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公开(公告)号：CN111710624B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202010189477.4
申请日：2020-03-18
申请人： 芝浦机械电子株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306
摘要： 本发明提供能够抑制基板尺寸的缩小的基板处理装置以及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(10)具备：支承作为蚀刻对象的基板(W)的工作台(30)、使热塑性树脂软化的加热器(51a1)或加热器(52a)、以及供给喷嘴(52)，相对于由工作台(30)支承的基板(W)相对移动，将由加热器(51a1)或加热器(52a)软化后的热塑性树脂供给至由工作台(30)支承的基板(W)的外周端部(A1)。
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公开(公告)号：CN111710625B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010189551.2
申请日：2020-03-18
申请人： 芝浦机械电子株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供能够抑制基板尺寸的缩小的基板处理装置以及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(10)具备：支承作为蚀刻对象的基板(W)的工作台(30)；相对于由工作台(30)支承的基板(W)相对移动，向由工作台(30)支承的基板(W)的外周端部(A1)，供给软化后的热塑性树脂的供给喷嘴(52)；及对由供给喷嘴(52)供给至基板(W)的外周端部(A1)的热塑性树脂进行加热的加热部(60)。
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公开(公告)号：CN107887300A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710879504.9
申请日：2017-09-26
申请人： 芝浦机械电子株式会社
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B5/02 , F26B3/30 , H01L21/02052 , H01L21/67115 , H01L21/68764 , H01L21/67075 , H01L21/67034
摘要： 提供一种能够抑制基板的污染的基板处理装置。有关实施方式的基板处理装置具备：处理室(20)，空气从上方向下方流动；支承部(40)，设在处理室(20)内，支承具有被处理面(Wa)的基板(W)；加热部(80)，避开支承部(40)的上方而设置，射出加热用的光；光学部件(90)，避开支承部(40)的上方而设在处理室(20)内，将由加热部(80)射出并通过支承部(40)的上方的光向被支承部(40)支承的基板(W)的被处理面(Wa)引导。
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公开(公告)号：CN111710626A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010189733.X
申请日：2020-03-18
申请人： 芝浦机械电子株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供能够抑制基板尺寸的缩小的基板处理装置以及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(10)具备：对基板(W)进行支承的工作台(30)、对由工作台(30)支承的基板(W)进行加热的基板加热部(40)、以及供给头(61)，保持作为固化的热塑性树脂的树脂材料(B1)，使所保持的树脂材料(B1)与由工作台(30)支承且由基板加热部(40)加热后的基板(W)的外周端部(A1)接触，同时相对于基板(W)相对移动。
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公开(公告)号：CN105103268B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201480019122.3
申请日：2014-03-25
申请人： 芝浦机械电子株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/10 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67253 , H01L21/68714 , H01L22/12
摘要： 实施方式的基板处理装置(1)具备：支承部(4)，在平面内支承基板(W)；旋转机构(5)，以与通过此支承部(4)支承的基板(W)的表面相交的轴作为旋转轴，使支承部(4)旋转；多个喷嘴(6a，6b和6c)，设置为从通过支承部(4)支承的基板(W)的中心向周缘排列，将处理液分别排出至通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面；控制部(9)，根据形成于通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面的处理液的液膜厚度，使多根喷嘴(6a，6b和6c)分别以不同的定时排出处理液。
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公开(公告)号：CN111710626B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010189733.X
申请日：2020-03-18
申请人： 芝浦机械电子株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供能够抑制基板尺寸的缩小的基板处理装置以及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(10)具备：对基板(W)进行支承的工作台(30)、对由工作台(30)支承的基板(W)进行加热的基板加热部(40)、以及供给头(61)，保持作为固化的热塑性树脂的树脂材料(B1)，使所保持的树脂材料(B1)与由工作台(30)支承且由基板加热部(40)加热后的基板(W)的外周端部(A1)接触，同时相对于基板(W)相对移动。
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公开(公告)号：CN108461427B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201810238635.3
申请日：2015-09-30
申请人： 芝浦机械电子株式会社
摘要： 本发明提供可以实现处理性能的提高及处理液使用量的降低的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)具备：将双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至基板(W)的第1溶液供给部(3a)；将作为硫酸溶液及双氧水的混合液且比第1温度低的第2温度的混合液供给至所述基板(W)的处理对象面(Wa)的第2溶液供给部(3b)；以及控制部(5)，该控制部按照使基板(W)的温度达到双氧水的沸点以上的方式使第1溶液供给部(3a)供给第1温度的硫酸溶液、在基板(W)的温度达到第2温度以上时，使第1溶液供给部(3a)停止第1温度的硫酸溶液的供给、使第2溶液供给部(3b)供给第2温度的混合液。
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公开(公告)号：CN107256823B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201710206347.5
申请日：2017-03-07
申请人： 芝浦机械电子株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明的基板处理装置及基板处理方法通过高效地生成亚硝酸，生成具有适合蚀刻的亚硝酸浓度的蚀刻液，提高了蚀刻的效率。该基板处理装置(10)使用含有氢氟酸及硝酸的蚀刻液(L)对半导体晶片(W)进行处理，其具备：储存蚀刻液(L)的储存箱(210)、测量蚀刻液(L)中的亚硝酸的浓度的浓度传感器(256)、向蚀刻液(L)供给IPA而将亚硝酸的浓度维持在规定值以上的醇供给部(310)、将储存箱(210)内的蚀刻液(L)向半导体晶片(W)供给的基板处理单元(100)。
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公开(公告)号：CN105103268A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480019122.3
申请日：2014-03-25
申请人： 芝浦机械电子株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/10 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67253 , H01L21/68714 , H01L22/12
摘要： 实施方式的基板处理装置(1)具备：支承部(4)，在平面内支承基板(W)；旋转机构(5)，以与通过此支承部(4)支承的基板(W)的表面相交的轴作为旋转轴，使支承部(4)旋转；多个喷嘴(6a，6b和6c)，设置为从通过支承部(4)支承的基板(W)的中心向周缘排列，将处理液分别排出至通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面；控制部(9)，根据形成于通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面的处理液的液膜厚度，使多根喷嘴(6a，6b和6c)分别以不同的定时排出处理液。
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公开(公告)号：CN108461427A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810238635.3
申请日：2015-09-30
申请人： 芝浦机械电子株式会社
CPC分类号： H01L21/6708 , G03F7/423 , H01L21/31133
摘要： 本发明提供可以实现处理性能的提高及处理液使用量的降低的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)具备：将双氧水的沸点以上的第1温度的硫酸溶液供给至基板(W)的第1溶液供给部(3a)；将作为硫酸溶液及双氧水的混合液且比第1温度低的第2温度的混合液供给至所述基板(W)的处理对象面(Wa)的第2溶液供给部(3b)；以及控制部(5)，该控制部按照使基板(W)的温度达到双氧水的沸点以上的方式使第1溶液供给部(3a)供给第1温度的硫酸溶液、在基板(W)的温度达到第2温度以上时，使第1溶液供给部(3a)停止第1温度的硫酸溶液的供给、使第2溶液供给部(3b)供给第2温度的混合液。
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