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公开(公告)号：CN114008755A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201980094654.6
申请日：2019-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/02 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本公开内容涉及用于等离子体处理基板的方法和设备。在一个实施方式中，基板处理腔室包括接地带组件。接地带组件包括接地带和一个或多个连接器，所述一个或多个连接器耦接到基板支撑件和/或腔室主体。每个连接器具有第一夹持构件和第二夹持构件。接地带紧固在每个连接器的第一夹持构件与第二夹持构件之间。第一夹持构件和第二夹持构件中的每一者的内表面耦接至接地带并且涂覆有介电涂层。内表面的厚度和粗糙度的调制使得能够调节连接器的电容特性。
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公开(公告)号：CN113972162A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111232228.X
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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公开(公告)号：CN106688078B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201580034916.1
申请日：2015-05-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积，所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括：第一入口，所述第一入口被连接到所述一个或多个通道；以及第二入口，所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室，并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。
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公开(公告)号：CN107301970A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710523780.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林兴 , 周建华 , Z·J·叶 , 陈建 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01J37/32715 , H01L21/67103 , H01L21/68735 , H01L21/6831 , H01L2221/683
Abstract: 公开了一种静电卡盘。所述静电卡盘包括：主体，所述主体耦合到支撑杆，所述主体具有基板支撑表面；肩部，所述肩部从所述主体的基板支撑表面突出，其中绕所述主体的周边设置所述肩部；内部电极，所述内部电极嵌入在所述主体内，所述内部电极从所述主体的中心径向地延伸到邻近所述肩部的区域；以及外部电极，所述外部电极嵌入在所述主体内，所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部，并且所述外部电极相对地设置在所述内部电极上方的一高度处。
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公开(公告)号：CN106688078A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580034916.1
申请日：2015-05-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积，所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括：第一入口，所述第一入口被连接到所述一个或多个通道；以及第二入口，所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室，并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106575634A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043795.7
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/68757 , H02N13/00
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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公开(公告)号：CN105225998A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510358900.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿卜杜·A·哈贾 , 段仁官 , A·库马尔 , 周建华 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本文描述的实施方式保护基板支撑件免受在高温下使用的腐蚀性清洁气体的腐蚀。在一个实施方式中，基板支撑件具有心轴和加热器。所述加热器具有主体。所述主体具有顶表面、侧面和底表面。所述顶表面是配置用于在基板的等离子体处理期间支持基板。提供遮罩以用于所述顶表面、侧面和底表面中的至少两者。所述遮罩是被选择用于抵抗在超过约400摄氏度的温度下对所述主体的腐蚀。
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公开(公告)号：CN103563065A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280023374.4
申请日：2012-05-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 哈里·基肖尔·安巴拉 , 尤纬·保罗·哈勒 , 周建华
IPC: H01L21/683 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67103 , G05D23/1932 , G05D23/22 , G05D23/2401 , H01L21/67248
Abstract: 本发明提供用于控制在处理腔室内的多区域加热器的温度的方法与装置。在一些实施方式中，提供控制多区域加热器的方法，所述多区域加热器被配置在基板支撑件上，其中所述多区域加热器具有第一区域与第二区域。在一些实施方式中，所述方法可包括以下步骤：测量在第一时间内被第一区域获取的电流；测量在第一时间内被第一区域获取的电压；根据在第一时间内测量到的被第一区域获取的电流与电压计算出第一区域的电阻；根据在第一区域的电阻与温度之间的预定关系来确定第一区域的温度；和调整第一区域的温度以响应温度确定。
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公开(公告)号：CN102844854A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201080055563.0
申请日：2010-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/68792
Abstract: 本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。
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公开(公告)号：CN206173434U
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201590000236.3
申请日：2015-01-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 段仁官 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , 周建华
CPC classification number: B32B37/24 , B32B38/0008 , B32B2037/246 , B32B2038/0016 , B32B2264/107 , B32B2315/02 , H01L21/67103 , H01L21/68757 , H05B3/143 , H05B3/42
Abstract: 本实用新型公开了一种包含扩散结合的耐等离子体的加热器板的基板支撑件。本实用新型的实施方式总体涉及具有在其上的保护涂层的受热的基板支撑件。所述保护涂层是由纯氧化钇或主要为氧化钇的合金制成。所述保护涂层被扩散结合到所述基板支撑件的加热器板。由于所述扩散结合，两个不同的含硅层形成在所述加热器板与所述保护涂层之间。
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