-
公开(公告)号：CN118974947A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380032991.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/41 , H01L29/417 , H05B33/14 , H05B44/00 , H10K50/10
Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一导电层、位于第一导电层上的第二导电层、与第一导电层的顶面以及第二导电层的顶面及侧面接触的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的第三导电层、与第三导电层、第一导电层的顶面及第一绝缘层的侧面接触的半导体层、位于第一绝缘层、半导体层及第三导电层上的第二绝缘层以及位于第二绝缘层上且隔着第二绝缘层与半导体层重叠的第四导电层，第一导电层的顶面至第二导电层的顶面的最短距离比第一导电层的顶面至第四导电层的底面的最短距离长。
-
公开(公告)号：CN110676324B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910937461.4
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
-
公开(公告)号：CN117878159A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311627872.6
申请日：2021-03-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H10K59/121
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极绝缘层及第一栅电极。第一半导体层包括金属氧化物。第二晶体管包括第二半导体层、第二栅极绝缘层及第二栅电极。第二半导体层包含结晶硅。第一绝缘层具有隔着第二绝缘层与第一晶体管重叠的区域。第二绝缘层具有隔着第一绝缘层与第二晶体管重叠的区域。第二绝缘层的膜密度高于第一绝缘层。
-
公开(公告)号：CN111446259B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201911299399.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
-
公开(公告)号：CN117178361A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280027779.9
申请日：2022-04-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/088
Abstract: 提供一种电特性优异的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管依次层叠包括第一半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及第一栅电极。第一栅电极具有与第一半导体层重叠的区域。第二晶体管依次层叠包括第二半导体层、第二绝缘层以及第二栅电极。第二栅电极具有与第二半导体层重叠的区域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110690230B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910929577.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
-
公开(公告)号：CN108987416B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201810760315.4
申请日：2013-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1345 , G02F1/1368
Abstract: 本公开涉及显示装置及具有该显示装置的电子设备。显示装置包括设置有位于像素区域的外侧并与所述像素区域相邻并包括将信号供应给在像素区域的各像素中的第一晶体管的至少一个第二晶体管的驱动电路区域的第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底、夹在第一衬底与第二衬底之间的液晶层、在第一晶体管及第二晶体管上的包含无机绝缘材料的第一层间绝缘膜、第一层间绝缘膜上的包含有机绝缘材料的第二层间绝缘膜、以及第二层间绝缘膜上的包含无机绝缘材料的第三层间绝缘膜。第三层间绝缘膜被设置在所述像素区域的上部区域的一部分中，并具有驱动电路区域内侧上的边缘部分。
-
公开(公告)号：CN108780757B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201780018390.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
-
公开(公告)号：CN108475699B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201680076957.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
-
公开(公告)号：CN113327948A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110634377.2
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
105
records
(took 0.04 seconds)
