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公开(公告)号：CN109817502B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201811363931.2
申请日：2018-11-16
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: H01J37/02 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/21 , H01J37/22 , G06T3/60 , G06T5/00 , G06T5/50 , G06T7/00
Abstract: 提供带电粒子束装置，自动地重复进行摘出试样片并将其移设于试样片保持器的动作，该试样是通过基于离子束的试样的加工而形成的。带电粒子束装置具有计算机，该计算机对聚焦离子束照射光学系统进行控制，以使得在通过针保持试样片后，设定包含与试样的加工时的深度方向对应的试样片的厚度方向的底部在内的整形加工区域，对整形加工区域照射聚焦离子束而对试样片进行整形加工。
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公开(公告)号：CN116403881A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211673998.2
申请日：2022-12-26
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲调制射频气体离子源，包括：安装法兰、引出电极、栅极绝缘环、等离子体放电腔、放电腔管、底端法兰、下端密封橡胶圈、底部端盖、气路、支撑杆、支撑杆绝缘套和引出电源；本发明提出了一种适用于离子束刻蚀和离子束镀膜的宽工作气压范围的射频离子源，通过利用脉冲调节射频感应放电和单栅极引出产生低能离子束，具有结构简单、拆装方便、易维护等特点。
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公开(公告)号：CN116313713A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310006780.X
申请日：2023-01-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/10 , H01J37/244
Abstract: 本发明提出了一种单离子注入系统，包括：单个离子获取装置，用于获取单个离子；电荷探测装置，用于获取经过所述电荷探测装置的离子数量并使得所述单个离子能进入聚焦透镜组；所述聚焦透镜组，用于对所述单个离子进行聚焦并加速以使所述单个离子到达目标基板的确定位置；单离子探测装置，用于检测所述单个离子到达所述目标基板的位置以及离子注入信号；所述目标基板，用于接收所述单个离子注入；控制单元，用于根据来自所述电荷探测装置的离子数量信号以及来自所述单粒子探测装置的离子注入信号向闸板阀发送关闭信号；以及所述闸板阀，根据所述控制单元的关闭信号关闭阀门以完成一次单离子注入。
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公开(公告)号：CN111584334B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010276075.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于离子注入装置的绝缘结构，包括：绝缘管；所述绝缘管具有内表面以及两端的开口；至少一个屏蔽管，所述屏蔽管随形安装于所述绝缘管的内表面上。通过设置屏蔽管，使污染物无法渗透到绝缘管的内表面上，可以维持稳定的离子驱逐电压，延长绝缘管的清洗周期。从而延长绝缘管的使用寿命，提高了离子注入装置的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116230475A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211667246.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种金属纳米团簇离子源，包括：金属靶、靶座陶瓷腔壁、磁钢、气路、阳极、地栅、金属靶脉冲电源和阳极电源；所述陶瓷腔壁为U型结构，陶瓷腔壁的开口端上固定有阳极，陶瓷腔壁的闭口端上设置有靶座，所述靶座上设置有金属靶和磁钢；所述陶瓷腔壁的壁面上开设有气路；阳极上连接有金属靶脉冲电源的正极和阳极电源的正极；地栅连接阳极电源的负极；金属靶脉冲电源的负极与金属靶连接。本发明通过控制双极性脉冲电源频率、占空比和偏压控制纳米团簇粒子尺寸和束流强度，提升了纳米团簇产生控制精度，适合产生任何金属材料，尤其是难熔金属和耐高温材料团簇粒子。
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公开(公告)号：CN116230472A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310068649.6
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 中国科学院空天信息创新研究院
Abstract: 本发明涉及一种小型可切换式电子‑离子枪。所述小型可切换式电子‑离子枪包括：刀口密封的标准CF法兰；设置在CF法兰非刀口侧且位于中心部位的真空引线组件；设置在CF法兰另一侧的支撑件；设置在支撑件上的电子‑离子源的组件。本发明提出的切换式电子‑离子枪具有清洁无污染、工作可靠、寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN111699277B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201880088935.6
申请日：2018-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/56 , C23C14/58 , C23C14/35 , C23C14/02 , C23C16/54 , C23C16/56 , C23C16/02 , H01J37/32 , H01J37/08 , H05H1/00
Abstract: 描述一种用于涂覆基板(10、10b)的沉积设备(100、101)。所述沉积设备包括：第一卷筒腔室(110)，容纳用于提供所述柔性基板(10)的存储卷筒(112)；沉积腔室(120)，布置在所述第一卷筒腔室(110)的下游；和第二卷筒腔室(150)，布置在所述沉积腔室(120)的下游并容纳用于在沉积后使所述柔性基板(10)卷绕在上面的卷绕卷筒(152)。所述沉积腔室(120)包括涂布滚筒(122)，所述涂布滚筒用于引导所述柔性基板通过多个沉积单元(121)，所述多个沉积单元包括具有石墨靶(125)的至少一个沉积单元(124)。此外，所述沉积设备(100)包括处理装置(160)，所述处理装置被配置为在所述至少一个沉积单元的上游或下游处理所述柔性基板。所述处理装置(160a、160b、160c)包括线性离子源(161)，所述线性离子源包括电连接至提取电极(168)和接地电位的电源(176)，其中所述电源(176)适于在约1kHz至约500kHz范围内的频率下操作。
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公开(公告)号：CN116110764A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310380340.0
申请日：2023-04-11
Applicant: 苏州迈微能等离子科技有限公司
Inventor： 林默原
IPC: H01J37/08 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种微波等离子体刻蚀设备及刻蚀方法，刻蚀设备包括微波功率源和等离子炬，等离子炬包括外管、内管和聚能喷头，聚能喷头包括均具有在轴向向外方向上内径缩小的变径结构的金属外管喷头及介质内管喷头，介质内管喷头与金属外管喷头的内壁贴合；介质内管喷头的外端面探出金属外管喷头的外端面，且所述介质内管喷头在外端部的缩率较其他变径结构处的缩率减小；或者，所述介质内管喷头相对于所述金属外管喷头探出的外端部为匀直段；微波功率源与内管连通并向内管馈入脉冲式的微波，其输出微波功率范围为20~500 W，微波的占空比小于或等于99%。本发明能够实现高能低温的等离子体刻蚀，避免在刻蚀过程中损伤被刻蚀物体。
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公开(公告)号：CN116110763A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310127575.9
申请日：2023-02-16
Applicant: 先进能源科学与技术广东省实验室 , 中国科学院近代物理研究所
IPC: H01J37/08 , H01J37/147
Abstract: 本发明提供一种用于FIB系统的磁光阱超冷离子源装置，包括原子源、超高真空系统、三维磁光阱系统、电离激光系统和离子加速引出系统；原子源与超高真空系统连接；超高真空系统包括超高真空腔体，超高真空腔体设有多个用于提供激光束路径的观察窗口；三维磁光阱系统包括激光束和反亥姆霍兹线圈；电离激光系统包括电离激光，激光束和电离激光穿过观察窗口并交汇在超高真空腔体内部，交汇处为冷离子发生部；离子加速引出系统包括设有引出通孔的电极片，引出通孔和冷离子发生部在同一轴线上，便于引出超冷离子。该装置可利用多种原子样品制备超冷离子，为FIB系统提供满足不同需求的超冷离子束，具有结构简单和可控性好等的特点。
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