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公开(公告)号：CN103794716A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310532721.2
申请日：2013-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供了磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：下磁性图案，沿着彼此正交的第一方向和第二方向布置在基板上；上磁性层，覆盖下磁性图案中的沿着第一方向布置的至少两个下磁性图案和下磁性图案中的沿着第二方向布置的至少两个下磁性图案；以及隧道阻挡层，在下磁性图案和上磁性层之间。
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公开(公告)号：CN102956813A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210285196.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G06F13/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
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公开(公告)号：CN1591673B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200410056683.9
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: B82Y25/00 , G11C11/15 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。
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公开(公告)号：CN119277953A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410545358.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件包括：堆叠在衬底上的参考磁性图案和自由磁性图案；在参考磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案；在自由磁性图案上的第一非磁性图案，自由磁性图案在隧道势垒图案和第一非磁性图案之间；在第一非磁性图案上的第二非磁性图案，第一非磁性图案在自由磁性图案和第二非磁性图案之间；在第一非磁性图案和第二非磁性图案之间的金属图案；以及在第一非磁性图案的侧表面上的导电层。
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公开(公告)号：CN109713122B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201811213731.9
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112216789B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202010392306.1
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括第一顶部电极和在其上的第二顶部电极的数据存储器件。数据存储器件包括在衬底的上表面处的存储晶体管以及电连接到存储晶体管的数据存储结构。数据存储结构包括磁隧道结图案和在磁隧道结图案上的顶部电极。顶部电极包括第一顶部电极和在第一顶部电极上的第二顶部电极，并且第一顶部电极和第二顶部电极包括相同的金属氮化物。第一顶部电极包括金属氮化物的第一晶粒，第二顶部电极包括金属氮化物的第二晶粒。在顶部电极的沿与衬底的上表面平行的第一方向截取的一截面中，沿第一方向的每单位长度的第一晶粒的数量大于沿第一方向的每单位长度的第二晶粒的数量。
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公开(公告)号：CN115768243A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211048369.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性装置包括种子图案、种子图案上的参考磁性结构、参考磁性结构上的自由磁性图案以及参考磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒。参考磁性结构包括：合成反铁磁(SAF)结构，其包括与所述种子图案的上表面接触的第一固定图案、与所述第一固定图案的上表面接触的反铁磁耦合图案以及与所述反铁磁耦合图案的上表面接触的第二固定图案；非磁性图案，其与所述第二固定图案的上表面接触；以及极化增强磁性图案，其与所述非磁性图案的上表面接触。
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公开(公告)号：CN114864626A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111449802.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造磁性存储器装置的方法，包括步骤：在衬底上形成包括底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极的数据存储结构；形成保形地覆盖数据存储结构的侧表面和顶表面的第一封盖电介质层；以及在第一封盖电介质层上形成第二封盖电介质层。通过其中第一源气体、第一反应气体和第一吹扫气体被供应的PECVD执行形成第一封盖电介质层的步骤。通过其中第二源气体、第二反应气体和第二吹扫气体被供应的PECVD执行形成第二封盖电介质层的步骤。第一反应气体和第二反应气体彼此不同。第一吹扫气体和第二吹扫气体彼此不同。
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公开(公告)号：CN113937215A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110740750.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：钉扎层；自由层；钉扎层和自由层之间的隧道势垒层；第一氧化物层，与隧道势垒层间隔开，其中自由层在第一氧化物层和隧道势垒层之间；以及第二氧化物层，与自由层间隔开，其中第一氧化物层在第二氧化物层和自由层之间。第一氧化物层包括第一材料的氧化物，并且第一氧化物层的厚度可以在从至的范围内。第二氧化物层可以包括第二材料的氧化物，并且第二氧化物层的厚度可以在从至的范围内。第一材料的第一氧亲和性可以大于第二材料的第二氧亲和性。
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公开(公告)号：CN107017337B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201611122010.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。
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