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公开(公告)号：CN101349641A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810196207.5
申请日：2008-08-28
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 有机污染物的紫外光电动态污染监测的方法，a)、针对具体的监测地点与环境，在数据处理系统(3)中预置一个参考紫外光谱图与几个具体的特征污染物的参考吸收谱图数据库；b)、根据不同的紫外光源(1)的波长，测量一个至几个不同紫外波长处的紫外光吸收值数据，需要的不同紫外波长光源个数要根据需要动态监测的特征污染物的个数，不同波长的光源个数等于所需要动态监测的特征污染物个数加一，通过数据处理系统(3)与预置的参考紫外光谱图比较，得到一组吸光度差值数据；c)、根据吸光度差值及比值，比对数据处理系统(3)中预置的特征污染物的参考吸收谱图数据库，得到污染物的种类和浓度。可实时监测环境污染情况及具有预警功能。
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公开(公告)号：CN101330005A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810124346.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01F41/22
Abstract: 本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件，依据不同的器件应用生长不同的外延结构，可以制备自旋场效应管，自旋发光二极管，应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长，获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料，研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容，在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。
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公开(公告)号：CN101315881A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810124323.6
申请日：2008-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/8247 , C23C14/28
Abstract: LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜；控制生长腔的真空在10－3Torr以上；将衬底温度升至300－900度，然后向腔内通入高纯氧，氧压控制在5－90帕；调整激光器频率设置为5HZ，能量为300mJ，并预先将激光预溅射靶材3－5分钟，清洁衬底表面的污染；最后，将脉冲激光聚焦于靶材上，打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN101307485A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810018876.3
申请日：2008-01-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 用于半导体材料气相淀积生长系统的氮源离化方法，在CVD、MOCVD、HVPE以及MBE等半导体材料生长系统中采用外加射频场的方式对氮源进行离化。采用高频电流加到电容或电感线圈的电极上，通过平行电容板间或电感线圈对其包围的气路进行高频电场的施加；加速电子，离化气体分子，从而产生等离子体。装置包括金属法兰(1)、冷却水管路(2)、石英外罩(3)、石英整流罩(5)、金属盖(6)、平等板电容器(7)、热电偶(8)、石墨(9)、抽气孔(10)、射频匹配器(11)、射频功率源(12)、进气口的(13)构成，金属法兰(1)和金属盖(6)装在石英外罩(3)的两端，在包围进气口(13)气路上或生长平台的气路上设有电容或电感耦合元件。
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公开(公告)号：CN101289172A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810023437.1
申请日：2008-04-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法，以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底，通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒，该方法简单实用，无需催化剂，在常压下即可进行，且生长的纳米线为六方晶系单晶结构，纳米棒为立方晶系单晶结构，质量高，本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101217175A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810019327.8
申请日：2008-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 具有宽谱光发射功能的半导体发光器件结构和制备方法，包括衬底材料，直接生长在衬底上的过渡层和之上的GaN或n－GaN，多层量子阱有源区：具有宽谱光发射功能的氮化物道题量子结构发光层是量子阱结构，由InxGa1－xN阱层和InyGa1－yN垒层构成，其中1＞x＞y≥0，所述的量子阱结构中的x和y在各自层中是空间均匀的；所述的量子阱结构的阱/垒双层重复1－10个周期；顶层氮化物，GaN或p－GaN，所述的顶层氮化物厚0.02－2微米；并含有多重发光中心，多重发光中心可发出包含360－900纳米范围的连续谱发光。氮化物半导体材料是利用金属有机物化学汽相外延(MOCVD)外延生长系统外延生长得到。
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公开(公告)号：CN100395379C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510123107.6
申请日：2005-12-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500-700℃温度范围生长厚度在20-100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900-1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
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公开(公告)号：CN101122519A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710026124.7
申请日：2007-08-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01J1/42 , G01J1/44 , H01L31/105
Abstract: 太阳光紫外线指数监测的微型探测装置，是利用GaN基和AlGaN基微型紫外探测器、芯片尺寸小于2－3mm2，在290nm－400nm波长的包含紫外线A和紫外线B谱线范围的带宽内的响应特性；并由驱动电路对探测器人信号进行放大输出，驱动电路是由放大电路和AD转换和信号处理及显示电路构成，探测器先接放大电路再连接AD转换、信号处理及显示电路。本发明利用微型化GaN基或AlGaN基结构微型紫外探测器对紫外射线具有带隙连续可调，适当的带宽、快的响应速度等特性，通过微型放大集成电路和微型显示输出装置直接、适时显示太阳光紫外线强度。
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公开(公告)号：CN101101933A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710025126.4
申请日：2007-07-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/05 , H01L31/052
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: 铟镓氮(InGaN)p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法，采用p-n结型太阳电池的电流-电压方程、InxGa1-xN禁带宽度与In组分关系式和InxGa1-xN材料的相关参数，计算InGaN多结(含单结)太阳电池的最大转换效率以及获得此转换效率时的其中各结材料的最佳禁带宽度和对应的In组分值，用这些不同In组分的InxGa1-xN为其中各结电池材料，在各结电池之间用隧道结垂直串联起来，在第1结的n(或p)-Inx1Ga1-x1N和最后第i结的p(或n)-InxiGa1-xiN上设有金属导电电极，入射表面覆盖减反射膜。
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公开(公告)号：CN1329955C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200410041436.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底，铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在800～950℃条件下，以NH3和HCl为原料气生长，直到生长完成。本发明的特点是：由于铝酸锂(001)或镓酸锂和GaN(11-20)的晶格常数基本一致，没有很大的结构失配，生长得到的GaN薄膜位错密度较低，质量较高。
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