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公开(公告)号：CN104393106B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410573361.5
申请日：2014-10-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/683 , H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/244
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池片离子注入机，属于光伏用半导体器件制造领域。所述离子注入机包括用于产生所需掺杂注入离子的等离子体的扩张源离子源，用于将离子源产生的离子引出得到具有一定能量的离子束的引出系统，通过质荷比分析筛选出所需离子并将发散型束矫正为宽带平行束的质量分析器，以及用于装夹晶片的靶盘；所述质量分析器具有供离子穿过的离子通道；所述靶盘设置在离子通道的出口处，所述引出系统设置在离子通道的入口处；所述引出系统设置在离子源与离子通道的入口处之间。本发明不仅满足了太阳能电池制造工艺对注入工艺的要求，还缩减了工艺步骤，减小了设备的复杂度，降低了设备实现难度和实现成本，提高了设备有效性和实用性。
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公开(公告)号：CN103354216B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310272999.0
申请日：2013-07-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H01L21/683 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种批传送太阳能电池片的大气机械手终端夹持器。为了平稳地实现电池片的批传送，所述终端夹持器，包括装配在大气传片机械手上的安装基座，其结构特点是，还包括装在安装基座上的多个并行排列的载片条板；每个所述载片条板上设有多个用于吸附电池片的吸盘。本发明能实现批量传递电池片，提高生产效率，负压吸附的电池片能准确定位防止滑移。
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公开(公告)号：CN105470086A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510912897.X
申请日：2015-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/02
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/023 , H01J37/05
Abstract: 本发明公开了一种高能多元素离子注入机，包括离子源、质量分析器、射频加速系统和靶室，质量分析器将离子源产生的离子束筛选后传输给射频加速系统进行加速，经射频加速系统加速到高能量状态的离子束传输至靶室内完成离子束注入，靶室内设有靶台运动机构，靶台运动机构兼具水平方向和竖直方向的两个运动维度，在靶室内以二维扫描方式完成离子束注入。本发明具有结构简单紧凑、离子注入均匀性好、离子注入能量污染小的优点。
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公开(公告)号：CN105390355A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510804064.1
申请日：2015-11-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种反射电极结构件及离子源，其反射电极结构件包括高熔点金属材料制备的对置反射电极和低熔点金属材料制备的被溅射件，所述对置反射电极的前端设有安装槽，所述被溅射件嵌装于安装槽内，与安装槽的内壁邻接。本发明的反射电极结构件，被溅射件嵌装于安装槽内，可以通过增大安装槽的尺寸直接增大被溅射件的面积，增加离子束中的离子含量，此结构无需其他辅助部件安装，简化结构，便于更换被溅射件来补偿同一种类的金属材质在溅射过程中的消耗，也可以根据所需的离子束种类更换成为对应的金属材质，适应性好。
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公开(公告)号：CN104867803A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510262780.1
申请日：2015-05-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H01J37/317 , H01J37/141
Abstract: 本发明涉及为一种用于离子注入机的30°平行透镜，包括结构及尺寸一致且上下对称安装的上磁极和下磁极，上磁极的上方设有上磁轭，下磁极的下方设有下磁轭，上磁极的顶面与上磁轭的底面连接，而下磁极的底面与下磁轭的顶面连接；该平行透镜还设有两个中间磁轭，两个中间磁轭的顶端均与上磁轭的底面连接，而两个中间磁轭的底端均与下磁轭的顶面连接，且上磁极和下磁极置于两个中间磁轭之间；上磁极的下磁极面与下磁极的上磁极面边缘的均由多条弧线构成。本发明磁极面形状合理，可以使离子束注入角度保持一致、保证均匀性和重复性，并可以防止入射离子在半导体晶片的晶格结构上产生沟道效应，也可以使之产生均匀的需要的沟道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104332377A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410457041.3
