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公开(公告)号：CN104340948B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410364783.1
申请日：2014-07-28
申请人： 原子能和替代能源委员会
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81B7/0058 , B81B7/0038 , B81B7/0077 , B81B2201/0228 , B81B2207/096 , B81C1/00285 , B81C1/00301 , B81C1/00682 , B81C2201/053 , B81C2203/0136 , B81C2203/0163 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225
摘要： 本发明涉及一种包括机械加强盖并且具有吸气效应的封装结构。一种用于封装至少一个微型装置(104)的结构(100)，所述至少一个微型装置(104)被制造在基底(102)上和/或基底(102)中并且被定位在至少一个在所述基底和刚性地附接到所述基底上的盖(106)之间形成的腔(110)中，其中，所述盖至少包括：一层第一材料层(112)，所述第一材料层(112)的一个表面(114)形成了所述腔的内壁，以及刚性地附接到所述第一材料层的至少所述表面上的机械加强部分(116)，所述机械加强部分(116)部分地覆盖所述第一材料层的所述表面并且具有气体吸收和/或吸附性能，并且其中，所述机械加强部分的第二材料的杨氏模量高于所述第一材料的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN104995130B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201480008678.2
申请日：2014-03-13
申请人： 英特尔公司
发明人： R·巴斯卡兰
CPC分类号： B81C1/00238 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81B2207/012 , B81C1/00015 , B81C2203/0118 , B81C2203/0136 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , H01L23/315 , H01L2224/16 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
摘要： 描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括：在第一衬底上形成至少一个MEMS结构；在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层；以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底，其中所述第二衬底包括器件层。该接合可以包括层转移工艺，其中形成集成的MEMS器件。
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公开(公告)号：CN103889887B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201280042820.6
申请日：2012-08-31
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 理查德·L·奈普 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC分类号： B81B7/00 , B81B2201/016 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , B81C2203/0136 , H01G5/16 , H01H59/0009 , Y10T29/49105
摘要： 本发明的实施例通常涉及一种使用进行沉积以形成空腔密封层的层和/或进行沉积以形成释放电极的层而被锚固的MEMS装置。MEMS装置的开关元件会具有柔性部分或可移动部分，还会具有电连接到接地的固定部分或锚固部分。用于密封其中设置有开关元件的空腔的层还可以连接到开关元件的固定部分或锚固部分，以在空腔内对固定部分或锚固部分进行锚固。另外，用于形成电极之一的层可以用于提供在空腔内对固定部分或锚固部分进行锚固的另外的杠杆。在任一
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公开(公告)号：CN105936498A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510535440.1
申请日：2015-08-27
申请人： 株式会社东芝
发明人： 山田雅基
CPC分类号： B81B7/0077 , B81B7/0054 , B81C1/00365 , B81C2203/0136
摘要： 本发明涉及MEMS装置，具有：MEMS元件，设置于基板上；第一保护膜，设置于基板上及MEMS元件上，形成对MEMS元件进行收容的空洞；密封层，以覆盖保护膜的方式设置；以及第二保护膜，设置于密封层上。并且，保护膜上的密封层的外侧端部设定为基板上的空洞的端部靠外侧，从密封层的外侧端部起至空洞的端部为止的距离A与保护膜的厚度B之比B/A为0.25～0.52的范围。
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公开(公告)号：CN105776123A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410792537.6
申请日：2014-12-18
申请人： 力智电子股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0058 , B81B2207/07 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
摘要： 本发明提供一种微机电系统元件及其制造方法，其步骤如下。在微机电系统结构上形成顶盖层。微机电系统结构中具有多数个牺牲结构。顶盖层具有多数个释放孔。释放孔位于牺牲结构上。在顶盖层上形成介电层，其中介电层填入释放孔中。对介电层进行平坦化工艺。然后，移除牺牲结构，以在微机电系统结构中形成至少一空腔。
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公开(公告)号：CN102803125B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201080027903.9
申请日：2010-06-24
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 巴特·范维尔岑 , 汉斯·范扎德尔霍夫 , 格雷亚·乔安娜·阿德里亚娜·玛利亚·费尔海登
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2203/0136
摘要： 一种制造MEMS器件的方法包括：形成MEMS器件元件(12)。在所述MEMS器件元件周围形成侧壁(20)，并且在所述器件元件上以及在所述侧壁内形成牺牲层(14)。在所述牺牲层上提供封装覆盖层(16)，并且去除所述牺牲层。这种方法向在MEMS器件上设置的帽盖提供附加的侧壁。然后，这些附加的侧壁可以通过不同的工艺沉积到封装覆盖层的顶部部分上，并且可以由不同的材料形成。所述侧壁可以防止牺牲层的回流，并且改善了侧壁的密封性质。
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公开(公告)号：CN105174196A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510292568.X
申请日：2015-06-01
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 衣川拓也
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B7/0064 , B81B2201/0264 , B81C2203/0136
摘要： 提供电子部件、电子设备以及移动体，电子部件提高了生产率且具有优异特性，电子设备以及移动体具有该电子部件。本发明的电子部件(1)具有：具有振动元件(5)的空腔部(S)的底部；顶部(641)，其具有孔(642)，并隔着空腔部(S)与底部相对地配置；遮挡部(621)，其在空腔部(S)内被配置在空腔部(S)的底部与顶部(641)之间，在从空腔部(S)的底部和顶部(641)排列的方向俯视观察时，遮挡部(621)与孔(642)重叠；以及密封部(662)，其经由孔(642)与顶部(641)以及遮挡部(621)这两者相连，将孔(642)密封。
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公开(公告)号：CN102906010B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180025550.3
申请日：2011-06-08
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
摘要： 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。
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公开(公告)号：CN104995130A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008678.2
申请日：2014-03-13
申请人： 英特尔公司
发明人： R·巴斯卡兰
CPC分类号： B81C1/00238 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81B2207/012 , B81C1/00015 , B81C2203/0118 , B81C2203/0136 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , H01L23/315 , H01L2224/16 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
摘要： 描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括：在第一衬底上形成至少一个MEMS结构；在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层；以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底，其中所述第二衬底包括器件层。该接合可以包括层转移工艺，其中形成集成的MEMS器件。
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公开(公告)号：CN104817052A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510053869.7
申请日：2015-02-02
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 蝦名昭彦
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B3/0021 , B81B2201/0271 , B81B2203/04 , B81B2207/015 , B81B2207/095 , B81C1/00293 , B81C2203/0136 , B81C2203/0778
摘要： 本发明涉及一种MEMS元件及其制造方法。该MEMS元件为了抑制从配置有MEMS部的空间的内壁上产生气体，而将MEMS部配置于至少由氮化硅膜和硅膜构成的空间中，所述硅膜具有第一孔，所述第一孔通过金属膜或金属硅化物而被填埋，通过所述金属膜或所述金属硅化物、所述氮化硅膜以及所述硅膜而形成气密结构。
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