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公开(公告)号：CN1965392A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018635.3
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/0276
Abstract: 一种方法包括通过等离子体掺入方法将杂质引入固态基体的步骤、从该固态基体形成起着降低光反射率的功能的抗光反射膜的步骤、以及通过光辐射执行退火的步骤。降低了退火时辐射光的反射率，有效地将能量引入杂质掺入层中，改善了激活效率，在防止扩散的同时降低杂质掺入层的薄层电阻。
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公开(公告)号：CN1965391A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018450.2
申请日：2005-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/28035 , H01L29/7833
Abstract: 提供了一种具有均匀特征的并且能够以高成品率制造的半导体器件。为了消除由干法蚀刻引起的衬底表面内的差异，调整由作为后处理的掺杂和退火步骤引起的差异，最后提供在衬底表面内实现极佳均匀性的步骤。
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公开(公告)号：CN1298199C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN03104127.2
申请日：2003-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32376 , H01J37/32935 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
Abstract: 提供一种等离子体处理方法及装置，本发明的等离子体处理方法，其特征在于是在一边向配置在被处理物旁边的微等离子体源空间内供给气体，一边向上述微等离子体空间旁边的部件供给电力，在上述微等离子体源的空间内，发生微等离子体，从与上述空间连接的上述微等离子体源开口部分释放出的活性粒子作用于上述被处理物，在被处理物上形成细微线状部分的等离子体处理方法中，使气体与上述被处理物平行，沿着上述细微线状部分的长度方向，在开口部分附近进行流动，并在上述被处理物上形成细微线状部分。
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公开(公告)号：CN1284209C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN03104241.4
申请日：2003-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32082 , C23F4/00 , Y02E50/30
Abstract: 本发明公开一种等离子体处理方法及装置。一边向真空室内供给气体一边排气、使其控制在规定的压力，在与载置在所述真空室内的基片电极上的基片对向、设置在所述真空室内的天线上供给频率为30MHz～3GHz的高频电功率的同时，通过向所述天线供给与所述频率不同的频率100kHz～20MHz的高频电功率，使所述真空室内产生等离子体，处理形成在所述基片上的高熔点金属膜。
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公开(公告)号：CN1842896A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200480024667.X
申请日：2004-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/2236
Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基板等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1577747A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03160202.9
申请日：2003-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明的掺杂装置具有其中限定有室的真空容器。所述容器具有由电介质材料制成的一个部分，该部分具有将被掺杂在基片中的杂质，其中所述基片设置在所述室中。同样，在所述室中设置用于产生等离子体的等离子体源，所述等离子体源通过形成穿过所述容器的所述部分的电场来产生等离子体。利用所述装置，等离子体中的离子撞击容器的所述部分，从而将从所述容器的所述部分中出来的杂质供至所述室中。
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公开(公告)号：CN1430247A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02158815.5
申请日：2002-12-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32183
Abstract: 本发明提供一种匹配电路，该匹配电路能够实现很宽的匹配范围并且相对于负荷状态的变化稳定。第一可变电抗元件(32)的一端连接到匹配电路(30)的输入端子(31)上。第一可变电抗元件(32)的另一端连接到串联的第一固定电抗元件(33a)和第二固定电抗元件(33b)之间的点上。第一固定电抗元件(33a)接地，并且第二固定电抗元件(33b)连接到第二可变电抗元件(36)的一端上并且连接到带状线(37)的一端上。第二可变电抗元件(36)的另一端接地，并且带状线(37)的另一端连接到输出端子(38)上。
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公开(公告)号：CN1147693A
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：CN96110303.5
申请日：1996-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/30 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/507
Abstract: 在等离子处理方法中，通过将基片置于真空腔内的电极上、把气体导入真空腔并同时排出内部气体、向螺旋放电线圈施加高频电压并同时使真空腔内保持某一压力，以在真空腔内产生等离子体，从而处理基片，其特征在于：在处理基片时，至少改变气体类型、气体流速、压力、向线圈和电极施加的高频功率值及它们的高频电源频率等控制参数之一。该方法包括根据改变任何控制参数的定时选择，使等离子体密度平面分布得以控制的步骤。
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公开(公告)号：CN102387653B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110235970.6
申请日：2011-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/30
CPC classification number: H01L21/02667 , H05H1/28 , H05H1/34 , H05H1/3405
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，在等离子枪组件(T)中，整体形成线圈的铜棒(3)配置在石英块(4)上所设的铜棒插入孔(12)内，石英块(4)被在铜棒插入孔(12)及冷却水配管(15)内流过的水冷却。在枪组件(T)的最下部设置等离子体喷出口(8)，向长条腔室内部的空间(7)供给气体的同时，向铜棒(3)供给高频电力，而使长条腔室内部的空间(7)产生等离子体向基材(2)照射。据此，能够对基材(2)所期望的整个被处理区域在短时间内进行处理。
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公开(公告)号：CN102468143B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110343772.1
申请日：2011-11-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01L21/2236 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种结构简单的等离子体掺杂方法以及装置，在等离子体炬单元(T)中，螺旋形的导体棒(3)配置在表面涂敷了硼玻璃的石英管(4)的内部，在其周围配置了黄铜块(5)。一边向筒状室内供应气体一边对导体棒(3)供应高频电力，从而使筒状室内产生等离子体，对基材(2)进行照射。
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