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公开(公告)号：CN103383980B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310256681.3
申请日：2013-06-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀得到直径不同的氮化镓有序纳米柱（孔）阵列。在氮化镓衬底上生长包括SiO2、SiNx的一层介质薄膜，将PMMA和紫外固化胶依次旋涂在衬底样品表面;利用紫外软压印技术在紫外固化胶上形成大面积、低缺陷的有序纳米孔（柱）阵列结构，接着利用反应离子刻蚀技术刻蚀残余胶和PMMA，随后蒸镀金属薄膜剥离得到金属纳米柱（孔）阵列结构。反应离子刻蚀方法刻蚀介质薄膜层结构，得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构。
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公开(公告)号：CN104883800A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510330960.9
申请日：2015-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种GHz高速LED光通信驱动器，供电模块用于适合输出所需的恒压供电并对输出电流进行限制；LED工作模块由谐振腔、LED和K101构成；控制模块包括PWM发生装置、正电Buffer、负电Buffer，用于对开关K101进行开关控制；恒流模块由电阻、电容和运放构成；LED的阴极与开关K101、电阻依次串联后接地；谐振腔与LED并联；限流恒压单元一端与LED阳极连接，另一端接地；PWM发生装置的输出同时与正电Buffer的输入端和负电Buffer输入端连接；正、负电Buffer输出端输出控制信号以控制开关K101。本发明能够实现K101的高速开、关，从而实现对LED的超高速光调制。
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公开(公告)号：CN103383980A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310256681.3
申请日：2013-06-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀得到直径不同的氮化镓有序纳米柱（孔）阵列。在氮化镓衬底上生长包括SiO2、SiNx的一层介质薄膜，将PMMA和紫外固化胶依次旋涂在衬底样品表面;利用紫外软压印技术在紫外固化胶上形成大面积、低缺陷的有序纳米孔（柱）阵列结构，接着利用反应离子刻蚀技术刻蚀残余胶和PMMA，随后蒸镀金属薄膜剥离得到金属纳米柱（孔）阵列结构。反应离子刻蚀方法刻蚀介质薄膜层结构，得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构。
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公开(公告)号：CN102304738B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110206604.8
申请日：2011-07-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及铟镓氮基光电极的表面处理方法，可大幅提高其IPCE：把InxGa1-xN光电极作为阳极，浸在0.1～5M HCl水溶液中，在无光照条件下从0V到5V用循环伏安法扫描至少1个循环，其中0＜x＜1。作为优选方案，所述InxGa1-xN光电极表面InxGa1-xN的厚度不小于250nm，更优选为250-1500nm。本发明处理方法简单、高效，设备简单，易于大规模使用，表面处理后光电极量子转换效率大幅提高。
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公开(公告)号：CN102420277A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110360361.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101777488A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010101550.4
申请日：2010-01-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L31/09
Abstract: 提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法，采用MOCVD在α-Al2O3衬底上外延生长AlxGa1-xN合金薄膜层，采用AlN缓冲层或插入层防止薄膜层产生裂纹，通过对Al/Ga摩尔比的控制，实现对AlxGa1-xN的Al组分进行调节，Al组分范围为0≤x≤0.8；Al组分的控制方法是：保持注入Al的摩尔量一定，降低Ga和Al摩尔比范围从5.8至0.46。本发明可获得Al组分x高达0.8的AlxGa1-xN合金，Al掺入效率提高9％；质量优良，AlxGa1-xN(0002)典型的X射线摇摆曲线半峰宽小于300弧秒；发光性能优良，阴极荧光谱展示了显著强烈的带边发光峰；表面光滑平整，典型粗糙度(RMS)小于0.8nm。
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公开(公告)号：CN1811401A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510094827.4
申请日：2005-10-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 半导体材料的高温霍尔测量方法，在抽真空条件下进行加温测量半导体材料的参数。测量装置，包括磁场装置、测量控制电路、样品台、真空装置、加热电阻、样品台构成，设有密封容器，将样品台置于密封容器内、密封容器连接抽真空装置，在密封容器内的样品台设有加热电阻并与容器外的温控装置连接，且密封容器置于外加电磁铁的磁场内；样品台上设有电极探针，密封容器盖上设有用于通过电极探针向样品施加电流并测量从样品输出信号的电极引出孔，本发明装置可以在77K到773K温度范围内直接测量出或计算得到半导体样品的一些重要参数。
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公开(公告)号：CN117512512A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311672211.5
申请日：2023-12-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于长周期间隔循环式射频磁控溅射技术的AlN薄膜制备方法，以AlN陶瓷靶为溅射靶材，在蓝宝石衬底表面进行射频磁控溅射生长AlN薄膜，射频磁控溅射10min后，将电源和进气阀门均关闭，使功率和气体流量降为0，靶材和样品自然冷却10min后，再启动射频磁控溅射，如此溅射‑冷却循环进行，直至得到预定厚度的AlN薄膜。所制得的氮化铝薄膜具有光滑的表面，其表面均方根粗糙度小于1nm；依据本发明方法制备的氮化铝薄膜与半导体微电子技术相兼容，具有宽禁带，高击穿电压的优点，适用于与CMOS相关的高性能光电器件的工艺体系。
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公开(公告)号：CN116705880A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310761314.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器，包括衬底层及衬底层上的AlN有源层，其特征在于：在AlN有源层表面通过刻蚀形成凹陷的弧形台面，还包括弧形叉指电极，其中一侧的叉指电极蒸镀于AlN有源层表面，另一侧的相邻电极蒸镀于凹陷的弧形台面内，且不与弧形台面刻蚀的侧壁接触。还公开了其制备方法。本发明的一种基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器利用弧形叉指电极使得有源区暴露在深紫外光下，在可渗透深度内促进器件光吸收。同时，非共面电极使得台面边缘电场出现局域增强，延伸了近表面区域耗尽层宽度，可增大光响应度。
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公开(公告)号：CN115096949A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210559843.X
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种ε‑MnO2/WO3异质结材料，为ε‑MnO2纳米片与WO3纳米颗粒混合而成，在WO3纳米颗粒上粘附有片状的ε‑MnO2纳米片，WO3纳米颗粒占ε‑MnO2/WO3异质结材料的质量比为5‑15％。还公开了该异质结材料的制备方法和在检测H2S气体中的应用，以及采用该异质结材料制成的ε‑MnO2/WO3异质结H2S气体传感器。ε‑MnO2/WO3异质结材料具有对H2S气体高度的敏感度和响应度，可用于制备室温下检测H2S气体的传感器。
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