公开(公告)号：CN110164962B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201910430622.0

申请日：2019-05-22

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  张涛 ,  张进成 ,  周弘 ,  张春福 ,  胡壮壮 ,  封兆青 ,  蔡云匆

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/872 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种高击穿电压的肖特基二极管，主要解决现有肖特基二极管器件击穿电压过低无法广泛应用在高压高功率器件中的问题。其包括：欧姆接触金属Au层、欧姆接触金属Ti层、高掺杂n型Ga2O3衬底和低掺杂n型Ga2O3薄膜，低掺杂n型Ga2O3薄膜上开有的斜坡凹槽台，斜坡凹槽台侧壁上设有的金属环，斜坡凹槽台台面上设有的肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层，肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层的两侧设有绝缘介质，肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层与绝缘介质之上设有肖特基场板。本发明避免了在反向关断时随着电压的增加肖特基结的边缘处承受的电场强度尖锐集中分布，提高了击穿电压，可用作功率器件和高压开关器件。

公开(公告)号：CN110164976B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201910430611.2

申请日：2019-05-22

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  田旭升 ,  张进成 ,  周弘 ,  张春福

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种应变型氧化镓MOSFET器件。其包括衬底(1)、n型Ga2O3导电沟道层(2)、重掺杂源区(3)、重掺杂漏区(4)、源电极(5)、漏电极(6)、绝缘栅介质(7)和栅电极(8)，该重掺杂源区和重掺杂漏区，均采用厚度小于500nm，掺杂浓度大于1×1019cm‑3的n+‑GaN材料，且两区域间隔小于100nm。n型Ga2O3导电沟道层、重掺杂源区和重掺杂漏区位于衬底上；源电极和漏电极分别位于重掺杂源区和重掺杂漏区之上；绝缘栅介质位于n型Ga2O3导电沟道层之上，栅电极位于绝缘栅介质之上，本发明提高了导电沟道中电子的迁移率，改善了器件的输出特性，可用于制作高压、高频、大功率器件。

公开(公告)号：CN111524998A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010377339.9

申请日：2020-05-07

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张春福 ,  成亚楠 ,  陈大正 ,  冯倩 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于转印氧化镓薄膜的肖特基背栅金属氧化物半导体场效应光电晶体管。其包括：包括：多晶硅栅(1)、SiO2介质层(2)、Ga2O3薄膜沟道层(3)、源极(4)和漏极(5)。所述Ga2O3薄膜沟道层(3)印制在SiO2介质层(2)上面的源极(4)与漏极(5)之间，所述源极(4)采用欧姆接触，所述漏极(5)采用肖特基接触，形成肖特基背栅复合结构。本发明结合肖特基二极管的单向导电特性和栅极可控这两个优点，提高了器件控制能力以及减小了反向漏电流，使得光暗电流比增加，增强了器件的可靠性，可用于火焰探测、保密空间通信、目标预警与跟踪和太阳盲成像。

公开(公告)号：CN110164962A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910430622.0

申请日：2019-05-22

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  张涛 ,  张进成 ,  周弘 ,  张春福 ,  胡壮壮 ,  封兆青 ,  蔡云匆

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/872 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种高击穿电压的肖特基二极管，主要解决现有肖特基二极管器件击穿电压过低无法广泛应用在高压高功率器件中的问题。其包括：欧姆接触金属Au层、欧姆接触金属Ti层、高掺杂n型Ga2O3衬底和低掺杂n型Ga2O3薄膜，低掺杂n型Ga2O3薄膜上开有的斜坡凹槽台，斜坡凹槽台侧壁上设有的金属环，斜坡凹槽台台面上设有的肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层，肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层的两侧设有绝缘介质，肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层与绝缘介质之上设有肖特基场板。本发明避免了在反向关断时随着电压的增加肖特基结的边缘处承受的电场强度尖锐集中分布，提高了击穿电压，可用作功率器件和高压开关器件。

公开(公告)号：CN106898644B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201710050362.5

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  方立伟 ,  韩根全 ,  李翔 ,  邢翔宇 ,  黄璐 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种高击穿电压场效应晶体管及其制作方法，其自下而上包括衬底(1)、Ga2O3外延层(2)和低掺杂n型Ga2O3薄膜(3)，薄膜上设有高掺杂n型硅离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，离子注入区上设有源电极(5)和漏电极(6)，绝缘栅介质上设有300～500nm厚的有机绝缘介质(8)，有机绝缘介质由P(VDF‑TrFE)、Ag纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)、ZnS纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)和CCTO纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)构成，且设有长度为1～3μm的栅场板(9)，该栅场板上设置有栅电极。本发明击穿电压高，可用于作为功率器件和高压开关器件。

