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公开(公告)号：CN109478560B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201780044106.3
申请日：2017-07-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/45 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 一种场效应晶体管，包括：栅电极，其构造为施加栅电压；源电极和漏电极，其构造为将电流输出；有源层，其设置在源电极和漏电极之间并由氧化物半导体形成；和栅极绝缘层，其设置在栅电极和有源层之间，源电极和漏电极各自包括由金属形成的金属区域和由一种或多种金属氧化物形成的氧化物区域，以及源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的一部分与有源层接触，并且氧化物区域的其余部分与除有源层之外的一个或多个部件接触。
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公开(公告)号：CN112514078A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980048921.6
申请日：2019-07-19
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/66 , H01L21/02
Abstract: 一种场效应晶体管，包括：源极和漏极；栅极；半导体层；以及栅绝缘层，其中，所述栅绝缘层是包含A元素和B元素的氧化物绝缘体膜，所述A元素是选自由Zr和Hf所组成的组中的一种或多种，并且所述B元素是选自由Be和Mg所组成的组中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN110431656A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880019311.9
申请日：2018-03-22
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/368 , H01L29/786
Abstract: 一种用于形成金属氧化物膜的涂布液，该涂布液包括：金属源，其为选自由无机盐、氧化物、氢氧化物、金属络合物和有机酸盐组成的组中的至少一种；至少一种选自由有机碱和无机碱组成的组中的碱；和溶剂。
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公开(公告)号：CN110392928A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880017391.4
申请日：2018-03-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/66
Abstract: (目的)使场效应晶体管小型化。(实现目的的手段)一种场效应晶体管，包括在基底上形成的半导体膜、在所述半导体膜的一部分上形成的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极，以及与所述半导体膜接触形成的源极电极和漏极电极，其中所述源极电极和所述漏极电极的厚度小于所述栅极绝缘膜的厚度，并且所述栅极绝缘膜包括不与所述源极电极或所述漏极电极接触的区域。
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公开(公告)号：CN110289204A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910189165.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/02 , H01L21/316
Abstract: 本发明的氧化物绝缘体膜形成用涂布液含有：含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110047938A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910211585.4
申请日：2014-10-23
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G09G3/36 , H01L27/32
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统。所述场效应晶体管包括：基体材料；钝化层；在它们之间形成的栅绝缘层；源电极和漏电极，其形成为与所述栅绝缘层接触；在至少所述源电极和所述漏电极之间形成的且与所述栅绝缘层、所述源电极和所述漏电极接触的半导体层；和与所述栅绝缘层接触且经由所述栅绝缘层面对所述半导体层的栅电极，其中所述钝化层包含第一钝化层和形成为与该第一钝化层接触的第二钝化层，所述第一钝化层包含含有Si和碱土金属的第一复合金属氧化物，且所述第二钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合金属氧化物。
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公开(公告)号：CN110024089A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073946.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。
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公开(公告)号：CN108886058A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780018536.8
申请日：2017-03-16
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/14
CPC classification number: G09F9/30 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/14
Abstract: 一种场效应晶体管，具有：栅电极，用于施加栅极电压；源电极和漏电极，用于传输电信号；有源层，其形成在所述源电极和漏电极之间；和栅极绝缘层，其形成在所述栅电极和有源层之间，所述场效应晶体管的特征在于，所述有源层包括至少两种氧化物层，层A和层B；并且所述有源层满足以下条件(1)和/或条件(2)。条件(1)：所述有源层包括3个或更多个氧化物层，其包括2个或更多个层A。条件(2)：所述层A的带隙低于所述层B的带隙，且所述层A的氧亲和力等于或高于所述层B的氧亲和力。
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公开(公告)号：CN108028270A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053386.X
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/66 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969
Abstract: 用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。
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公开(公告)号：CN104205340B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201380015030.3
申请日：2013-03-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/445 , H01L23/5328 , H01L27/1292 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供导电薄膜，其包含：含有铟和锡的金属氧化物；以及金。
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