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公开(公告)号：CN106811752B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510871162.7
申请日：2015-12-02
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/3065 , B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种形成双大马士革结构的方法与一种等离子体刻蚀方法，以抑制fence缺陷的产生。其中，该形成双大马士革结构的方法，包括：在含硅介质层内形成连接孔；在含硅介质层的上方及连接孔内形成硬掩膜材料；在硬掩膜材料的上方形成光刻胶图案，所述光刻胶图案的开口形状与待形成的沟槽的形状相对应，所述连接孔位于所述光刻胶图案的开口内；去除含硅介质层表面的硬掩膜材料；以等离子体刻蚀的方式去除光刻胶图案开口内的部分含硅介质层，以形成沟槽；在该等离子体刻蚀过程中，以脉冲方式施加射频偏置功率和射频源功率，提供的反应气体包括作为聚合气体的COS。
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公开(公告)号：CN110029351A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810031874.1
申请日：2018-01-12
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： C23F4/00
摘要： 本发明提供一种超亲水金属表面微纳结构及其制造方法。结构包括，一金属基板基体，金属基板基体上形成由沟槽组成的三组互成角度的平行沟槽阵列和棱柱状突起。制造方法包括，首先提供一块金属基板。接着清洗金属基板并干燥。然后使用激光束扫描金属表面得到表面具有粗糙沟壑状的微纳结构的金属基板。最后使用去离子水超声清洗金属基板并干燥。本发明借助激光刻蚀技术，在金属表面构建粗糙沟壑状的微纳结构，赋予金属表面超亲水性能，其结构简单，制造方法环保、简单、高效。
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公开(公告)号：CN106659505B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201580040496.8
申请日：2015-07-24
申请人： 因库麦迪斯有限公司
发明人： A·加尔扎
摘要： 用于治疗动脉瘤或其他血管病灶的栓塞植入物可以包括整体结构的遮蔽部件，其布置在微线圈的外部周围，使得其不会延伸到由线圈形成的管腔中。遮蔽物可增强每个线圈的单位长度的包装体积和密度，并且可以防止血液流动，并导致血液凝固，同时没有血管病灶破裂的风险。遮蔽物还可以提供多种治疗和/或疗法的应用平台，例如包括官能化和/或生物活性涂层、药物涂层、基因治疗、血栓性控制涂层和表面改性，同时保持关键线圈性能属性。
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公开(公告)号：CN109819664A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201780010300.X
申请日：2017-09-21
申请人： 株式会社日立高新技术
发明人： 山田将贵
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/302 , H01L43/12
摘要： 提供运用了能抑制氢离子所引起的特性劣化且能确保蚀刻形状的RIE加工的磁隧道结元件的制造方法。生成多层膜，该多层膜具有磁性膜和氧化膜，磁性膜的厚度为2nm以下，且磁性膜和氧化膜在膜面方向上具有界面，在多层膜上形成进行了图案形成的掩模层，对形成了掩模层的多层膜使用氢气与氮气的混合气体作为反应气体来进行蚀刻，将氢气的流量相对于混合气体的流量的比设为50％以下。
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公开(公告)号：CN107201522B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710384231.0
申请日：2017-05-26
申请人： 江西理工大学
IPC分类号： C23F4/00
摘要： 本发明公开一种热处理法去除铜带表面镀镍层的方法，包括以下步骤：（1）将分切的镀镍铜带和热处理介质放入加热炉；（2）加入木炭、石墨覆盖后，在温度为450～650℃的条件下保温90～150分钟，将经过热处理的镀镍铜带与介质分离后进行冷却，得到去除镀镍层的铜带。本发明克服了现有的镀镍铜带回收料去镍再生利用的技术难题，在非真空加热过程中实现镀镍层（镍元素）与铜带的分离，达到了镀镍铜带去镍的目的。本发明具有低成本、短流程、无二次污染等特点，可实现镀镍铜带回收料的循环再生利用。
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公开(公告)号：CN109487204A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811366768.5
