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公开(公告)号：CN101859693B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010144440.6
申请日：2010-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67207 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置中，将成膜安装和用于进行退火处理的热处理装置与真空输送室气密地连接，并且，在真空输送室内设有作为自转机构的旋转工作台。对晶圆供给BTBAS气体，并使该气体吸附于晶圆，接着，将会与BTBAS气体反应，生成带有流动性的硅氧烷聚合物的乙醇气体和氧化硅氧烷聚合物的O3气体按该顺序供给晶圆，进行成膜处理，并且在该成膜处理的过程中，从成膜装置取出晶圆，使基板旋转，改变其方向，并进行退火处理，以使反应生成物致密化。
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公开(公告)号：CN102453888A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110312237.X
申请日：2011-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45548
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。该成膜装置在容器内设有用于划分出成膜空间的、由耐腐蚀性比构成容器的材料的耐腐蚀性优良的材料制作而成的分区构件，该成膜空间包含：配置在容器内、用于载置基板的旋转台；用于向旋转台供给第1反应气体的第1反应气体供给部；用于向旋转台供给第2反应气体的第2反应气体供给部。该成膜装置包括用于测量成膜空间压力的压力测量部、及用于测量成膜空间的外侧空间的压力的压力测量部，通过这些测量，成膜空间的外侧空间的压力被维持为稍高于成膜空间压力的压力。
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公开(公告)号：CN102054663A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010534982.4
申请日：2010-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/45502 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45587 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T137/8376
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，通过分别调整多个排气通路的排气流量，控制真空容器内的处理气体的气流，使朝向基板的气流保持恒定。能够分别从设有第1阀(65a)的第1排气通路(63a)和设有第2阀(65b)的第2排气通路(63b)对真空容器(1)内的气氛进行真空排气，调整第1阀(65a)的开度，使得真空容器(1)内的压力成为处理压力(P)，并且为了将第1排气通路(63a)的排气流量和第2排气通路(63b)的排气流量成为与制程程序相对应的设定值，将蝶阀(67)的开度(V)设定为记载于表(86)中的值，接着，调整第2阀(65b)的开度使得压差计(68)的测量值成为记载于表(86)中的压差(ΔP)。
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公开(公告)号：CN101831632A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010133561.0
申请日：2010-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/402 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45589 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：载置台，其设在真空容器内且具有沿着以该载置台的中心部为中心的圆而形成的基板的载置区域；主气体供给部，其为了将反应气体供给到上述载置台的上述载置区域，与上述载置台相对设置；补偿用气体供给部，其为了对由上述主气体供给部供给的反应气体的在上述载置台的半径方向上的气体浓度分布进行补偿而将上述反应气体供给到上述载置台的表面上；旋转机构，其用于使上述载置台以该载置台的中心部为旋转轴而绕铅垂轴线相对于上述主气体供给部和补偿用气体供给部进行相对旋转。
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公开(公告)号：CN101748388A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910204580.5
申请日：2009-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4551 , C23C16/402 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , H01L21/6719 , H01L21/67703
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，包括：旋转台，具有载置基板的基板载置区域；真空容器，具有收纳旋转台的容器主体和气密地堵在该容器主体上表面上的顶板；开闭顶板的开闭机构；多个反应气体喷嘴，被支承在外周壁上，设置成贯穿真空容器的容器主体的外周壁而与基板载置区域的通过区域相对并且相互隔开间隔地位于旋转台上相对于旋转中心而言不同相位的位置上，从沿着旋转中心径向设置的气体喷出孔分别将反应气体供给到基板的表面上，由此形成多个处理区域；分离气体供给部件，用于分离多个处理区域之间的气氛，被设置在相对于旋转中心而言处理区域的相位之间的位置上，供给分离气体，由此形成分离区域；以及真空排气部件，对真空容器内的气氛进行排气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101740447A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910223514.2
申请日：2009-11-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/52 , G01B11/00 , H01L21/67259 , H01L21/681
Abstract: 本发明提供一种基板位置检测装置、基板位置检测方法、成膜装置、成膜方法。公开的基板位置检测装置包括：对作为位置检测对象的基板(W)进行拍摄的摄像部；被配置在摄像部和基板之间，具有确保摄像部相对于基板的视场的第1开口部的光散射性的板构件；将光照射到板构件上的第1照明部；以及从由摄像部拍摄的基板的图像求出基板的位置的处理部。
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公开(公告)号：CN101665927A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910172127.0
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给至少两种反应气体而在基板上形成薄膜的成膜装置包括：旋转台；上述旋转台上的基板载置部；相互分离地设置，在上述旋转台上分别将第1、第2反应气体供给到第1、第2处理区域的第1、第2反应气体供给部件；位于上述第1、第2处理区域之间，具有供给第1分离气体的第1分离气体供给部件和顶面的分离区域；位于上述真空容器内部，形成有喷出第2分离气体的喷出孔的中心部区域；排气口；使上述旋转台以上述基板通过上述第1处理区域时的上述旋转台的角速度与上述基板通过上述第2处理区域时的旋转台的角速度为不同的角速度的方式旋转。
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公开(公告)号：CN101665923A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910172121.3
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本间学
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法，成膜装置包含以可旋转的方式设置在在容器内的旋转台。第1及第2反应气体供给部分别向旋转台的一个面供给第1反应气体及第2反应气体。向位于被供给第1反应气体的第1处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域之间的分离区域，从分离气体供给部喷出第1分离气体。分离区域设有顶面，在顶面和旋转台之间形成有用于使分离气体从分离区域向处理区域一侧流动的狭窄空间。在基板载置部设置有用于升降基板的升降机构。升降机构相对于旋转台而言，既能在上下方向上移动，又能沿旋转台的径向移动。
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公开(公告)号：CN101665919A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910172115.8
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置、成膜方法。该成膜装置是在真空容器(1)内供给第1和第2反应气体来形成薄膜的成膜装置，包括：旋转台；从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部；设于第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第1分离气体供给部；包括第1反应气体供给部并具有第1高度的第1空间；包括第2反应气体供给部并具有第2高度的第2空间；包括第1分离气体供给部并具有比第1高度和第2高度低的高度的第3空间；检测旋转台的旋转位置的位置检测部件；设于旋转台的周缘、被位置检测部件检测的被检测部。
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公开(公告)号：CN101660140A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910169415.0
申请日：2009-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/285 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法、基板处理装置。该成膜装置包括：旋转台；第1反应气体供给部件；第2反应气体供给部件；分离区域，其在上述周向上位于被供给上述第1反应气体的第1处理区域和被供给上述第2反应气体的第2处理区域之间；第1排气通路；第2排气通路；第1真空排气部件；第2真空排气部件；第1压力检测部件；第2压力检测部件；处理压力检测部件；以及控制部，其根据由上述第1压力检测部件和上述第2压力检测部件检测出的各压力检测值，输出控制上述第1阀和上述第2阀的开度的控制信号，使得上述真空容器内的压力、上述第1排气通路和上述第2排气流过的各气体的流量比成为分别被设定的设定值。
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