公开(公告)号：CN102347360B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201010569674.5

申请日：2010-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊宏 ,  张立伟 ,  朱鸣 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L29/495

Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置为一种栅极偏移结构的半导体装置，其包含一基底与形成于上述基底的一隔离构造。一有源区是形成于上述基底并实质上邻接上述隔离构造，一界面层是形成于上述基底上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一多晶硅层是形成于上述界面层上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一沟槽是形成于上述隔离构造上方的上述多晶硅层中，上述沟槽延伸至上述界面层，一填充层是沿着上述沟槽的轮廓形成，而一金属栅极是形成于上述沟槽中。本发明是在未明显增加装置的制造成本的情况下，可抵御高电压，并可提供优于传统装置的性能。

公开(公告)号：CN103165606A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210107222.4

申请日：2012-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  朱鸣

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857

Abstract: 本公开内容提供一种制造半导体器件的方法。在衬底上方形成高-k介电层。在高-k介电层的一部分上方形成第一保护层。在第一保护层和高-k介电层上方形成第二保护层。在第二保护层上方形成伪栅电极层。图案化伪栅电极层、第二保护层、第一保护层、以及高-k介电层，以形成NMOS栅极和PMOS栅极。NMOS栅极包括第一保护层，并且PMOS栅极没有第一保护层。去除PMOS栅极的伪栅电极层，从而暴露PMOS栅极的第二保护层。PMOS栅极的第二保护层被转换为第三保护层。本发明还提供了用于高-k金属栅极技术的增强栅极替换工艺。

公开(公告)号：CN102315109B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110189228.6

申请日：2011-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  杨宝如 ,  锺昇镇 ,  游凯翔 ,  黄仁安 ,  吴伟成 ,  朱鸣

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该方法包括提供一具有第一表面的基板、形成一隔离结构，其部分设置于基板中且具有高于第一表面一阶梯高度的一第二表面、移除隔离结构的一部分以在其中形成一具有一底部表面，且以低于阶梯高度的距离与第一基板间隔开的凹槽、形成一栅极结构及形成一接点，其于该凹槽上方衔接该栅极结构。本发明的另一层面包括一半导体装。置。本发明可在降低尺寸的同时降低装置工艺的困难度。

公开(公告)号：CN103123901A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210109830.9

申请日：2012-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  郭正诚 ,  蔡境哲 ,  朱鸣 ,  杨宝如

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成多个伪栅极。伪栅极沿着第一轴延伸。该方法包括在伪栅极上方形成掩模层。掩模层限定沿着不同于第一轴的第二轴延伸的伸长开口。开口暴露出伪栅极的第一部并保护伪栅极的第二部。开口的尖端部的宽度大于开口的非尖端部的宽度。采用光学邻近校正(OPC)工艺形成掩模层。该方法包括用多个第一金属栅极替换伪栅极的第一部。该方法包括用不同于第一金属栅极的多个第二金属栅极替换伪栅极的第二部。本发明提供了N/P边界效应减小的金属栅极晶体管。

公开(公告)号：CN102891145A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201110363633.5

申请日：2011-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱鸣 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/0642

Abstract: CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法。本发明涉及集成电路制造，并且更具体地来说，涉及金属栅极结构。一种CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底、N-金属栅电极以及P-金属栅电极。该衬底包括包围着P-有源区域和N-有源区域的隔离区域。该N-金属的栅电极包括位于N-有源区域上方的第一金属成分。该P-金属栅电极包括位于P-有源区域上方的体部分以及位于隔离区域上方的端盖部分。该端盖部分包含第一金属成分，而该体部分含括与第一金属成分不同的第二金属成分。本发明还提供了一种CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN102832215A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210180364.3

申请日：2012-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  朱鸣

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/94

Abstract: 本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。在示例中，集成电路器件包括：设置在衬底上方的栅结构；设置在衬底中的源区和漏区，其中栅结构介于源区和漏区之间；以及插在栅结构中的至少一个柱状部件。

公开(公告)号：CN102832214A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210180087.6

申请日：2012-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  朱鸣

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/94

Abstract: 公开了一种集成电路器件及其制造方法。在一个实例中，集成电路器件包括电容器，该电容器具有设置在半导体衬底中的掺杂区域、设置在掺杂区域上方的介电层、以及设置在介电层上方的电极。至少一个柱状部件嵌入在该电极中。本发明还提供了一种大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法。

公开(公告)号：CN102637685A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210020308.3

申请日：2012-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  杨宝如 ,  朱鸣 ,  林慧雯 ,  张立伟

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823871

Abstract: 本发明关于集成电路制造，更具体地说是关于金属栅极结构。CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底，该衬底包括P-有源区域，N-有源区域，和插入所述P-有源区域和所述N-有源区域之间的隔离区域；在P-有源区域上方的P-金属栅电极，P-金属栅电极延伸到隔离区域的上方；和在N-有源区域上方具有第一宽度的N-金属栅电极，N-金属栅电极延伸到隔离区域的上方并且在隔离区域中具有与P-金属栅电极电接触的接触段，其中接触段具有比第一宽度大的第二宽度。

公开(公告)号：CN102347361A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110038163.5

申请日：2011-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张立伟 ,  朱鸣 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管及其制造方法，其中该场效应晶体管包括：一基板，包括一表面；一栅极结构，包括多个侧壁与一顶面，该栅极结构设置于该基板之上；一间隔物，邻近该栅极结构的所述多个侧壁；一第一接触蚀刻停止层，位于该间隔物之上且沿着该基板的表面延伸；一层间介电层，邻近该第一蚀刻停止层，其中该层间介电层的一顶面与该栅极结构的该顶面共平面；以及一第二接触蚀刻停止层，位于至少该栅极结构的该顶面的一部分之上。本发明可制造出不具有因接触蚀刻而形成的凹陷情形的金属栅极结构，进而改善了元件表现。

公开(公告)号：CN102347360A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010569674.5

申请日：2010-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊宏 ,  张立伟 ,  朱鸣 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L29/495

Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置为一种栅极偏移结构的半导体装置，其包含一基底与形成于上述基底的一隔离构造。一有源区是形成于上述基底并实质上邻接上述隔离构造，一界面层是形成于上述基底上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一多晶硅层是形成于上述界面层上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一沟槽是形成于上述隔离构造上方的上述多晶硅层中，上述沟槽延伸至上述界面层，一填充层是沿着上述沟槽的轮廓形成，而一金属栅极是形成于上述沟槽中。本发明是在未明显增加装置的制造成本的情况下，可抵御高电压，并可提供优于传统装置的性能。