申请日：2018-11-16
申请人： 苏州神龙航空科技有限公司
摘要： 本发明涉及材料的等离子体表面处理技术领域，具体的讲是一种轻质合金材料耦合等离子体表面处理装置及处理方法，包括真空腔体、真空获得及控制组件、气体流量控制模块、等离子体产生模块、等离子能量控制模块，衬底及温度控制模块，通过采用电感耦合式等离子体（ICP）与电容耦合式等离子体（CCP）的耦合的处理装置，在较低温度下（100-480℃），在电源功率一定的情况下，通过施加磁场来增强等离子体密度，降低基体的自偏压，可提高表面处理速率，同时等离子体处理的表面均匀性和可控性较好。
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公开(公告)号：CN109402637A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811027616.2
申请日：2015-08-12
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 伊凡·L·贝瑞三世 , 索斯藤·利尔 , 肯尼思·里斯·雷诺兹
摘要： 本文提供了一种差动泵送反应气体喷射器，具体提供了一种可用于从表面去除材料的工艺，该工艺为离子蚀刻。在某些情况下，离子蚀刻涉及输送离子和反应气体两者到衬底。所公开的实施方式允许以局部高压强的方式输送反应气体到衬底，而将在衬底的局部高压强输送区之外的部分保持低得多的压强。低压强是通过下列方式来实现的：将高压强反应物输送限制在小区域，并当过量的反应物和副产物离开该小区域时以及在过量的反应物和副产物进入较大的衬底处理区之前抽吸走它们。所公开的技术可以用于提高产量，同时使存在于衬底处理区中的离子和其他物质之间的有害的碰撞降低到最小程度。
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公开(公告)号：CN109207775A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710536314.7
申请日：2017-07-04
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及一种纳米多孔金的绿色制备方法，属于纳米材料的制备领域。该方法包括以下步骤：(1)以纯金属金、银、铂为原料，利用电弧熔炼法，制备出Au-Ag或Au-Ag-Pt合金锭，轧制或减薄成Au-Ag或Au-Ag-Pt合金片；(2)将上述Au-Ag或Au-Ag-Pt合金片置于等离子表面处理仪中脱合金处理，得到表面被氧化银覆盖的纳米多孔金薄片；(3)将表面被氧化银覆盖的纳米多孔金薄片置于氩离子刻蚀仪中进行轰击，去除表面氧化银，制得纳米多孔金。本发明绿色环保，无需使用任何化学试剂，克服纳米多孔金传统制备方法带来的污染，简化制备工艺，缩短制备时间，降低人力成本，适合大规模工业生产，该纳米多孔金不受任何化学试剂的污染，是研究纳米多孔金本征性能的理想材料。
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公开(公告)号：CN108543686A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810206015.1
申请日：2018-03-13
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种铁族金属超双疏表面的制备方法，包括以下步骤：A、将铁族金属或其合金基材表面进行预处理；B、将经步骤A处理的基材表面进行羟基化处理；C、将经步骤B处理后的基材浸泡在含氟硅烷的溶液中进行有机薄膜的表面化学修饰，在铁族金属或其合金基材表面形成超双疏薄膜，即可。本发明以铁族金属或其合金作为基体，在铁族金属或其合金上形成特殊粗糙度的结构，即提供一级粗糙度，然后通过表面羟基化后可在表面迅速修饰氟硅烷以降低表面能并可能进一步提高粗糙度，形成超双疏表面。本发明制备工艺简便、基材与有机膜的结合力好、可广泛用于各种金属的防腐、防污、防粘附、自清洁等。
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公开(公告)号：CN108385110A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810297952.2
申请日：2018-04-04
申请人： 西安工业大学
摘要： 本发明涉及离子束技术领域，具体涉及一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法。其包括传递室、刻蚀室、溅射沉积室以及设于传递室与刻蚀室，刻蚀室与溅射沉积室之间的插板阀，传递室、刻蚀室和溅射沉积室内设有三者之间传送工件的工件传送装置。以及应用此设备发明的一种抛光方法，其流程为：首先在传递室装载工件，其次在刻蚀室对工件离子束清洗，再次在溅射沉积室对工件溅射沉积一层薄膜层（牺牲层），进而在刻蚀室对工件进行离子束修正抛光，最后通过传递室取出工件，实现光学元件的抛光。
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