利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

175 条记录 (耗时 0.021 秒)

    运算放大器及运算放大器的开关控制方法
    51.
    发明授权
    运算放大器及运算放大器的开关控制方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN101420206B

    公开(公告)日：2013-01-30

    申请号：CN200810170611.5

    申请日：2008-10-22

    申请人： 株式会社理光

    发明人： 安达幸一郎

    IPC分类号： H03F3/45

    CPC分类号： H03F3/45183 ,  H03F1/523 ,  H03F3/3028 ,  H03F2200/513 ,  H03F2203/45396 ,  H03F2203/45616 ,  H03F2203/45726

    摘要： 本发明涉及运算放大器及其开关控制方法。睡眠状态时，断开运算放大器(1)的非反转输入端及反转输入端与外部的连接，PMOS晶体管(M2，M3)及NMOS晶体管(M7，M8)的各栅极分别与接地电压GND连接，PMOS晶体管(M2，M3)的各源极和各衬底栅分别与接地电压GND连接，PMOS晶体管(M9，M10)的各源极分别与接地电压GND连接，NMOS晶体管(M7，M8)的各漏极分别与接地电压GND连接，PMOS晶体管(M11)的漏极与电源电压VDD连接。为了减少输出噪声，使用低耐压晶体管场合，即使在通常动作时及睡眠状态时，也能防止对该低耐压晶体管施加超过耐压那样的电压。

    自适应参量功率放大器保护电路
    53.
    发明公开
    自适应参量功率放大器保护电路 失效

    公开(公告)号：CN102439856A

    公开(公告)日：2012-05-02

    申请号：CN201080022348.0

    申请日：2010-05-21

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： 阿里斯托泰莱·哈奇克里斯托斯 ,  居尔卡瓦·S·萨霍塔

    IPC分类号： H04B1/04 ,  H03F1/52

    CPC分类号： H04B1/0466 ,  H03F1/523 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/468

    摘要： 本发明描述一种包括增益控制元件的装置，所述增益控制元件耦合于具有自适应参量功率放大器PA保护电路的射频RF PA之前或之内。在示范性实施例中，所述装置包括增益控制元件，所述增益控制元件耦合于具有带有对应晶体管击穿阈值的功率级的射频功率放大器之前，所述装置具有自适应参量PA保护电路，所述自适应参量PA保护电路经配置以接收至少一个功率级漏极-源极电压参数值、至少一个功率级漏极-栅极电压参数值及至少一个功率级漏极-源极电流参数值，且所述装置包括自适应参量PA保护电路，所述自适应参量PA保护电路具有用于处理所述参数值的第一区段及用于产生增益校正信号以在所述对应晶体管击穿阈值内用所述功率级的最佳功率附加效率PAE调整所述增益控制元件的第二区段。

    输出缓冲电路及输出缓冲系统
    54.
    发明公开
    输出缓冲电路及输出缓冲系统 无效

    公开(公告)号：CN101911490A

    公开(公告)日：2010-12-08

    申请号：CN200980101482.7

    申请日：2009-04-14

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 福田大祐 ,  永野哲 ,  矢野刚广

    IPC分类号： H03K17/08 ,  H02M1/00 ,  H03F1/52 ,  H03K17/687 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0952

    CPC分类号： H03F1/523 ,  H03F3/2173 ,  H03K17/0822

    摘要： 本发明的输出缓冲电路具备：第一输出电路(2)，具有一个主端子保持为第一电压(VM)的第一上侧开关元件(4)、以及一个主端子与上侧开关元件(4)的另一个端子连接且另一个主端子保持为第二电压(GND)的第一下侧开关元件(5)，连接第一上侧开关元件(4)的另一个主端子和第一下侧开关元件(5)的一个主端子连接的部分构成向外部的输出部(6)；第二输出电路(22)，输出端子与第一输出电路(2)的输出部(6)连接；以及短路检测电路(24)，检测第一输出电路(2)的输出部(6)的短路；在输出缓冲电路启动时，在使第一输出电路(2)动作之前使第二输出电路(22)动作并使短路检测电路(24)动作，在未检测出输出部(6)的短路的情况下，使第一输出电路(2)动作，在检测出输出部(6)的短路的情况下，不使第一输出电路(2)动作。

    半导体器件
    57.
    发明授权
    半导体器件 失效 转让

    公开(公告)号：CN100390994C

    公开(公告)日：2008-05-28

    申请号：CN200510051138.5

    申请日：2005-02-28

    申请人： 富士通株式会社

    发明人： 若山繁俊 ,  甲斐睦章

    IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/66 ,  G01R31/28

    CPC分类号： H03F3/45183 ,  H03F1/52 ,  H03F1/523 ,  H03F3/45475

    摘要： 本发明提供了一种半导体器件。电容器具有MOS栅极结构，其中在栅极接线端和接地端之间具有栅极绝缘膜作为电介质。开关单元连接在栅极接线端和电源之间。接地端连接到地。配备有开关控制电路，其将开关单元的状态在导通态和非导通态之间切换。预定电压和栅极接线端电压被分别输入到开关控制电路的正相输入端和反相输入端。当栅极接线端电压高于预定电压时开关单元导通，当栅极接线端电压低于预定电压时开关单元非导通。

    耗尽型晶体管的功率放大器偏置保护
    58.
    发明公开
    耗尽型晶体管的功率放大器偏置保护 无效

    公开(公告)号：CN101030761A

    公开(公告)日：2007-09-05

    申请号：CN200710004329.5

    申请日：2007-01-23

    申请人： 阿尔卡特朗讯

    发明人： U·赛弗里德 ,  D·维格纳

    IPC分类号： H03F3/16

    CPC分类号： H03F1/52 ,  H03F1/30 ,  H03F1/523 ,  H03F3/189 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/471 ,  H03F2200/507

    摘要： 一种具有耗尽型晶体管的放大器，利用连接到耗尽型晶体管的栅极的阈值电压适配，实现了耗尽型晶体管的功率放大器偏置保护。该阈值电压适配控制用于耗尽型晶体管的漏极的电源电压开关，当阈值电压适配测量出施加到该栅极的电压在可容许的预定义范围之外时，则其触发电源电压开关以断开漏极DC馈送线路。电源电压开关的输入连接到耗尽型晶体管的漏极电压源，并且电源电压开关的输出连接到漏极DC馈送线路。

    具有开关电源的功率放大器
    59.
    发明授权
    具有开关电源的功率放大器 失效

    公开(公告)号：CN1068159C

    公开(公告)日：2001-07-04

    申请号：CN95197080.1

    申请日：1995-10-23

    申请人： 瓦克-科姆有限公司

    发明人： E·汤

    IPC分类号： H03F3/04

    CPC分类号： H03F1/523 ,  H03F1/0238

    摘要： 一种具有脉冲密度调制电源的功率放大器包括：电源(100)用于提供第一相对较高直流电压(Vdc1)和第二相对较低直流电压(Vdc2)；电压放大器(200)用于将第一相对低电压信号放大到第二相对高电压信号；电流放大器(300)用于增加第二信号的电流以驱动负载(1000)，其中电流放大器由第二直流电压供电，脉冲发生器(400)连接到线路将第二信号送到负载并且该线路提供能量到电流放大器，脉冲发生器将第二信号的瞬时电压幅值与提供给电流放大器的电压值相比较，并当第二信号的电压幅值相对供给电流放大器的电压升高以引起电流放大器接近饱和时，提供固定的持续脉冲，以第一直流电压提供给电流放大器。