公开(公告)号：CN101836296A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200980100763.0

申请日：2009-08-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈俊作 ,  神泽好彦 ,  三谷觉 ,  片山幸治 ,  岛川一彦 ,  藤井觉 ,  高木刚

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/147 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将成为漏极的N型扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)，使得在使电阻变化层(309b)成为高电阻的极性的电压信号被施加到晶体管(317)和电阻变化元件(309)的时候，在晶体管(317)不发生基板偏置效果。

公开(公告)号：CN101636840A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200780025155.9

申请日：2007-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤井觉 ,  高木刚 ,  村冈俊作 ,  小佐野浩一 ,  岛川一彦

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，该电阻变化层(104)介于第一电极(103)和第二电极(105)之间，电阻值根据被施加到两个电极(103)、(105)之间的电信号而可逆地变化。该电阻变化层(104)至少包含钽氧化物，以在将该钽氧化物表示为TaO x 的情况下满足0＜x＜2.5的方式构成电阻变化层(104)。

公开(公告)号：CN101167138A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200580049548.4

申请日：2005-09-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈俊作 ,  小佐野浩一 ,  三谷觉 ,  关博司

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147

Abstract: 一种电子元件，包括：第一电极(1)，第二电极(3)，以及连接在所述第一电极与所述第二电极之间、并且具有二极管特性和可变电阻特性的层(2)。所述层(2)，在从所述第一电极(1)及所述第二电极(3)中的一个电极向另一个电极延伸的正方向上，传导与和所述正方向相反的反方向相比电流量更多的电流。所述层(2)在所述正方向上的电阻值，根据被施加在所述第一电极(1)与所述第二电极(3)之间的规定脉冲电压而增加或减少。

公开(公告)号：CN101164168A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013802.X

申请日：2006-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小佐野浩一 ,  村冈俊作 ,  三谷觉 ,  名古久美男

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822 ,  G11C13/00 ,  H01L27/04

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145

Abstract: 电气元件，具备第一电极(1)、第二电极(3)、以及在第一电极(1)和第二电极(3)之间被连接的可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)，含Fe(铁)及O(氧)作为构成元素，在薄膜厚度方向氧含有量被改变。

公开(公告)号：CN1894751A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200480037496.4

申请日：2004-12-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈俊作 ,  小佐野浩一 ,  高桥健 ,  下田代雅文

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/31

Abstract: 本发明的初始化方法，是电阻值根据被施加的电脉冲的极性而增加或减少的材料即可变电阻材料(2)的初始化方法。以第一电极的电位高于第二电极的电位的方式，在连接在所述可变电阻材料(2)上的所述第一及所述第二电极(1、3)之间，至少施加一次具有第一极性的电脉冲。

公开(公告)号：CN103180948B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201280003077.3

申请日：2012-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈俊作 ,  魏志强 ,  高木刚

IPC: H01L27/105 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C11/5685 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2211/5648 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件，其中，在电脉冲的电压值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的关系、电阻变化层的电阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的关系的情况下，在对电极间外加电压值为V2以上的电脉冲时，电阻变化层为R2，在对电极间外加电压值为V4以下的电脉冲时，电阻变化层为R4，当电阻变化层的电阻值为R2时，在对电极间外加电压值为V3的电脉冲时，电阻变化层为R3，当电阻变化层的电阻值为R4时，在对电极间外加电压值为V1的电脉冲时，电阻变化层为R1。

公开(公告)号：CN103250252B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201280004074.1

申请日：2012-10-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 魏志强 ,  高木刚 ,  三谷觉 ,  村冈俊作 ,  片山幸治

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

Abstract: 非易失性存储装置具备第1电极（103）、第2电极（106）和电阻变化层（104），电阻变化层（104）具备：第1氧化物层（104a），含有第1金属的氧化物；第2氧化物层（104b），在第1氧化物层（104a）和第2电极（106）之间相接配置，含有第2金属的氧化物，与第1氧化物层（104a）相比氧不足率小；及局部区域（105），在第1氧化物层（104a）及第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接配置，不与第1电极（103）相接，与第2氧化物层（104b）相比氧不足率大，氧不足率与第1氧化物层（104a）不同。

公开(公告)号：CN103339681B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201280006650.6

申请日：2012-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈俊作 ,  三谷觉 ,  高木刚 ,  片山幸治

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种电阻变化元件的驱动方法，具有初始过程，其在第一次写入过程之前，通过施加第一极性的初始电压脉冲使金属氧化物层的电阻值从初始状态的电阻值向其他的电阻值变化，设初始状态的电阻值为R0，写入状态的电阻值为RL，消去状态的电阻值为RH，其他的电阻值为R2，设初始电压脉冲施加时的电流的最大值为IbRL，设写入电压脉冲施加时的电流的最大值为IRL，设消去电压脉冲施加时的电流的最大值为IRH，满足R0＞RH＞R2≥RL，且满足|IRL|＞|IbRL|。

公开(公告)号：CN103052991B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201280001689.9

申请日：2012-08-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河合贤 ,  岛川一彦 ,  加藤佳一 ,  村冈俊作

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79

Abstract: 公开了一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，恢复电阻变化故障，确保动作窗口，使电阻变化动作能够稳定地持续。在电阻变化型非易失性存储元件中，发生了电阻变化故障的情况下，对所述电阻变化型非易失性存储元件至少施加1次由第1恢复电压脉冲（14）和第2恢复电压脉冲（15）这两个脉冲构成的恢复电压脉冲，所述第1恢复电压脉冲（14）是振幅比通常的高电阻化电压脉冲及低电阻化电压脉冲大的高电阻化电压脉冲，所述第2恢复电压脉冲（15）后续于第1恢复电压脉冲（14），是低电阻化电压脉冲。

公开(公告)号：CN101568971B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200880001228.5

申请日：2008-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小佐野浩一 ,  村冈俊作 ,  藤井觉 ,  岛川一彦

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C7/1006 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供能够在三个以上的能够判别的状态再现性较好地写入，并且各个状态是十分稳定的状态，使作为多值的非易失性存储元件稳定地动作的非易失性存储元件和非易失性半导体存储装置以及它们的读出方法和写入方法。非易失性存储元件(101)中，设置在第一电极(111)和第二电极(113)之间的可变电阻层(112)以包含4族、5族、或6族的金属元件的氧化物的方式构成，在特定的电压的电脉冲被施加在第一电极(111)与第二电极(113)之间的情况下，得到其电阻值为高电阻值RH的第一高电阻状态和第二高电阻状态，以及其电阻值为低电阻值RL的低电阻状态中的某一种状态。