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公开(公告)号：CN108923797A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810660107.7
申请日：2018-06-25
申请人： 东南大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种应用于LTE MTC电力物联网的新型发射机，包括：DSM调制器，用于分别采样和调制基带部分输出的I、Q两路正交数字基带信号，得到两路数字电平信号；本振可变增益衰减器，用于对本振信号功率衰减并输出多路正交差分信号；上混频器，用于将两路数字电平信号变换后作为其内晶体管开关的控制信号，以控制晶体管开关选择本振可变增益衰减器输出的正交差分信号中的某一路得到和输出射频信号；可变增益射频放大器，用于对射频信号按所需增益放大；射频功率放大器，用于对射频信号功率放大；射频SAW滤波器，用于对功率放大后的射频信号滤除带外噪声。本发明具有功耗低，可采用非线性较强的射频功率放大器，提高了发射机的能量效率。
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公开(公告)号：CN113866690B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
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公开(公告)号：CN114281594A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111392044.X
申请日：2021-11-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种芯片的实时检测方法、装置及芯片、存储介质，所述方法包括：在接收到任一检测电路发送的报警信号时，分别采用第一校验算法和第二校验算法对所述报警信号进行校验运算，得到第一校验信号和第二校验信号，所述检测电路与所述芯片各模块对应设置；在所述第一校验信号和所述第二校验信号比对失败时，触发所述芯片进行复位操作或自毁操作；通过采用第一校验算法和第二校验算法对报警信号进行校验运算，并将不同的校验信号的状态进行比对，在状态不一致时确定报警信号被攻击，并将报警信号反馈至应用，具有可抵抗多点故障攻击的效果。
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公开(公告)号：CN113990866A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN113889163A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111485264.7
申请日：2021-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明实施例提供一种翻转概率可控的随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述器件包括：基础磁隧道结三明治结构，自上而下包括参考层、隧穿势垒层和自由层；位于所述参考层上方的顶端电极，所述顶端电极具有顶端电极端口；位于所述自由层下方的调控层，用于为所述自由层提供偏置磁场，所述调控层包括重叠布置的交换偏置场层和底端电极；所述底端电极两端分别具有底端第一电极端口和底端第二电极端口；所述顶端电极端口、所述底端第一电极端口和所述底端第二电极端口用于单个或任意组合使用以调控所述随机隧道结器件的翻转概率。本发明方案实现了随机磁隧道结器件翻转概率可控。
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公开(公告)号：CN112614536A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011452068.5
申请日：2020-12-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。
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公开(公告)号：CN112581995A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011497059.8
申请日：2020-12-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明提供一种磁性存储介质的数据处理方法、系统及装置，属于芯片技术领域。所述方法包括：获取磁性存储介质的设定位置处的磁感应强度；在确定所述磁感应强度小于等于配置的磁感应强度阈值时，保持所述磁性存储介质的工作状态；在确定所述磁感应强度大于所述磁感应强度阈值时，备份所述磁性存储介质中的存储数据至备用存储介质，其中，所述备用存储介质的磁场屏蔽值大于所述磁性存储介质的磁场屏蔽值。本发明可用于智能电表中磁性存储介质的数据防护。
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公开(公告)号：CN112231695A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011484779.0
申请日：2020-12-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 武汉大学 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F21/52
摘要： 本发明涉及信息安全技术领域，提供一种基于分支预测机制的攻击方法及系统、存储介质。所述方法包括：基于分支预测机制构建针对目标程序的分支预测信息矩阵；对符合所述目标程序的输入数据规则的明文数据进行选择；将选择后的明文数据作为所述目标程序的输入数据或部分输入数据，采集所述目标程序运行的时间样本数据；根据所述分支预测信息矩阵确定与所述时间样本数据相对应的秘密信息。本发明在攻击过程中利用了目标程序运行的整体时间数据，对采集时间点位要求低，能够对泄露信息（秘密信息）进行整体刻画，减少对目标程序的控制要求，并且通过统计分析的方式进行攻击，对泄露的刻画更精确，提升时间攻击检测的精准性。
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公开(公告)号：CN112182998A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010743200.1
申请日：2020-07-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F30/32 , G06F115/06 , G06F115/08
摘要： 本发明公开了一种面向对象的芯片级端口互连电路及其端口互连方法，其中，面向对象的芯片级端口互连电路包括：PAD模块，PAD模块用于实现芯片与外部电路的连接；CORE模块，CORE模块包括PINMUX单元、IOCTRL控制单元、CPU单元和多个IP核，其中，PINMUX单元分别与PAD模块和多个IP核连接，CPU单元用于对IOCTRL控制单元进行配置，以使IOCTRL控制单元通过PINMUX单元对PAD模块与各IP核的连接通路进行控制。该芯片级端口互连电路可快速、高质量地完成芯片研发过程中各类IP核端口之间的互连需求。
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