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公开(公告)号：CN1399308A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α－Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α－Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α－Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
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公开(公告)号：CN1383162A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02113088.4
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。
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公开(公告)号：CN1363730A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01137373.3
申请日：2001-12-13
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 一种控制氮化镓(GaN)极性的方法,尤其是在蓝宝石表面生长氮化镓时控制氮化镓(GaN)极性的生长方法,在蓝宝石衬底上生长氮化镓,生长系统的生长温度:低温区,850－900℃,高温区在1050－1100℃范围内;将HCl(源HCl)/氮气载气通入含金属镓管路,在通入HCl/氮气载气的同时,氨气和氮气载气、额外HCl/总氮气也通入系统;三路气体在蓝宝石衬底表面混合,得到氮化镓薄膜。本发明通过将一定量的HCl添加到传统HVPE生长方法中的总氮气流中,引入GaCl和NH3混合生长区,通过改变蓝宝石衬底表面的化学反应平衡,抑制N面极化GaN的成核,获得了具有平滑表面的Ga极化GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN117558616A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311457281.9
申请日：2023-11-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , B23K26/53
Abstract: 本发明公开了一种基于应力层的半导体单晶材料激光剥离方法，其步骤包括：(1)在半导体单晶材料的表面，通过掩膜板形成图形化的应力层；(2)将激光聚焦在半导体单晶材料内部一定的深度，利用焦点处的热效应将材料分解，形成改质层，并产生微裂纹；(3)在半导体单晶材料表面涂敷热释胶或聚酰亚胺胶带，施加机械外力，即可剥离获得半导体单晶薄膜。本发明的工艺和工序简单，耗时短，与传统线切割或常用剥离等工艺相比可以减少材料损耗、节省大量的时间和成本。
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公开(公告)号：CN117418316A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311457282.3
申请日：2023-11-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明采用金属镓和Ga2O3粉末混合物作为GaN生长过程中的Ga源，改变了在传统的HVPE中只采用金属镓作为镓源的方式，可以有效的产生Ga2O气体，防止传统的GaCl和氨气反应产生过多的氯化铵固态产物堵塞设备出口，并提高了原材料的利用率、GaN生长速率和晶体质量等。因为固态产物的减少，HVPE设备可以长时间运行，不需要短时间内进行设备清理，可以进行厘米级大尺寸GaN体单晶晶锭的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114914316B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210559835.5
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器，其特征在于自下而上依次包括：衬底层、底部GaN缓冲层、InGaN渐变层、InN层、GaN顶层，源极和漏级，所述GaN顶层在源极和漏级之间设有散布或矩阵分布金纳米颗粒的区域，形成表面等离激元结构。本发明通过窄禁带半导体异质结实现红外响应，采用表面等离激元增强型晶体场效应管结构以通过光增强提高灵敏度，实现了近红外探测。
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公开(公告)号：CN114293251B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111559075.X
申请日：2021-12-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β‑Ga2O3薄膜，使得外延的β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延的形貌，将β‑Ga2O3薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中进行氮化部分氮化或全部氮化，得到高质量多孔GaN模板晶体。本发明采用具有一定切割角的蓝宝石衬底，合适的切割角会使β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延模式，从而得到高质量β‑Ga2O3薄膜，将高质量β‑Ga2O3薄膜氮化即可得到高质量GaN多孔模板。本发明制备的高质量GaN多孔模板可以用于外延GaN，GaN多孔模板质量越好，在其上外延的GaN衬底质量越高。
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公开(公告)号：CN114914316A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210559835.5
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器，其特征在于自下而上依次包括：衬底层、底部GaN缓冲层、InGaN渐变层、InN层、GaN顶层，源极和漏级，所述GaN顶层在源极和漏级之间设有散布或矩阵分布金纳米颗粒的区域，形成表面等离激元结构。本发明通过窄禁带半导体异质结实现红外响应，采用表面等离激元增强型晶体场效应管结构以通过光增强提高灵敏度，实现了近红外探测。
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公开(公告)号：CN114293251A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111559075.X
申请日：2021-12-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β‑Ga2O3薄膜，使得外延的β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延的形貌，将β‑Ga2O3薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中进行氮化部分氮化或全部氮化，得到高质量多孔GaN模板晶体。本发明采用具有一定切割角的蓝宝石衬底，合适的切割角会使β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延模式，从而得到高质量β‑Ga2O3薄膜，将高质量β‑Ga2O3薄膜氮化即可得到高质量GaN多孔模板。本发明制备的高质量GaN多孔模板可以用于外延GaN，GaN多孔模板质量越好，在其上外延的GaN衬底质量越高。
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公开(公告)号：CN114220872A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111609065.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种纵向结构功率肖特基二极管器件，其结构自下而上依次包括：具有变面电场反转层的器件外延结构，所述变面电场反转层由反向pn结组成，形成从表面指向衬底的内建电场，该电场与器件反向耐压时电极电场方向相反；所述器件外延结构顶部设有深度渐变的阳极凹槽结构，阳极凹槽的底部在漂移层，还包括阳极电极，所述阳极电极覆盖所述阳极凹槽。本发明采用深度渐变阳极金属结构，充分利用了变面反转电场特性和维持势垒阻挡层，实现最大程度的器件高耐压和低导通。
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