公开(公告)号：CN109314039B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201780024022.3

申请日：2017-01-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林兴 ,  周建华 ,  E·P·哈蒙德四世 ,  Z·J·叶 ,  Z·苏 ,  J·赵 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置成穿过该柱且耦合至该顶电极。

公开(公告)号：CN114121760A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111151942.6

申请日：2016-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林兴 ,  周建华 ,  Z·J·叶 ,  陈建 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  C23C16/513 ,  C23C16/458

Abstract: 公开了一种静电卡盘。所述静电卡盘包括：主体，所述主体耦合到支撑杆，所述主体具有基板支撑表面；肩部，所述肩部从所述主体的基板支撑表面突出，其中绕所述主体的周边设置所述肩部；内部电极，所述内部电极嵌入在所述主体内，所述内部电极从所述主体的中心径向地延伸到邻近所述肩部的区域；以及外部电极，所述外部电极嵌入在所述主体内，所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部，并且所述外部电极相对地设置在所述内部电极上方的一高度处。

公开(公告)号：CN108885973A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022341.0

申请日：2017-02-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林兴 ,  周建华 ,  刘宁利 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01J37/32724 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C30B23/063 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715

Abstract: 本公开的实施例大体上涉及半导体处理腔室中的基板支撑组件。半导体处理腔室可以是PECVD腔室，所述PECVD腔室包含具有基板支撑件和耦合至所述基板支撑件的心轴的基板支撑组件。RF电极被嵌入至所述基板支撑件中并且杆耦合至所述RF电极。所述杆由钛(Ti)或由涂覆有金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)的镍(Ni)制成。由Ti或涂覆有Au、Ag、Al或Cu的Ni制成的杆具有降低的电阻率和增加的趋肤深度，其最小化当RF电流行进通过所述杆时的热产生。

公开(公告)号：CN106449503B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN201610625498.X

申请日：2016-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林兴 ,  周建华 ,  Z·J·叶 ,  陈建 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  C23C16/513 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开的实施方式提供一种用于支撑基板的改进的静电卡盘。所述静电卡盘包括：卡盘主体，所述卡盘主体耦合到支撑杆，所述卡盘主体具有基板支撑表面；多个突片，所述多个突片远离所述卡盘主体的所述基板支撑表面突出，其中所述突片绕所述卡盘主体圆周设置；电极，所述电极嵌入在所述卡盘主体内，所述电极从所述卡盘主体的中心径向地延伸到超出所述多个突片的区域；以及RF电源，所述RF电源通过第一电连接耦合到所述电极。

公开(公告)号：CN107464774A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710413475.7

申请日：2017-06-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林兴 ,  A·A·哈贾 ,  E·P·哈蒙德四世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  C·A·拉玛林格姆 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  段仁官 ,  周建华 ,  J·J·斯特拉列

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/581 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/80 ,  H01L2221/683

Abstract: 本公开涉及具有用于实现最佳薄膜沉积或蚀刻工艺的性质的静电卡盘。公开一种受热支撑组件，所述受热支撑组件包括：主体，所述主体包含氧化镁掺杂的氮化铝，具有在约600摄氏度下约1×1010Ω-cm的体积电阻率；电极，所述电极嵌入在所述主体中；以及加热器网，所述加热器网嵌入在所述主体中。

公开(公告)号：CN108885973B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201780022341.0

申请日：2017-02-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林兴 ,  周建华 ,  刘宁利 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开的实施例大体上涉及半导体处理腔室中的基板支撑组件。半导体处理腔室可以是PECVD腔室，所述PECVD腔室包含具有基板支撑件和耦合至所述基板支撑件的心轴的基板支撑组件。RF电极被嵌入至所述基板支撑件中并且杆耦合至所述RF电极。所述杆由钛(Ti)或由涂覆有金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)的镍(Ni)制成。由Ti或涂覆有Au、Ag、Al或Cu的Ni制成的杆具有降低的电阻率和增加的趋肤深度，其最小化当RF电流行进通过所述杆时的热产生。

公开(公告)号：CN109314039A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780024022.3

申请日：2017-01-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林兴 ,  周建华 ,  E·P·哈蒙德四世 ,  Z·J·叶 ,  Z·苏 ,  J·赵 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置成穿过该柱且耦合至该顶电极。

公开(公告)号：CN106449503A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610625498.X

申请日：2016-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林兴 ,  周建华 ,  Z·J·叶 ,  陈建 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  C23C16/513 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/513 ,  H01L21/6831

Abstract: 本公开的实施方式提供一种用于支撑基板的改进的静电卡盘。所述静电卡盘包括：卡盘主体，所述卡盘主体耦合到支撑杆，所述卡盘主体具有基板支撑表面；多个突片，所述多个突片远离所述卡盘主体的所述基板支撑表面突出，其中所述突片绕所述卡盘主体圆周设置；电极，所述电极嵌入在所述卡盘主体内，所述电极从所述卡盘主体的中心径向地延伸到超出所述多个突片的区域；以及RF电源，所述RF电源通过第一电连接耦合到所述电极。

公开(公告)号：CN113972162A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111232228.X

申请日：2015-08-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·J·叶 ,  J·D·平森二世 ,  塙广二 ,  周建华 ,  林兴 ,  段仁官 ,  K·D·李 ,  金柏涵 ,  S·P·贝海拉 ,  S·哈 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  J·K·福斯特 ,  M·斯利尼瓦萨恩 ,  U·P·哈勒 ,  H·K·博尼坎帝

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。

公开(公告)号：CN107301970A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710523780.1

申请日：2016-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林兴 ,  周建华 ,  Z·J·叶 ,  陈建 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6831 ,  H01L2221/683

Abstract: 公开了一种静电卡盘。所述静电卡盘包括：主体，所述主体耦合到支撑杆，所述主体具有基板支撑表面；肩部，所述肩部从所述主体的基板支撑表面突出，其中绕所述主体的周边设置所述肩部；内部电极，所述内部电极嵌入在所述主体内，所述内部电极从所述主体的中心径向地延伸到邻近所述肩部的区域；以及外部电极，所述外部电极嵌入在所述主体内，所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部，并且所述外部电极相对地设置在所述内部电极上方的一高度处。