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公开(公告)号：CN114059159A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111371322.3
申请日：2021-11-18
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明提供一种金刚石的生长方法，采用凝聚态碳源代替气态碳源，除了提供初始条件外，在金刚石生长过程中不需要再通入工艺气体，只需要激发凝聚态碳源形成适合金刚石生长的等离子体区域；激发态的碳源在预先放置的诱导晶种上沉积并同质外延生长金刚石。该方法拓展碳源取材范围，节约能源，避免工艺气体的浪费，便于金刚石的连续生长。
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公开(公告)号：CN113193037B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110354520.2
申请日：2021-04-01
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN113584580A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110895167.9
申请日：2021-08-05
申请人： 北京大学东莞光电研究院
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458 , C23C16/511
摘要： 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置，该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状，然后安置在升降式旋转支架，升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下，金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中，使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片，通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度，通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。
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公开(公告)号：CN110416372A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910608697.3
申请日：2019-07-08
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种面向micro-LED应用的无损微纳结构的制备方法。本发明通过电子束光刻实现微米或纳米级图形的转移和制备，灵活性强，适用于多种微、纳米器件结构的制备；规避了等离子体刻蚀损伤的引入对材料辐射复合效率的降低作用，有利于进一步提高于光电器件的性能；晶格选择性热化学刻相比传统的半导体刻蚀工艺，获得的位点可控的微米或纳米结构侧壁具有高度陡直性和光滑性，不受刻蚀工艺限制，能够获得不同极性面的位点可控的纳米结构；利用热化学刻蚀工艺制备micro-LED，无刻蚀损伤引入，改善器件性能，同时兼有现有工艺，能够实现批量生产。
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公开(公告)号：CN109585269A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811330967.0
申请日：2018-11-09
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法。本发明通过在半导体单晶厚膜结构与异质衬底之间引入二维晶体过渡层，利用原子层间分子力结合弱、易于破坏分离的特点，采用剥离方法实现半导体单晶厚膜结构与异质衬底的分离，得到大尺寸、高质量的自支撑半导体单晶衬底；能够根据二维晶体的厚度自主选择自剥离或机械剥离的方式，增加剥离工艺可控性，不会对半导体单晶厚膜结构造成损伤，成品率高，可重复性好；通过二维晶体层间弱分子力键合，部分释放异质衬底和半导体单晶厚膜结构间的失配应力，避免生长及降温时开裂；异质衬底可重复使用，工艺稳定，成本低廉；设备简单，易操作，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN108878265A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810714565.4
申请日：2018-07-03
申请人： 北京大学
CPC分类号： H01L21/02389 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/406 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0262
摘要： 本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO2层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO2衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长GaN薄膜。由于Si(100)表面重构产生两种悬挂键，导致氮化物生长时晶粒面内取向不一致而不能形成单晶，本发明以非晶SiO2层屏蔽衬底表面的两种悬挂键信息，并由石墨烯提供氮化物外延生长所需的六方模板，外延得到了连续均匀的高质量GaN单晶薄膜，为GaN基器件与Si基器件的整合集成奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN105428448B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510751121.4
申请日：2015-11-06
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L31/065 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。
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公开(公告)号：CN107083539A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710239962.6
申请日：2017-04-13
申请人： 北京大学
CPC分类号： C23C16/303 , C23C16/0272 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要： 本发明实施例公开了一种AlN外延薄膜制备方法。方法包括：S1、采用溅射法在衬底沉积AlN成核层；S2、采用MOCVD生长方法，在所述AIN成核层上，外延生长AIN模板；S3、采用低温、高温循环交替的方法，继续生长AIN薄膜。本发明实施例首先采用溅射法溅射一层AlN，然后在MOCVD中采用温度调制生长的方法生长AlN薄膜，与现有技术相比，能制备出的原子级表面平整、低位错密度AlN薄膜。
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公开(公告)号：CN106935479A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710142725.8
申请日：2017-03-10
申请人： 北京大学东莞光电研究院
IPC分类号： H01J63/02
CPC分类号： H01J63/02
摘要： 一种紫外射线光源，包括密封腔体和设在该密封腔体内的发光芯片，密封腔体上设有输出窗口，所述密封腔体内设有电子发射装置、两个电极、反光杯和透镜组，两个电极分别与供电电源的正负极连接使的该两个电极之间形成加速电场，电极设在电子发射装置的出口前方，发光芯片设在反光杯内，透镜组设在反光杯的前方；电子发射装置产生电子束，该电子束穿过电极后与水平方向成倾斜方向射向发光芯片使发光芯片产生紫外灯，该紫外灯经反光杯反射后从透镜组穿过并经输出窗口输出。本发明实现阴极射线紫外光源在光束形状及质量方面可调的目的。
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公开(公告)号：CN106680252A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611055447.4
申请日：2016-11-25
申请人： 北京大学
IPC分类号： G01N21/64
CPC分类号： G01N21/6428 , G01N2021/6439
摘要： 本发明公开了一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法。本发明的荧光标记载体包括：纳米管内壁、量子结构和纳米管外壁；本发明根据拟运载物的特点设计纳米管结构的尺寸，通过控制生长条件进行精确调控纳米管结构的尺寸；固定温度退火过程，保证核‑壳结构中的纳米线完全分解，并不破坏限制于纳米管内壁和纳米管外壁之间的量子结构；纳米管的荧光标记部分采用半导体量子结构，具有荧光强度高，持续时间长，光化学性质稳定，不易发生光漂白，高效率辐射复合；并且，可以采用连续宽谱激发，吸收系数大，荧光发射峰窄，无波长拖尾，可辨识度高；纳米管结构既可实现管内的运载物的荧光标记运载，还能进行传统的包裹式或结合式荧光标记运载。
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