申请日：2014-09-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H01J37/317 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/304
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机束流与剂量测控装置及剂量控制方法，测控装置，包括CPU单元，CPU单元与SPI通信接口模块、ADC模块、通道程控开关、档位程控开关、束流/剂量程控开关、剂量积分电路、峰值捕捉电路、波形发生电路连接；所述SPI通信接口模块与所述ADC模块连接；所述ADC模块与所述束流/剂量程控开关连接；所述束流/剂量程控开关与所述峰值捕捉电路、剂量积分电路连接；所述束流/剂量程控开关、峰值捕捉电路、剂量积分电路均与所述档位程控开关连接；所述档位程控开关与所述通道程控开关连接；所述通道程控开关与法拉第杯接入端口连接。本发明能精确测量离子束流与剂量。
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公开(公告)号：CN103219217A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310096090.4
申请日：2013-03-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
Abstract: 本发明公开了一种用于离子注入机靶室的法拉第系统及离子束束流品质检测的方法。所述用于离子注入机靶室的法拉第系统包括进行离子注入工艺的腔体，即靶室、以及固定晶片的装置靶台、一个移动法拉第、一个闭环法拉第、一个角度法拉第、一个电子淋浴器。所述离子束束流品质检测的方法为，在注入工艺前，有离子注入设备经离子源产生等离子体，经过引出装置引出，再经过质量分析器来筛选出合适的离子，然后被加速，电扫描最后进入靶室。本发明测得的离子束满足注入指标要求后，靶台运动到注入的位置准备注入，同时为了消除电荷积累对晶片产生不良影响，采用电子淋浴器来产生电子中和离子束的正电荷，提高了产品的良品率。
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公开(公告)号：CN109935510B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201711349060.4
申请日：2017-12-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种多维静电扫描系统，包括对称的扫描电极一和非对称的扫描电极二，且所述对称的扫描电极一与非对称的扫描电极二的扫描方向相互垂直，所述对称的扫描电极一包括对称布置的扫描板一和二，所述扫描板一、二之间的电场至少部分分布不均匀；所述非对称的扫描电极二包括相对布置的扫描板三和扫描板四，所述扫描板三呈平板状，所述扫描板四包括扫描前段和扫描后段，所述扫描板四的所述扫描前段与所述扫描板三平行，所述扫描板四的所述扫描后段相对于所述扫描前段呈远离所述离子束的方向往外折弯。本发明还涉及一种基于上述多维静电扫描系统的离子注入系统。本发明具有能够在除去离子束中的中性粒子的同时提高离子注入角度一致性的优点。
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公开(公告)号：CN112713115A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911023653.0
申请日：2019-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种真空晶圆缺口定位装置，包括用于分隔真空区和大气区的分隔件、设于真空区内的晶圆托盘、设于晶圆托盘一侧的光纤传感器、穿设于分隔件中的转轴和信号传输接头、以及设于大气区的旋转驱动机构，所述光纤传感器包括上下相对布置的发光组件和接收组件，所述发光组件和接收组件通过真空光纤与所述信号传输接头相连，所述分隔件与所述转轴之间设有转轴密封组件，所述转轴上端与晶圆托盘相连，下端与所述旋转驱动机构相连。本发明具有结构简单、发光强度可调、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN112713082A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911022844.5
申请日：2019-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种用于制备氮化镓射频器件的衬底，包括硅晶片及位于硅晶片上方的碳化硅薄膜，碳化硅薄膜与硅晶片键合成一体。本发明进一步公开了一种上述衬底的制备方法，包括步骤：S1、对碳化硅晶片进行离子注入，形成碳化硅薄膜；S2、将硅晶片与碳化硅薄膜进行键合；S3、退火使碳化硅薄膜与碳化硅晶片之间形成的界面裂开，碳化硅晶片与碳化硅薄膜分离；S4、对碳化硅薄膜表面进行抛光。一种氮化镓射频器件，包括器件主体、氮化镓层及氮化镓化合半导体层，还包括上述的衬底，所述硅晶片、所述碳化硅薄膜、氮化镓层、氮化镓化合半导体层及器件主体自下而上依次布置。本发明具有成本低，同时能够保留衬底上氮化镓器件的优异性能等优点。
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