离子注入装置及离子注入方法

    公开(公告)号:CN112242287A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202010551130.X

    申请日:2020-06-15

    Abstract: 本发明的课题在于长期维持射束电流的测定精度。离子注入装置(10)具备:注入处理室(16),进行向晶圆W照射离子束的注入工序;第1法拉第杯,设置于注入处理室(16)内,且构成为在注入工序之前进行的准备工序中测定离子束的射束电流;第2法拉第杯,设置于注入处理室(16)内,且构成为在用于校正第1法拉第杯的射束电流测定值的校正工序中测定离子束的射束电流;及屏蔽部件(43),用于屏蔽朝向第2法拉第杯的离子束。屏蔽部件43构成为在注入工序及准备工序中离子束不能入射到第2法拉第杯,在校正工序中离子束能够入射到第2法拉第杯。

    离子生成装置及离子注入装置
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111710584A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010173234.1

    申请日:2020-03-13

    Inventor: 越智秀太

    Abstract: 本发明提供一种能够稳定地生成高纯度的多价离子的离子生成装置。离子生成装置(10)具备:电弧室(50),区划等离子体生成空间(S);阴极(56),朝向等离子体生成空间(S)释放热电子;及反射极(58),隔着等离子体生成空间(S)而与阴极(56)相对置。电弧室(50)具有:箱形主体部(52),其前表面(52g)开口;及狭缝部件(54),安装在主体部(52)的前表面(52g),且设置有用于引出离子的前狭缝(60)。暴露于等离子体生成空间(S)的主体部(52)的内表面(52a)由高熔点金属材料构成,暴露于等离子体生成空间(S)的狭缝部件(54)的内表面(54a)由石墨构成。

    离子注入装置及离子注入方法

    公开(公告)号:CN108987225A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810529805.3

    申请日:2018-05-29

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种离子注入装置,应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。本发明的离子注入装置(100)具备:离子源,构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束;射束线,构成为支承由包含与第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的固体材料形成的离子束被照射体(70);及控制装置(50),构成为运算通过第1非放射性核种与第2非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。

    离子注入装置及测量装置
    54.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110364407B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN201910170411.8

    申请日:2019-03-07

    Inventor: 院田佳昭

    Abstract: 本发明可高速获取离子束的二维角度信息。本发明的离子注入装置具备:第1角度测量仪(51),测量离子束的第1方向的角度信息;第2角度测量仪(52),测量离子束的第2方向的角度信息;相对移动机构,向规定的相对移动方向改变第1角度测量仪(51)及第2角度测量仪(52)相对于离子束的相对位置;及控制装置,根据通过第1角度测量仪(51)测量的第1方向的角度信息及通过第2角度测量仪(52)测量的第2方向的角度信息,计算与射束行进方向及相对移动方向均正交的第3方向的角度信息。

    晶圆保持装置及晶圆装卸方法

    公开(公告)号:CN108630593B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN201810244649.6

    申请日:2018-03-23

    Abstract: 本发明提供一种在解除晶圆的固定时减少晶圆的位置偏离的技术。晶圆保持装置(52)具备:晶圆卡盘(53),其具有与待保持的晶圆(W)接触的晶圆保持面(60),并在晶圆保持面(60)上设置有多个吸附区域(C1、C2);及控制部(70),构成为独立地控制多个吸附区域(C1、C2)的各自的吸附力。控制部(70)在解除晶圆的固定的情况下,设为使多个吸附区域(C1、C2)中的一部分吸附区域的吸附力小于固定晶圆时的吸附力的临时固定状态之后,将多个吸附区域(C1、C2)的所有吸附区域的吸附力设为小于固定晶圆时的吸附力。

    离子注入装置及离子注入方法

    公开(公告)号:CN110137066B

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN201910095982.X

    申请日:2019-01-31

    Abstract: 一种离子注入装置及离子注入方法,实现离子束的角度分布的评价的高速化。射束线装置包括对离子束(B)施加电场或磁场中的至少一种而使其向与射束行进方向正交的第1方向偏转的偏转装置。狭缝(52)配置成使第1方向与狭缝宽度方向一致。射束电流测定装置(54)构成为能够在第1方向的位置不同的多个测定位置测定射束电流。控制装置(50)一边通过偏转装置改变离子束在第1方向的偏转量,一边获取通过射束电流测定装置(54)在第1方向的位置不同的多个测定位置测定的多个射束电流值,并计算出离子束的第1方向的角度信息。

    离子注入装置及离子注入方法
    57.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115020175A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210197051.2

    申请日:2022-03-02

    Inventor: 月原光国

    Abstract: 本发明涉及离子注入装置及离子注入方法,在具备线性加速装置的离子注入装置中,可加速射束能量的调整。本发明的离子注入装置(100)具备:离子源(10),生成离子;引出部(10a),通过从离子源(10)引出离子并使其加速来生成离子束;线性加速装置(22a~22c),使通过引出部(10a)引出且被加速的离子束加速;静电加减速装置(52),使从线性加速装置(22a~22c)输出的离子束加速或减速;及注入处理室(40),进行将从静电加减速装置(52)输出的离子束照射到晶片的注入处理。

    离子注入方法及离子注入装置

    公开(公告)号:CN108091534B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201710945609.X

    申请日:2017-10-12

    Abstract: 本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置。本发明的课题在于以高精确度迅速调整离子束的能量。所述离子注入方法具备以下步骤:测定从根据暂定的高频参数进行动作的高能量多级线性加速单元输出的离子束的射束能量的步骤;基于测定出的射束能量调整高频参数的值的步骤;及使用从根据经调整的高频参数进行动作的高能量多级线性加速单元输出的离子束来进行离子注入的步骤。暂定的高频参数对至少包含最终级的一部分级的高频谐振器赋予与赋予设计上的最大加速的高频参数的值不同的值。调整步骤包括变更对至少包括最终级的一部分级的高频谐振器设定的电压振幅及相位中的至少一方的步骤。

    离子注入方法及离子注入装置
    59.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110739213A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910648386.X

    申请日:2019-07-18

    Abstract: 本发明提供一种能够实现所期望的注入分布的离子注入技术。离子注入装置(100)具备:射束线装置,输送离子束(B);晶片保持装置,保持离子束(B)所照射的晶片(W);及温度调整装置(50),用于对晶片(W)进行加热或冷却。离子注入装置(100)使用温度调整装置(50)将晶片(W)加热或冷却至规定的温度,以满足规定的通道效应条件的方式将晶片(W)保持于晶片保持装置,对晶片保持装置所保持的规定的温度的晶片(W)照射离子束(B)。

    离子注入装置及测量装置
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110364407A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910170411.8

    申请日:2019-03-07

    Inventor: 院田佳昭

    Abstract: 本发明可高速获取离子束的二维角度信息。本发明的离子注入装置具备:第1角度测量仪(51),测量离子束的第1方向的角度信息;第2角度测量仪(52),测量离子束的第2方向的角度信息;相对移动机构,向规定的相对移动方向改变第1角度测量仪(51)及第2角度测量仪(52)相对于离子束的相对位置;及控制装置,根据通过第1角度测量仪(51)测量的第1方向的角度信息及通过第2角度测量仪(52)测量的第2方向的角度信息,计算与射束行进方向及相对移动方向均正交的第3方向的角度信息。

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