公开(公告)号：CN110265482B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201910354858.0

申请日：2014-11-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  片山雅博

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H10K59/121 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种在一个衬底上形成有多种电路且设置有对应于多种电路的特性的多种晶体管的显示装置。该显示装置在一个衬底(11)上包括像素部和驱动该像素部的驱动电路。像素部包括具有第一氧化物半导体膜(84)的第一晶体管(10m)。驱动电路包括具有第二氧化物半导体膜(82)的第二晶体管(10k)。第一氧化物半导体膜(84)和第二氧化物半导体膜(82)形成在一个绝缘表面上。第一晶体管(10m)的沟道长度大于第二晶体管(10k)的沟道长度。第一晶体管(10m)的沟道长度大于或等于2.5μm。

公开(公告)号：CN115857237A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211570911.9

申请日：2017-09-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L29/10 ,  G02F1/1368

Abstract: 提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路。驱动电路包括双栅结构的第一晶体管。像素部包括单栅结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括被用作沟道的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域。第一区域包含In或者Zn、以及氧。第二区域包含In或者元素M、以及氧。第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。

公开(公告)号：CN110581070B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201910694618.5

申请日：2013-06-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 在具有氧化物半导体膜的晶体管中，抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外，在使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体装置中，抑制电特性的变动且提高可靠性。包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×1021分子/cm3，优选小于或等于3×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氨分子量小于1×1022分子/cm3，优选小于或等于5×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN115362561A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180022758.3

申请日：2021-03-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极绝缘层及第一栅电极。第一半导体层包括金属氧化物。第二晶体管包括第二半导体层、第二栅极绝缘层及第二栅电极。第二半导体层包含结晶硅。第一绝缘层具有隔着第二绝缘层与第一晶体管重叠的区域。第二绝缘层具有隔着第一绝缘层与第二晶体管重叠的区域。第二绝缘层的膜密度高于第一绝缘层。

公开(公告)号：CN114616676A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080076127.5

申请日：2020-10-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一

IPC: H01L27/32

Abstract: 显示装置包括包含受光元件及第一晶体管的第一像素电路以及包含发光元件及第二晶体管的第二像素电路。受光元件在第一像素电极和公共电极之间包括活性层，发光元件在第二像素电极和公共电极之间包括发光层。第一像素电极和第二像素电极位于同一面上。活性层和发光层包含互不相同的有机化合物。第一晶体管的源极或漏极与第一像素电极电连接，第二晶体管的源极或漏极与第二像素电极电连接。第一晶体管包括含有金属氧化物的第一半导体层，第二晶体管包括含有多晶硅的第二半导体层。

公开(公告)号：CN114546158A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210017532.0

申请日：2016-03-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 平形吉晴 ,  久保田大介 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: G06F3/041 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1333

Abstract: 本公开的发明名称是“触摸屏”，且提供一种厚度薄的触摸屏。另外，提供一种可见度高的触摸屏。另外，提供一种轻量的触摸屏。另外，提供一种低功耗的触摸屏。包括在电容式的触摸传感器的一对导电层具有包括多个开口的网状的形状。并且，包括在触摸传感器的一对导电层配置在触摸屏所包括的一对衬底之间，且在该一对导电层与驱动显示元件的电路之间设置能够供应固定电位的具有透光性的导电层。

公开(公告)号：CN107210230B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201680008956.3

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。

公开(公告)号：CN113396483A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202080013106.9

申请日：2020-02-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 羽持贵士 ,  冈崎健一 ,  井户尻悟 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：形成包含金属氧化物的半导体层的工序；在半导体层上形成在半导体层上彼此分开的第一导电层及第二导电层的工序；对露出半导体层的区域使用包含氧化性气体及还原性气体的混合气体进行等离子体处理的工序；在半导体层上、第一导电层上及第二导电层上形成第一绝缘层的工序；以及在第一绝缘层上形成第二绝缘层的工序。利用使用混合气体的等离子体增强化学气相沉积法形成第一绝缘层，该混合气体包含含硅的气体、氧化性气体及氨气体。此外，在等离子体处理后以不暴露于大气的方式连续形成第一绝缘层。

公开(公告)号：CN112635573A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011577605.9

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  井口贵弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。

公开(公告)号：CN107408579B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201680012805.5

申请日：2016-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。晶体管包括第一栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第二绝缘膜、第二栅电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn(M为Al、Ga、Y或Sn)。在第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于第一氧化物半导体膜。第二栅电极包含氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。