一种差压压力传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN108760100B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201810314543.9

    申请日:2018-04-10

    Inventor: 李刚 胡维 吕萍

    Abstract: 本发明公开了一种差压压力传感器的制备方法,解决了感压薄膜较薄时线性度和可靠性较差的问题。该制备方法包括:制备带有腔体的绝缘体晶圆,该带有腔体的绝缘体晶圆包括依次叠置的器件层、氧化层和衬底层,衬底层和氧化层之间包括位于衬底层内的环形腔体;在器件层的表面制备压敏电阻;刻蚀掉环形腔体的正投影范围内的部分衬底层至露出环形腔体。

    麦克风芯片和MEMS麦克风
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112203201A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011060622.5

    申请日:2020-09-30

    Abstract: 该发明公开了一种麦克风芯片和MEMS麦克风,所述麦克风芯片包括:芯片结构,所述芯片结构包括半导体衬底和设在所述半导体衬底上相对设置的背极板和振膜;防尘结构,所述防尘结构设在所述背极板上方且至少部分遮挡所述背极板的开孔区域。由此根据本发明实施例的麦克风芯片失效率低,使用寿命长且灵敏度高。

    一种差压压力传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN108760100A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810314543.9

    申请日:2018-04-10

    Inventor: 李刚 胡维 吕萍

    Abstract: 本发明公开了一种差压压力传感器的制备方法,解决了感压薄膜较薄时线性度和可靠性较差的问题。该制备方法包括:制备带有腔体的绝缘体晶圆,该带有腔体的绝缘体晶圆包括依次叠置的器件层、氧化层和衬底层,衬底层和氧化层之间包括位于衬底层内的环形腔体;在器件层的表面制备压敏电阻;刻蚀掉环形腔体的正投影范围内的部分衬底层至露出环形腔体。

    压力传感器封装结构及其形成方法、触控装置

    公开(公告)号:CN108645548A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810441484.1

    申请日:2018-05-10

    Inventor: 李刚 庄瑞芬 胡维

    Abstract: 本发明涉及一种压力传感器封装结构及其形成方法,一种触控装置,所述压力传感器封装结构包括:至少一个压力传感器,所述压力传感器包括:衬底、位于所述衬底表面的敏感膜,所述敏感膜与所述衬底之间具有腔体;至少一个焊球,位于所述敏感膜表面;电路板,所述电路板的第一表面通过所述焊球与所述至少一个压力传感器焊接,实现电路板与压力传感器之间的电连接。所述压力传感器封装结构形成工艺简单且敏感薄膜不易损坏。

    压力传感器及其封装方法
    65.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106477512B

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201611047735.5

    申请日:2016-11-23

    Inventor: 胡维 吕萍 李刚

    Abstract: 本发明提供了种压力传感器及其封装方法,所述压力传感器包括层叠设置的基板与压力传感器芯片,所述压力传感器芯片包括衬底、形成于所述衬底背离基板侧的腔体以及与所述腔体配合设置的敏感膜,所述腔体呈扁平状,所述衬底上设有的第焊盘;所述基板设有电连接至第焊盘的第二焊盘;所述压力传感器还包括沿所述敏感膜的外周设置的第围坝、设置于基板上且不超出所述第围坝的硬质密封层、以及位于所述敏感膜上方并与所述第围坝相抵接的承压部件,其中,第焊盘位于第围坝的外侧。采用本发明压力传感器及其封装方法,避免敏感膜直接承受外界应力,降低破损几率,同时通过硬质密封层实现更好的防护,延长使用寿命。

    微机电系统与集成电路的集成芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN104140072B

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201310168305.9

    申请日:2013-05-09

    CPC classification number: B81C1/00238 B81C2203/0792 H01L2224/11

    Abstract: 本发明涉及一种微机电系统与集成电路的集成芯片及其制造方法,包括如下步骤:S1:提供第一芯片,包括第一衬底、设置在第一衬底上的隔离部、形成在第一衬底上且具有可动敏感部的微机电系统器件层、形成在可动敏感部下方的第一引线层、设置于微机电系统器件层上的第一电气键合点、以及形成在隔离部内且与第一电气键合点电气连接的电气连接部;S2:提供具有IC集成电路的第二芯片,包括第二引线层、以及第二电气键合点;S3:将第一电气键合点和第二电气键合点键合,第二引线层和第一引线层对称设置在可动敏感部的两侧;S4:将第一衬底于背面进行减薄操作以露出隔离部;S5:在第一衬底的背面上形成与外界电路电气连接的电气连接层。

    MEMS芯片封装结构及电子设备

    公开(公告)号:CN220485334U

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202322186645.6

    申请日:2023-08-15

    Inventor: 庄瑞芬 胡维 李刚

    Abstract: 本申请公开了一种MEMS芯片封装结构及电子设备。包括:基板、壳体、MEMS芯片以及ASIC芯片,所述基板与所述壳体固定连接以形成腔体,所述MEMS芯片和所述ASIC芯片均位于所述腔体内;其中,所述基板面向所述壳体的一侧设置有支撑结构,所述支撑结构包括支撑部和连接部,在所述基板的厚度方向上,所述支撑部与所述基板之间具有间隙,所述支撑部连接在所述连接部的远离所述基板的一侧,所述MEMS芯片与所述支撑部固定连接,所述ASIC芯片位于所述支撑部与所述基板之间的间隙内。采用本申请提供的技术方案,减少了MEMS芯片与基板之间的接触面积,可在一定程度上减少高过载冲击带来的应力传递,提高了MEMS芯片整体抗高过载能力。

    麦克风结构和电子设备
    68.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219919114U

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202321543714.8

    申请日:2023-06-16

    Inventor: 孟燕子 胡维

    Abstract: 本实用新型提供一种麦克风结构和电子设备,所述麦克风结构包括:至少一个振膜,至少一个振膜包括第一振膜,第一振膜包括多个泄气结构,每个泄气结构包括在厚度方向上贯穿第一振膜的多个缝隙以及作为梁结构并用于连接多个缝隙的实体部,多个缝隙包括第一缝隙和第二缝隙,第一缝隙形成的曲面由均朝第二缝隙凹陷的第一曲面和第二曲面相交而形成相交端,第二缝隙形成的第三曲面朝相交端凹陷,第一曲面和第二曲面中的至少一个曲面的曲率从相交端至另外一端是变化的。本实用新型在确保麦克风结构低频频响性能的情况下,可以降低第一振膜撕裂的风险,并提高麦克风结构的机械可靠性。

    压力传感器
    69.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216410458U

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202122824856.9

    申请日:2021-11-17

    Inventor: 吕萍 胡维 李刚

    Abstract: 本申请提供了一种压力传感器,解决了现有技术中压力传感器的灵敏度和稳定性不足的问题。本申请实施例通过在压敏电阻单元上方设置屏蔽图案,能够防止压敏电阻单元受到本身的截面的电荷或者从外部积累到传感器的表面电荷影响。同时,屏蔽图案通过第一通孔结构连接至衬底,可将电荷引入到衬底(固定电位),降低电荷对压阻区域的影响,提高检测结果的稳定性。

    传感器结构及电子设备
    70.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216038651U

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202122086230.2

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及电子设备,该传感器结构包括:硅基底;设置在硅基底一侧的膜层结构,其中,硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔;封装基板,封装基板设置在硅基底远离膜层结构的一侧;连接层,设置在硅基底与封装基板之间,连接层中形成有第一空隙,第一空隙用于连通空腔与传感器结构之外的环境。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率以及降低成本。

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