公开(公告)号：CN109440083A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811587319.3

申请日：2018-12-25

申请人： 重庆理工大学 ,  西安电子科技大学

发明人： 龚恒翔 ,  冯倩 ,  郝跃 ,  廖飞 ,  杨专青 ,  马五吉

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  C23C18/12

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/4486 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1258

摘要： 本发明公开一种雾化辅助CVD薄膜沉积方法，其特征在于包括如下步骤：步骤a：设计一款雾化辅助CVD薄膜沉积装置；步骤b：先将欲成膜的平面衬底放置在衬底模板上的安装孔中，再将衬底模板水平放置在下升降板上板面，并调整下升降板的位置；步骤d：反应区的温度达到预设温度后，先开启雾化源，雾化源将液体前驱体雾化成气溶胶前驱体，并利用雾化源发出的载气将气溶胶前驱体输入缓冲混合室内；步骤e:待反应区的温度接近室温或者在45℃以下时，先停止通过气相物进管和气溶胶进管向缓冲混合室内输入前驱体，再关闭抽气泵，最后打开密封盖，并将衬底模板取出，最后从衬底模板上取下衬底。本薄膜沉积方法沉积效率高，工艺安排合理，薄膜质量高。

公开(公告)号：CN109338338A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811587320.6

申请日：2018-12-25

申请人： 西安电子科技大学 ,  重庆理工大学

发明人： 冯倩 ,  龚恒翔 ,  郝跃 ,  张进成 ,  廖飞 ,  杨专青 ,  马五吉

IPC分类号： C23C18/02 ,  C23C16/44

摘要： 本发明公开一种雾化辅助CVD薄膜沉积装置，包括缓冲混合室、过渡腔和反应室，其中缓冲混合室顶部竖直设有多路气相物进管，该缓冲混合室外壁的左侧设有多路气溶胶进管；上升降板的上板面沿反应腔长度方向并排固定有一组上碘钨灯；上升降板和下升降板的左、右端分别通过一个高度调整组件与反应腔外表面相连，并可以在高度调整组件的作用下调整上、下升降板的高度。本案主要从前驱体混合方式和收集液体方面来保证前驱体的成分、含量，并通过保证气流场稳定和控制温度场这两个个方面来控制反应区的反应环境，上述4个方面的技术手段相互配合，共同实现高质量制备薄膜，且本装置特别适合于制造氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN106935661A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710050359.3

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  徐通 ,  韩根全 ,  方立伟 ,  李翔 ,  邢翔宇 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/66969

摘要： 本发明公开了一种垂直型肖特基二极管的器件结构及其制作方法，主要解决现有肖特基二极管器件反向击穿电压低的问题。其自下而上，包括阴极电极、高掺杂n型Ga2O3衬底、低掺杂n型Ga2O3外延层、低功函数阳极电极，该外延层上淀积有低功函数阳极电极，高掺杂衬底的下表面淀积有阴极电极，低功函数阳极与n型Ga2O3外延层形成肖特基接触，阴极与衬底形成欧姆接触。低掺杂n型Ga2O3外延层上间隔分布有M个凹槽，M≥6，凹槽中沉积有高功函数阳极电极和厚度在0.5～1μm范围内的有机铁电介质，且高功函数阳极电极位于有机铁电介质之上。本发明不仅提高了反向击穿电压，而且保持其正向特性不变，可用于高速集成电路和微波技术。

公开(公告)号：CN103779409B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201410025539.2

申请日：2014-01-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  杜锴 ,  梁日泉 ,  张春福 ,  代波 ,  张进城 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层和用于调节二维电子气浓度的硅化物。AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极和绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上，块状硅化物会对下面的本征AlGaN层和AlGaN掺杂层产生压应力，硅化物之间产生张应力，通过使块间距小于块宽度，使本征AlGaN层和AlGaN掺杂层获得总体张应力，从而使沟道中电场得到增强。本发明可用于制备低导通电阻高工作频率的耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件。

公开(公告)号：CN104037218B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410312189.8

申请日：2014-07-02

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  董良 ,  代波 ,  杜锴 ,  郑雪峰 ,  杜鸣 ,  张春福 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2、LiF和漏极，所述钝化层1与PTFE之间设有ITO栅电极，所述ITO栅电极向PTFE上方延伸形成栅场板结构，所述PTFE与漏极间设有钝化层2，所述钝化层2与漏极间设有LiF层，所述漏极与所述LiF层上设有Al层。本发明使用PTFE和ITO形成的偶极子层降低了2DEG的浓度提高器件的击穿电压。