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公开(公告)号：CN103993355A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410193673.3
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CuInS2单晶体的制备方法，把高纯原料粉末Cu、In、S均匀混合，真空封装入反应器，并用单一温区摇摆炉混晶的方法制备了CuInS2多晶锭，作后续籽晶和单晶生长的原料，然后用布里奇曼法制备小的CuInS2单晶块作籽晶，最后用磁场和籽晶辅助的移动加热法生长大的CuInS2单晶，本发明还公开了一种CuInS2单晶体制备装置，由反应容器、垂直炉和外加磁场系统组成。本发明改善了常规移动加热法制备CuInS2晶体时，生长速度较慢的问题，同时提高了晶体的生长速度和晶体的利用率，有效解决大直径单晶CuInS2的制备工艺问题，并为制备性能优越的CuInS2薄膜太阳电池提供理论和实践的基础。
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公开(公告)号：CN103305790A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310167243.X
申请日：2013-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明采用CdS/SiO2共溅射法，射频磁控溅射制备CdS量子点纳米复合薄膜，属于半导体纳米复合薄膜材料制备技术领域。溅射法与化学水浴法等比较，具有快速、低温，以功率及时间控制复合薄膜密度、厚度等优势。溅射制备CdS量子点纳米薄膜采用两步法：先在超高真空磁控溅射设备上，射频溅射沉积非晶CdS/SiO2复合薄膜；沉积完的非晶薄膜与硫在N2中进行退火处理成多晶膜。SiO2具有硅羟基，且又有很高的透射率及很低的散射率，适用纳米复合薄膜材料的表面修饰，在CdS/SiO2纳米复合薄膜中，起到保护CdS量子点、提高发光效率的作用，此类复合薄膜，作为在荧光太阳能聚光器下的转换层等，在光电技术中有广泛的运用前景。
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公开(公告)号：CN103280399A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310181496.2
申请日：2013-05-16
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/203 , C23C14/35 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜，涉及无机化合物功能薄膜制备技术领域及磁控溅射技术领域。其特征在于是通过一种特殊设计的复合靶材，利用普通磁控溅射及后退火处理得到成分分布均匀的、符合化学计量比的多元素化合物TiCoSb薄膜。其主要工艺参数为：溅射功率20W，工作气压0.7Pa，溅射时间60-120min，快速退火时间1-5min，常规退火时间30-120min。本发明实现了TiCoSb材料的薄膜化，为对其热电和光电性能的进一步研究及对其在薄膜热电、光电器件领域的应用有相当积极的作用。
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公开(公告)号：CN103268904A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310181487.3
申请日：2013-05-16
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/203
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及利用超声辅助物理气相沉积技术，生长多晶碘化汞薄膜，并在薄膜上制备了X射线探测器方法，属于以半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。该发明解决了制作碘化汞薄膜技术，与射线探测器制备工艺问题。此技术以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用物理气相沉积方法，制作了多晶碘化汞，并对其隔离大气，配置电极，又对薄膜器件进行有效封装，获得质佳的射线探测器。薄膜及制作的探测器经XRD、SEM、I-V等特性分析，表明气相沉积法可制得沿 晶向，柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且获甚佳晶粒完整性及均匀性，探测器与金有良好的欧姆接触。本发明适用于对X射线及Gama射线等的检测，有潜在的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN102942157A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210384637.6
申请日：2012-10-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法。本方法在基底的正面利用反应离子刻蚀法形成用于制作空腔的槽，槽的深度决定了空腔上方基底的厚度，然后在基底的表面和槽的侧壁与底部淀积阻挡层，选择性的去除基底的表面和槽底部的阻挡层，在槽的侧壁形成侧壁保护层，以侧壁保护层为掩模，继续刻蚀槽，形成深槽。采用湿法腐蚀法腐蚀深槽，在基底的内部形成腔体；然后于正面特定区域内制造含金属的加热装置和测温装置，随后沉积保护层。如此可以高效率低成本的获得加热装置和测温装置所处特定区域下方厚度可控的硅基底腔体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101882652A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010215770.X
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀晶化光学薄膜层的新型非晶硅薄膜太阳能电池的制备工艺，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法是通过等离子体化学气相沉积法(PECVD)在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积三层分别为P型、I型和N型的非晶硅(a-Si)薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光辐照样品表面，来实现N型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料太阳能可应用于太阳能汽车薄膜玻璃和建筑物薄膜玻璃幕墙。
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公开(公告)号：CN100568546C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810037725.2
申请日：2008-05-20
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种硅太阳能电池结深的测量方法，属硅太阳能电池性能参数测量方法技术领域。本发明的测量方法采用了阳极氧化法结合差重计算法对硅太阳能电池的结深进行测量和计算。本发明的测量方法是：先测量未腐蚀的磷扩散层硅基片即电池片的重量及方块电阻，然后用阳极氧化法来氧化所述硅基片表面，得到了氧化层；然后用氢氟酸腐蚀掉所产生的氧化层，随后测量其方块电阻，重复多次上次操作，直到方块电阻由大变小时，称得其重量；这个重量与一开始称得重量的差值就是扩散层的重量，将这个重量差值除以扩散层的密度和腐蚀掉的扩散层的面积，就得到扩散层的平均深度，也即就是电池片的结深。
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公开(公告)号：CN100568545C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710045848.6
申请日：2007-09-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法，主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜，属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明：当在SnS中掺杂0.2wt%的Sb2O3时，真空蒸发沉积所制得的薄膜在氢气氛围中再进行热处理，热处理的温度为400℃；热处理的时间为3小时；最终制得的SnS薄膜的电阻率为6.4Ω·cm，该SnS薄膜适用于作为太阳能电池的吸收层材料。
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公开(公告)号：CN100567557C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710045847.1
申请日：2007-09-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法，主要是在超声波作用下的真空蒸发物理气相沉积生长薄膜的方法，它特别是一种χ射线、γ射线探测器用的碘化汞多晶半导体薄膜的制备方法，属半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明利用一特殊设计的薄膜生长管体，将碘化汞原料放于管体底部，管体上部为一真空室，真空室顶部有一真空活塞盖，活塞盖侧部开有抽气口，通过该抽气口和真空抽气系统进行抽真空，使真空室内保持真空状态，真空度要求达到1.5～6.0×10-3Pa；薄膜生长管体放置在一设有超声波发生装置的水浴加热容器中，水浴温度为70～90℃，超声波发生装置的频率为40或59KHz；在该条件下进行气相沉积生长薄膜过程，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的碘化汞多晶半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN101127375A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710045848.6
申请日：2007-09-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法，主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜，属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明：当在SnS中掺杂0.2wt％的Sb2O3时，真空蒸发沉积所制得的薄膜在氢气氛围中再进行热处理，热处理的温度为400℃；热处理的时间为3小时；最终制得的SnS薄膜的电阻率为6.4Ω·cm，该SnS薄膜适用于作为太阳能电池的吸收层材料。
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