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公开(公告)号：CN101335188B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810127386.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/304
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/78654
Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI基板的制造方法，该SOI基板具备即使在使用玻璃基板等耐热温度低的基板时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用了这种SOI基板的可靠性高的半导体装置。对从半导体基板分离且接合在具有绝缘表面的支撑基板上的半导体层照射电磁波，并且对受到电磁波照射的半导体层表面进行研磨处理。通过电磁波照射，可以使半导体层的至少部分区域熔化，使得半导体层中的结晶缺陷减少。而且，通过研磨处理研磨半导体层表面来实现平坦化。因此，通过电磁波照射和研磨处理，可以制造具有结晶缺陷减少且平坦性高的半导体层的SOI基板。
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公开(公告)号：CN102226997A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110161168.7
申请日：2005-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L51/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 本发明涉及一种发光器件，包括：衬底上的薄膜晶体管；薄膜晶体管上的氢化膜，其中该氢化膜具有开口；氢化膜上的电极，该电极通过氢化膜的接触孔与薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触；形成在所述电极和氢化膜上的层间绝缘膜，其中该层间绝缘膜覆盖氢化膜的开口；形成在层间绝缘膜上的像素电极，该像素电极通过层间绝缘膜的接触孔与所述电极电接触；覆盖像素电极的外围部分的堤，其中像素电极未被所述堤覆盖的部分与氢化膜的开口重叠；和像素电极上的发光层。
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公开(公告)号：CN1697576B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200510070260.7
申请日：2005-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 在用于制造具有发光元件的显示器件的方法中，第一基底绝缘膜、第二基底绝缘膜、半导体层、以及栅绝缘膜按所述顺序被形成在衬底上。栅电极被形成在栅绝缘膜上以便于与半导体层的至少一部分重叠，并且作为栅绝缘膜与第二基底绝缘膜中的像素部分的一部分掺杂有至少一种导电类型的杂质。通过选择性地蚀刻都掺杂有杂质的栅绝缘膜与第二基底绝缘膜而形成开口部分。第一基底绝缘膜被暴露在开口部分的底表面中。随后，绝缘膜被形成得覆盖开口部分、栅绝缘膜以及栅电极，并且发光元件被形成在绝缘膜上以便于与开口部分的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN1700825B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510073702.3
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光器件，其中使得取决于观察发射的光所通过的表面的角度的发射光谱的变化减小。本发明的发光器件包括形成在衬底上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第二绝缘层以及形成在第二绝缘层上的半导体层。另外，形成栅绝缘层以覆盖第二绝缘层和半导体层。栅电极形成在栅绝缘层上。形成第一层间绝缘层以覆盖栅绝缘层和栅电极。开口形成在第一层间绝缘层、栅绝缘层和第二绝缘层中。形成第二层间绝缘层以覆盖第一绝缘层和开口。发光元件形成在开口上。
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公开(公告)号：CN101694836A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910211867.0
申请日：2005-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/124 , C23F1/20 , C23F1/26 , G02F1/136227 , G02F2001/13629 , H01L21/32134 , H01L21/32136 , H01L21/76838 , H01L21/76885
Abstract: 本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中，包含步骤：形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层；在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模；使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层；并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层，其中在该干法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率，且其中在该湿法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101663733A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880012749.0
申请日：2008-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/26506 , H01L21/76254
Abstract: 本发明的一个目的是提供即使使用像玻璃衬底或塑料衬底那样的柔性衬底，也可以高产率地制造可以用在实际应用中的含有SOI层的SOI衬底的方法。并且，本发明的另一个目的是提供使用这样的SOI衬底高产率地制造薄半导体器件的方法。当将单晶半导体衬底与含有绝缘表面的柔性衬底结合和分离单晶半导体衬底以制造SOI衬底时，激活结合表面之一或两者，然后将含有绝缘表面的柔性衬底和单晶半导体衬底相互附接在一起。
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公开(公告)号：CN101510524A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910005793.5
申请日：2009-02-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/84 , H01L21/316
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772
Abstract: 本发明名称为SOI衬底的制造方法。准备半导体衬底和由绝缘体构成的支撑衬底，在半导体衬底上形成包含氯原子的氧化膜，通过隔着氧化膜对半导体衬底照射加速了的离子，来在离半导体衬底的表面有预定的深度中形成脆弱区域，对氧化膜施加偏压而进行等离子体处理，将半导体衬底的表面与支撑衬底的表面相对，以将氧化膜的表面与支撑衬底的表面接合，在将氧化膜的表面与支撑衬底的表面接合之后进行热处理，并以脆弱区域为边界进行分离，从而中间夹着氧化膜在支撑衬底上形成半导体膜。
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公开(公告)号：CN100485872C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610144562.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/336 , C23C16/24
Abstract: 本发明通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×1020/cm3-1×1021/cm3浓度的稀有气体元素，和1×1015/cm3-1×1017/cm3浓度的氟。
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公开(公告)号：CN101409214A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810166515.3
申请日：2008-10-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法防止杂质进入SOI基板。激发包括从氢气、氦气、或卤素气体中选择的一种或多种气体的源气体以产生离子，并且将这些离子添加到接合基板，由此在接合基板中形成了形成了易碎层。然后，通过蚀刻、抛光等，除去接合基板的表面上和其附近的区域，即从比易碎层浅的位置到其表面这一区域。接下来，在将接合基板粘贴到底部基板之后，在易碎层处分离接合基板，由此，在底部基板上形成半导体膜。在底部基板上形成半导体膜之后，利用该半导体膜形成半导体元件。
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公开(公告)号：CN101335188A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810127386.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/304
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/78654
Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI基板的制造方法，该SOI基板具备即使在使用玻璃基板等耐热温度低的基板时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用了这种SOI基板的可靠性高的半导体装置。对从半导体基板分离且接合在具有绝缘表面的支撑基板上的半导体层照射电磁波，并且对受到电磁波照射的半导体层表面进行研磨处理。通过电磁波照射，可以使半导体层的至少部分区域熔化，使得半导体层中的结晶缺陷减少。而且，通过研磨处理研磨半导体层表面来实现平坦化。因此，通过电磁波照射和研磨处理，可以制造具有结晶缺陷减少且平坦性高的半导体层的SOI基板。
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