒除去。

公开(公告)号：CN105283942B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201480030224.5

申请日：2014-03-20

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  松嶋大辅

IPC分类号： H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  H01L21/683

摘要： 本发明提供一种贴合装置，根据本发明的实施方式，其贴合第1基板与第2基板，其特征为，具备：保持第2基板的基板保持部；通过进行上升动作而对所述第2基板的背面进行加压的压头；及具有支撑爪的基板支撑部，支撑爪支撑能够以与所述第2基板隔着规定间隔而相对的方式被保持的第1基板的周缘部，所述压头对对应于如下位置的所述第2基板的规定一点进行加压，在该位置处所述第1基板的贴合面与所述第2基板的贴合面的距离小于从所述第1基板的贴合面的周端部到所述第2基板的贴合面为止的距离。

公开(公告)号：CN105593971B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201480053045.3

申请日：2014-09-24

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 金井隆宏 ,  松井绘美 ,  林航之介

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供一种基板处理装置、贴合基板的剥离方法以及粘接剂的除去方法，实施方式所涉及的基板处理装置具备：处理槽，贮存浸渍处理物的处理液；搬运部，搬运所述处理物；及温度控制部，设置在所述处理槽与离开所述处理槽的位置当中的至少一方，对所述处理物进行加热与冷却当中的至少一个。所述处理物是，具有设备基板、支撑基板、设置在所述设备基板与所述支撑基板之间的粘接剂的贴合基板，及附着有所述粘接剂的所述设备基板，及附着有所述粘接剂的所述支撑基板当中的至少一个。

公开(公告)号：CN107256823A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710206347.5

申请日：2017-03-07

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 齐藤裕树 ,  林航之介 ,  大田垣崇 ,  长岛裕次

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L2221/67

摘要： 本发明的基板处理装置及基板处理方法通过高效地生成亚硝酸，生成具有适合蚀刻的亚硝酸浓度的蚀刻液，提高了蚀刻的效率。该基板处理装置(10)使用含有氢氟酸及硝酸的蚀刻液(L)对半导体晶片(W)进行处理，其具备：储存蚀刻液(L)的储存箱(210)、测量蚀刻液(L)中的亚硝酸的浓度的浓度传感器(256)、向蚀刻液(L)供给IPA而将亚硝酸的浓度维持在规定值以上的醇供给部(310)、将储存箱(210)内的蚀刻液(L)向半导体晶片(W)供给的基板处理单元(100)。

公开(公告)号：CN105070673A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510451334.5

申请日：2012-12-26

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介 ,  松井绘美 ,  大田垣崇 ,  桧森洋辅

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

摘要： 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体(25)，对半导体晶片(W)的板面供给蚀刻液(E)；厚度检测传感器(29)，检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体(27)，在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。

公开(公告)号：CN105027268A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480010842.3

申请日：2014-02-28

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 宫崎邦浩 ,  林航之介 ,  大田垣崇 ,  长岛裕次

IPC分类号： H01L21/304 ,  F26B3/28 ,  F26B5/16

CPC分类号： F26B3/30 ,  F26B3/28 ,  F26B5/005 ,  F26B7/00 ,  F26B11/18 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67115

摘要： 实施方式涉及的基板处理装置(1)具备：支撑基板W的工作台(4)；向该工作台(4)上的基板W的表面供给挥发性溶剂的溶剂供给部(8)；对供给有挥发性溶剂的基板W照射光，并作为对基板W进行加热以使在供给有该挥发性溶剂的基板W的表面产生气层并使挥发性溶剂成为液体珠的加热部而发挥作用的照射部(10)。由此，能够抑制图案的倒塌并且进行良好的基板干燥。

公开(公告)号：CN102057464A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121947.5

申请日：2009-06-24

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 林航之介

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67051

摘要： 一种自旋处理装置，对基板依次供给多种处理液而进行处理，具备：杯体(1)；旋转工作台(8)，设在杯体内，保持基板而被旋转驱动；处理液承接体(16)，呈上面开口的环状，可沿上下方向驱动地设在杯体的内周与旋转工作台的外周之间，承接从旋转的基板飞散的处理液；线性马达(21)，根据对基板供给的处理液的种类而将处理液承接体沿上下方向驱动，设定其高度；第1至第3分离流路(27a～27c)，设在杯体上，将处理液承接体承接的处理液对应于处理液承接体被线性马达设定的高度而分离回收。