公开(公告)号：CN101736318A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910178338.5

申请日：2009-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其在真空容器内将相互反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环，从而层叠多层反应生成物的层而形成薄膜。成膜装置包括：旋转体；旋转机构；载置台；第1反应气体供给部件；第2反应气体供给部件；分离区域，设于旋转体上，为了分离被供给第1反应气体的第1处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域的气氛，在圆的周向上位于这些处理区域之间；以及排气口，对真空容器内的气氛进行真空排气，分离区域包括相对面部和供给分离气体的分离气体供给部件，该相对面部位于该分离气体供给部件的圆的周向两侧，在该相对面部与载置台之间形成用于供分离气体从该分离区域流动到处理区域侧的狭窄的空间。

公开(公告)号：CN101660138A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910169417.X

申请日：2009-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  竹内靖 ,  牛窪繁博 ,  菊地宏之

IPC: C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32559 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J1/00 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气体活化的电力的一对电极，为了将被活化的气体喷出到气体活化室内而沿着电极的长度方向设置的气体喷出口。

公开(公告)号：CN101220505A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710152462.5

申请日：2007-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  加藤寿 ,  冈部庸之 ,  冈田充弘 ,  本间学 ,  羽石朋来

IPC: C30B25/14 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/00 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置(1)。该薄膜形成装置(1)具有反应室(2)和与反应室(2)连接的排气管(5)，为了向反应室(2)或排气管(5)供给包含氟和氢的洗涤气体，使氟导入管(17c)和氢导入管(17d)连接在反应室(2)上。其中，氢导入管(17d)具有内部流路(174)和以覆盖内部流路(174)的方式形成的外部流路(175)。从内部流路(174)供给氢，从外部流路(175)供给氮。因此，将从内部流路(174)供给的氢在其周围被氮覆盖的状态下，从氢导入管(17d)供给。

公开(公告)号：CN1777985A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480011037.9

申请日：2004-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八挂保夫 ,  加藤寿 ,  安原萌 ,  入江敬

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/94

Abstract: 本发明提供一种可根据半导体晶片等基板上的颗粒检查结果，自动进行半导体制造装置诊断的系统。在优选实施方式中，晶片表面被分割为0.1～0.5mm的微小区域，检查在各微小区域有无颗粒。根据检查结果而作出使各微小区域中的颗粒有无与各微小区域的地址对应的数据。晶片表面可以被分割为数十～数百个大的评价区域。基于各评价区域中所包含的多个微小区域中的、检测出颗粒的微小区域数是否超过规定的基准值，将表示该评价区域的颗粒附着状态的二值数据分配给各评价区域。准备表示预先基于经验或实验而作成的二值数据的分布状况和颗粒附着主要原因的关系的对应表。通过将基于检查而作成的二值数据分配给对应表来确定颗粒的附着主要原因。

公开(公告)号：CN1692480A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN03802282.6

申请日：2003-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷武司 ,  加藤寿 ,  李镇秀 ,  真久真吾

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452

Abstract: CVD装置(2)形成由从氧化硅膜、氮化硅膜及氧氮化硅膜所组成的组中选择出来的膜构成的绝缘膜。该CVD装置包括：用于容纳被处理基板(W)的处理室(8)、在处理室内用于支撑被处理基板的支撑构件(20)、加热支撑构件支撑的被处理基板的加热器(12)、对处理室内进行真空排气的排气部(39)和向处理室内供给气体的供给部(40)。供给部包括：供给实质上由硅烷系列气体形成的第1气体的第1供给系统(42)、供给实质上由从氧化气体、氮化气体及氧氮化气体组成的组中选择出来的气体形成的第2气体的第2供给系统(44)和供给实质上由碳氢化合物气体形成的第3气体的第3供给系统(46)，可同时供给第1、第2和第3气体。

公开(公告)号：CN119876855A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411441602.0

申请日：2024-10-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明提供一种技术，可容易且精度良好地成膜为期望的膜厚。本发明的成膜方法在基板上进行成膜。成膜方法具有，(A)工序，在处理容器的内部使基板旋转，同时，以喷嘴机构部的排出口通过基板的中心的方式，使基板或喷嘴机构部进行相对移动，从排出口向基板排出处理气体，由此，在基板上进行成膜，(B)工序，从(A)工序的排出条件改变处理气体的排出条件，在处理容器的内部使基板旋转，同时，使基板或喷嘴机构部进行相对移动，从排出口向基板排出处理气体，由此，调整基板上形成的膜的膜厚。

公开(公告)号：CN119069330A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410640320.7

申请日：2024-05-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  和村有 ,  长谷部一秀 ,  两角友一朗

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够促进基板处理的均匀性、且能够提高生产率的技术。基板处理装置具备：处理容器；旋转台，其可旋转地设置在所述处理容器的内部；多个载置台，其在从旋转台的旋转中心离开的位置载置基板，且可相对于旋转台相对旋转。另外，基板处理装置具有配置在多个载置台的中心伴随旋转台的旋转而通过的位置上的多个喷嘴。多个喷嘴包含：处理气体排出部，其对于随着旋转台的旋转而移动的多个载置台的基板，向比该基板的半径短的径向范围排出处理气体；以及气体吸引部，其在比处理气体排出部靠外侧吸引气体。

公开(公告)号：CN117650077A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311077728.X

申请日：2023-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够在基板的面内均匀地进行基板处理的技术。基板处理装置具备处理容器和使基板旋转的基板保持部。另外，基板处理装置具备：第1喷嘴机构，其在内部空间以能够摆动的方式设置，并在摆动时向保持于基板保持部的基板喷出第1处理气体；第2喷嘴机构，其相对于第1喷嘴机构独立，在内部空间以能够摆动的方式设置，并在摆动时向保持于基板保持部的基板喷出第2处理气体；以及控制部，其控制基板保持部、第1喷嘴机构以及第2喷嘴机构。控制部在基板处理时在利用基板保持部使基板旋转着的状态下使第1喷嘴机构和第2喷嘴机构分别相互独立地摆动。

公开(公告)号：CN114807908A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210038157.8

申请日：2022-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菊地宏之 ,  浅利伸二 ,  泽田雄司

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  C23C16/458 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明提供一种能够调整由等离子体产生的离子的供给量的等离子体处理装置。其具有：处理室；旋转台，其设于所述处理室内，并能够将基板沿着周向载置；处理气体供给喷嘴，其能够向所述旋转台供给处理气体；等离子体天线，其位于所述处理室上的、覆盖所述处理气体供给喷嘴的至少局部的位置；以及离子捕捉板，其设于比所述处理气体供给喷嘴靠上方的、所述处理室内的与所述等离子体天线的至少局部重叠的位置。

公开(公告)号：CN111172515A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911082055.0

申请日：2019-11-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  石行慎 ,  佐藤润

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种不对基座造成损伤、利用蚀刻进行清洁的清洁方法和成膜方法。一种清洁方法，其是对设置到成膜装置的处理室内的基座进行干式清洁的清洁方法，其具有如下工序：将保护构件载置于在所述基座设置的基板载置区域的工序；以及在将所述保护构件载置到所述基板载置区域的状态下向所述基座供给清洁气体、利用蚀刻去除在所述基座的表面上堆积的膜的工序。