公开(公告)号：CN114566500A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202110473591.4

申请日：2021-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  洪正隆 ,  徐志安

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一沟道区域；第二沟道区域；以及包围所述第一沟道区域和所述第二沟道区域的栅极结构，所述栅极结构包括：栅极电介质层；位于所述栅极电介质层上的第一p型功函数金属，所述第一p型功函数金属包括氟和铝；位于所述第一p型功函数金属上的第二p型功函数金属，所述第二p型功函数金属的氟浓度和铝浓度低于所述第一p型功函数金属的氟浓度和铝浓度；以及位于所述第二p型功函数金属上的填充层。

公开(公告)号：CN114551446A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202110498148.2

申请日：2021-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  陈智城 ,  徐志安

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。公开了一种形成具有改进的功函数层的半导体器件的方法以及通过该方法形成的半导体器件。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底之上的沟道区域上沉积栅极电介质层；在栅极电介质层上沉积第一p型功函数金属；对第一p型功函数金属执行氧处理；以及在执行氧处理之后，在第一p型功函数金属上沉积第二p型功函数金属。

公开(公告)号：CN113555420A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110038193.X

申请日：2021-01-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  洪正隆 ,  徐志安

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开涉及晶体管栅极结构及其形成方法。一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，在第一纳米结构之上；高k栅极电介质，围绕第一纳米结构和第二纳米结构，高k栅极电介质具有位于第一纳米结构的顶表面上的第一部分，以及位于第二纳米结构的底表面上的第二部分；以及栅极电极，在高k栅极电介质之上。栅极电极包括：第一功函数金属，围绕第一纳米结构和第二纳米结构，第一功函数金属填充高k栅极电介质的第一部分与高k栅极电介质的第二部分之间的区域；以及钨层，在第一功函数金属之上，该钨层不含氟。

公开(公告)号：CN113380798A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202011169638.X

申请日：2020-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  洪正隆 ,  张文 ,  徐志安

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。公开了用于调整半导体器件中的栅极电极的有效功函数的方法以及由该方法形成的半导体器件。在实施例中，一种半导体器件，包括：沟道区域，在半导体衬底之上；栅极电介质层，在沟道区域之上；以及栅极电极，在栅极电介质层之上，该栅极电极包括：第一功函数金属层，在栅极电介质层之上，该第一功函数金属层包括铝(Al)；第一功函数调整层，在第一功函数金属层之上，该第一功函数调整层包括铝钨(AlW)；以及填充材料，在第一功函数调整层之上。

公开(公告)号：CN113257742A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110120277.8

申请日：2021-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  陈智城 ,  洪正隆 ,  张文 ,  徐志安

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括形成延伸到半导体基板中的隔离区域；以及使隔离区域凹入。在凹入的步骤之后，在介于隔离区域之间的半导体材料的部分高于隔离区域的顶表面突出，以形成半导体鳍片。前述方法进一步包括形成栅极堆叠物，其包括：形成栅极电介质于半导体鳍片的侧壁以及顶表面上；以及沉积作为功函数层的氮化钛层于第一栅极电介质之上。在介于大约300℃以及大约400℃之间的范围的温度下沉积氮化钛层。形成源极区域以及漏极区域在栅极堆叠物的两侧上。

公开(公告)号：CN107017156B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201610900912.3

申请日：2016-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  蔡承晏 ,  李达元

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/49

Abstract: 一种用于提供(例如，功函层的)预沉积处理以完成功函调整的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层以及在栅极介电层上方沉积功函金属层。之后，实施功函金属层的基于氟的处理，其中，基于氟的处理从功函金属层的顶面去除氧化层以形成处理的功函金属层。在一些实施例中，在实施基于氟的处理之后，在处理的功函金属层上方沉积另一金属层。本发明实施例涉及原子层沉积方法及其结构。

公开(公告)号：CN111863620A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201910824425.7

申请日：2019-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  李雅惠 ,  李达元 ,  苏庆煌

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：形成栅极电介质，该栅极电介质包括在第一半导体区域上延伸的第一部分；形成阻挡层，该阻挡层包括在栅极电介质的第一部分上方延伸的第一部分；形成第一功函数调整层，该第一功函数调整层包括位于阻挡层的第一部分上方的第一部分；将掺杂元素掺杂到第一功函数调整层中；移除第一功函数调整层的第一部分；使阻挡层的第一部分变薄；以及在阻挡层的第一部分上方形成功函数层。

公开(公告)号：CN110379713A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201811623153.6

申请日：2018-12-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昱璇 ,  苏庆煌 ,  洪正隆 ,  蔡承晏 ,  李达元 ,  李欣怡 ,  张文 ,  李威缙

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 总体地，本发明提供了涉及调整晶体管器件中的阈值电压和由此形成的晶体管器件的示例性实施例。描述了实现用于调整阈值电压的各种机制的各个实例。在示例性方法中，在衬底的器件区域中的有源区上方沉积栅极介电层。在器件区域中的栅极介电层上方沉积偶极层。将偶极掺杂物质从偶极层扩散至器件区域中的栅极介电层内。本发明的实施例涉及用于阈值电压调整的方法和由此形成的结构。

公开(公告)号：CN106992118A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610900900.0

申请日：2016-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承晏 ,  李欣怡 ,  吴仲强 ,  李达元 ,  张文 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了预沉积处理(例如，功函层的)以完成功函调节的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层并且在栅极介电层上方沉积功函金属层。在一些实施例中，实施包括功函金属层的预处理工艺的第一原位工艺。例如，预处理工艺去除了功函金属层的氧化层以形成处理的功函金属层。在一些实施例中，在实施第一原位工艺之后，实施包括在处理的功函金属层上方的另一金属层的沉积工艺的第二原位工艺。本发明的实施例还涉及半导体器件制造的方法和处理系统。